单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
C3D06065E

C3D06065E

DIODE SIL CARB 650V 20A TO252-2

Wolfspeed, Inc.

1,387
C3D06065E数据手册 Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Not For New Designs SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 295pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
C6D10065G-TR

C6D10065G-TR

DIODE SIL CARB 650V 36A TO263-2

Wolfspeed, Inc.

1,525
C6D10065G-TR数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 36A 1.4 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 611pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
C6D10065G

C6D10065G

DIODE SIL CARB 650V 36A TO263-2

Wolfspeed, Inc.

253
C6D10065G数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 36A 1.4 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 611pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
C3D10065I

C3D10065I

DIODE SIL CARB 650V 19A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

1,325
C3D10065I数据手册 Z-Rec® TO-220-2 Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 19A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 480pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 Isolated Tab -55°C ~ 175°C
C3D08065I

C3D08065I

DIODE SIL CARB 650V 16.5A TO220

Wolfspeed, Inc.

178
C3D08065I数据手册 Z-Rec® TO-220-2 Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 16.5A 1.8 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 650 V 441pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 Isolated Tab -55°C ~ 175°C
C3D16065A

C3D16065A

DIODE SIL CARB 650V 39A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

1,048
C3D16065A数据手册 Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 39A 1.8 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 95 µA @ 650 V 878pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
C6D20065A

C6D20065A

DIODE SIL CARB 650V 66A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

351
C6D20065A数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 66A 1.5 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 80 µA @ 650 V 1153pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
C3D03065E

C3D03065E

DIODE SIL CARB 650V 11A TO252-2

Wolfspeed, Inc.

2,356
C3D03065E数据手册 Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 11A 1.8 V @ 3 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 155pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
C3D06065A

C3D06065A

DIODE SIL CARB 650V 19A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

839
C3D06065A数据手册 Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 19A 1.8 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 650 V 294pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
C6D08065Q-TR

C6D08065Q-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 28A 4QFN

Wolfspeed, Inc.

2,110
C6D08065Q-TR数据手册 - 4-PowerVQFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 28A 1.5 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 20 µA @ 650 V 518pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount 4-QFN (8x8) -55°C ~ 175°C
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