单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
SCS310AHGC9

SCS310AHGC9

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACP

Rohm Semiconductor

361
SCS310AHGC9数据手册 - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 500pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220ACP 175°C (Max)
SCS308APC9

SCS308APC9

DIODE SILICON CARBIDE 650V 8A

Rohm Semiconductor

125
SCS308APC9数据手册 - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.5 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 400pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole - 175°C (Max)
SCS210AGHRC

SCS210AGHRC

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC

Rohm Semiconductor

792
SCS210AGHRC数据手册 - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.55 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 600 V 365pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AC 175°C (Max)
SCS310AMC

SCS310AMC

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220FM

Rohm Semiconductor

215
SCS310AMC数据手册 - TO-220-2 Full Pack Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 500pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220FM 175°C (Max)
SCS212AGHRC

SCS212AGHRC

DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC

Rohm Semiconductor

1,778
SCS212AGHRC数据手册 - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.55 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 240 µA @ 600 V 438pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AC 175°C (Max)
SCS315AHGC9

SCS315AHGC9

DIODE SIL CARB 650V 15A TO220ACP

Rohm Semiconductor

376
SCS315AHGC9数据手册 - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 15A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 75 µA @ 650 V 750pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220ACP 175°C (Max)
SCS210KGC

SCS210KGC

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220AC

Rohm Semiconductor

156
SCS210KGC数据手册 - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.6 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 550pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC 175°C (Max)
SCS320AHGC9

SCS320AHGC9

DIODE SIL CARB 650V 20A TO220ACP

Rohm Semiconductor

2,710
SCS320AHGC9数据手册 - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 1000pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220ACP 175°C (Max)
RB508FM-40FHT106

RB508FM-40FHT106

DIODE SCHOTTKY 40V 80MA SOT323

Rohm Semiconductor

892
RB508FM-40FHT106数据手册 - SC-70, SOT-323 Tape & Reel (TR) Active Schottky 40 V 80mA 590 mV @ 40 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 35 nA @ 30 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount SOT-323 150°C
RRE07VTM6SFHTR

RRE07VTM6SFHTR

DIODE GP 600V 700MA TUMD2SM

Rohm Semiconductor

635
RRE07VTM6SFHTR数据手册 - 2-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 700mA 1.1 V @ 700 mA Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 1 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount TUMD2SM 150°C (Max)
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