单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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P3D06008I2

P3D06008I2

DIODE SIL CARB 650V 21A TO220I-2

PN Junction Semiconductor

3,691
P3D06008I2数据手册 P3D TO-220I-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 21A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 36 µA @ 650 V - - - - TO-220I-2 -55°C ~ 175°C
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