单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
GP3D008A065A

GP3D008A065A

DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2

SemiQ

7,088
GP3D008A065A数据手册 Amp+™ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.6 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 336pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
GP3D010A065A

GP3D010A065A

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2

SemiQ

8,334
GP3D010A065A数据手册 Amp+™ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.6 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 25 µA @ 650 V 419pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
GP3D010A065B

GP3D010A065B

DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2

SemiQ

7,555
GP3D010A065B数据手册 Amp+™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.6 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 25 µA @ 650 V 419pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
GP3D012A065A

GP3D012A065A

DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2

SemiQ

6,993
GP3D012A065A数据手册 Amp+™ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.5 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 650 V 572pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
GP3D008A065D

GP3D008A065D

DIODE SIC 650V 8A TO263-2L

SemiQ

3,278
GP3D008A065D数据手册 - - Tape & Reel (TR) Active - 650 V 8A - - - - - - - - - -
GP3D010A065C

GP3D010A065C

DIODE SILICON CARBIDE

SemiQ

8,544
GP3D010A065C数据手册 * - Tube Active - - - - - - - - - - - - -
GP3D010A065D

GP3D010A065D

DIODE SIC 650V 8A TO263-2L

SemiQ

5,502
GP3D010A065D数据手册 - - Tape & Reel (TR) Active - 650 V 10A - - - - - - - - - -
GP3D012A065B

GP3D012A065B

DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-2

SemiQ

2
GP3D012A065B数据手册 Amp+™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.5 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 650 V 572pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
GP3D020A065A

GP3D020A065A

DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2

SemiQ

8,484
GP3D020A065A数据手册 Amp+™ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.65 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 75 µA @ 650 V 1247pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
GP3D010A120B

GP3D010A120B

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2

SemiQ

4,098
GP3D010A120B数据手册 Amp+™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.65 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1200 V 608pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
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