单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
QS50T45T

QS50T45T

Solar Schottky Diode

Quest Semi

900
QS50T45T数据手册 - Module Tube Active Schottky 45 V 50A 500 mV @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 80 mA @ 45 V - - - Chassis Mount - -55°C ~ 200°C
QS50T45D

QS50T45D

Solar Schottky Diode

Quest Semi

1,000
QS50T45D数据手册 - - Tube Active - - - - - - - - - - - - -
QSD50HCS120U

QSD50HCS120U

1200v 50amp SiC Schottky Barrier

Quest Semi

1,000
QSD50HCS120U数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 149A 1.7 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 1200 V 2380000pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
QSD10HCS120U

QSD10HCS120U

Schottky barrier diode 1200v 10a

Quest Semi

1,600
QSD10HCS120U数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 37A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 250 µA @ 1200 V 770pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
QSD25HCS170U

QSD25HCS170U

1700v 25amp SiC Schottky Barrier

Quest Semi

1,233
QSD25HCS170U数据手册 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 94A 1.9 V @ 25 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 1700 V 2822pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
QSD10HCS500U

QSD10HCS500U

5000v 10amp Homogeneous SiC Scho

Quest Semi

500
QSD10HCS500U数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 5000 V 66A 1.9 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 600 µA @ 5000 V 3880pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
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