单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
SCS310AMC7G

SCS310AMC7G

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220FM

Rohm Semiconductor

1,000
SCS310AMC7G数据手册 - TO-220-2 Full Pack Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 500pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220FM 175°C
SCS212ANHRTRL

SCS212ANHRTRL

650V 12A SMD SILICON CARBIDE

Rohm Semiconductor

1,000
SCS212ANHRTRL数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.55 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 240 µA @ 600 V 440pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263L 175°C
SCS205KNHRTRL

SCS205KNHRTRL

1200V 5A SMD SILICON CARBIDE

Rohm Semiconductor

200
SCS205KNHRTRL数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 5A 1.6 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 1200 V 260pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263L 175°C
SCS310AGC16

SCS310AGC16

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACP

Rohm Semiconductor

1,000
SCS310AGC16数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 500pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220ACFP 175°C
SCS215ANHRTRL

SCS215ANHRTRL

650V 15A SMD SILICON CARBIDE

Rohm Semiconductor

500
SCS215ANHRTRL数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 15A 1.55 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 300 µA @ 600 V 550pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263L 175°C
SCS212AJTLL

SCS212AJTLL

DIODE SIL CARB 650V 12A TO263AB

Rohm Semiconductor

960
SCS212AJTLL数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.55 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 240 µA @ 600 V - - - Surface Mount TO-263AB 175°C (Max)
SCS320AMC7G

SCS320AMC7G

DIODE SIL CARB 650V 20A TO220FM

Rohm Semiconductor

1,000
SCS320AMC7G数据手册 - TO-220-2 Full Pack Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.5 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 1000pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220FM 175°C
SCS320AGC16

SCS320AGC16

DIODE SIL CARB 650V 20A TO220ACP

Rohm Semiconductor

1,000
SCS320AGC16数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.5 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 1000pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220ACFP 175°C
SCS220ANHRTRL

SCS220ANHRTRL

650V, 20A, SMD, SILICON-CARBIDE

Rohm Semiconductor

1,000
SCS220ANHRTRL数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.55 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 400 µA @ 600 V 730pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount LPDS 175°C
SCS210KNHRTRL

SCS210KNHRTRL

1200V, 10A, SMD, SILICON-CARBIDE

Rohm Semiconductor

994
SCS210KNHRTRL数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.6 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 530pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount LPDS 175°C
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