单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
SCS206AMC

SCS206AMC

DIODE SIL CARB 650V 6A TO220FM

Rohm Semiconductor

9,883
SCS206AMC数据手册 - TO-220-2 Full Pack Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.55 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 120 µA @ 600 V 219pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220FM 175°C (Max)
SCS306APC9

SCS306APC9

DIODE SILICON CARBIDE 650V 6A

Rohm Semiconductor

4,796
SCS306APC9数据手册 - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.5 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 650 V 300pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole - 175°C (Max)
SCS304AMC

SCS304AMC

DIODE SIL CARB 650V 4A TO220FM

Rohm Semiconductor

5,166
SCS304AMC数据手册 - TO-220-2 Full Pack Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 4A 1.5 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 200pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220FM 175°C (Max)
SCS215AEC

SCS215AEC

DIODE SIL CARBIDE 650V 15A TO247

Rohm Semiconductor

7,941
SCS215AEC数据手册 - TO-247-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 15A 1.55 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 300 µA @ 600 V 550pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247 175°C (Max)
SCS215AGHRC

SCS215AGHRC

DIODE SIL CARB 650V 15A TO220AC

Rohm Semiconductor

6,299
SCS215AGHRC数据手册 - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 15A 1.55 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 300 µA @ 600 V 550pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AC 175°C (Max)
SCS220AGC

SCS220AGC

DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC

Rohm Semiconductor

9,565
SCS220AGC数据手册 - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.55 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 400 µA @ 600 V 730pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC 175°C (Max)
SCS208AMC

SCS208AMC

DIODE SIL CARB 650V 8A TO220FM

Rohm Semiconductor

7,856
SCS208AMC数据手册 - TO-220-2 Full Pack Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.55 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 160 µA @ 600 V 291pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220FM 175°C (Max)
SCS306AMC

SCS306AMC

DIODE SIL CARB 650V 6A TO220FM

Rohm Semiconductor

6,403
SCS306AMC数据手册 - TO-220-2 Full Pack Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.5 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 650 V 300pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220FM 175°C (Max)
SCS220AEC

SCS220AEC

DIODE SIL CARBIDE 650V 20A TO247

Rohm Semiconductor

2,874
SCS220AEC数据手册 - TO-247-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.55 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 400 µA @ 600 V 730pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247 175°C (Max)
SCS220AGHRC

SCS220AGHRC

DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC

Rohm Semiconductor

5,973
SCS220AGHRC数据手册 - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.55 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 400 µA @ 600 V 730pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AC 175°C (Max)
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