单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
1N6660DT1

1N6660DT1

DIODE SCHOTTKY 45V 15A TO254AA

Microsemi Corporation

8,040
1N6660DT1数据手册 - TO-254-3, TO-254AA Bulk Active Schottky 45 V 15A 750 mV @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 45 V 2000pF @ 5V, 1MHz - - Through Hole TO-254AA -65°C ~ 150°C
1N6660R

1N6660R

DIODE SCHOTTKY 45V 15A TO254AA

Microsemi Corporation

4,950
1N6660R数据手册 - TO-254-3, TO-254AA Bulk Active Schottky 45 V 15A 750 mV @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 45 V 2000pF @ 5V, 1MHz - - Through Hole TO-254AA -65°C ~ 150°C
W3477MC360

W3477MC360

DIODE GEN PURP 3.6KV 3470A W54

IXYS

6,629
W3477MC360数据手册 - DO-200AC, K-PUK Box Active Standard 3600 V 3470A 1.34 V @ 3000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 38 µs 100 mA @ 3600 V - - - Clamp On W54 -40°C ~ 160°C
R7001604XXUA

R7001604XXUA

DIODE GP 1.6KV 450A DO200AA

Powerex Inc.

8,298
R7001604XXUA数据手册 - DO-200AA, A-PUK Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 1600 V 450A 1.6 V @ 1500 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 11 µs 50 mA @ 1600 V - - - Chassis, Stud Mount DO-200AA, R62 -65°C ~ 175°C
JANTXV1N486B

JANTXV1N486B

SWITCHING DIODE

Microsemi Corporation

3,601
JANTXV1N486B数据手册 - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 225 V 200mA 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 50 nA @ 225 V - Military MIL-PRF-19500/118 Through Hole DO-204AH (DO-35) 175°C (Max)
1N6666

1N6666

DIODE GEN PURP 200V 10A TO257

Microchip Technology

7,114
1N6666数据手册 - TO-257-3 Bulk Active Standard 200 V 10A 1 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns - - - - Through Hole TO-257 200°C
1N6664

1N6664

DIODE GEN PURP 100V 10A TO257

Microchip Technology

6,765
1N6664数据手册 - TO-257-3 Bulk Active Standard 100 V 10A 1 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns - - - - Through Hole TO-257 200°C
1N6665

1N6665

DIODE GEN PURP 150V 10A TO257

Microchip Technology

2,486
1N6665数据手册 - TO-257-3 Bulk Active Standard 150 V 10A - Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns - - - - Through Hole TO-257 200°C
1N8024-GA

1N8024-GA

DIODE SIL CARB 1.2KV 750MA TO257

GeneSiC Semiconductor

6,134
1N8024-GA数据手册 - TO-257-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 750mA 1.74 V @ 750 mA No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 1200 V 66pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-257 -55°C ~ 250°C
W3477MC400

W3477MC400

DIODE GEN PURP 4KV 3470A W54

IXYS

5,211
W3477MC400数据手册 - DO-200AC, K-PUK Box Active Standard 4000 V 3470A 1.34 V @ 3000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 38 µs 100 mA @ 4000 V - - - Clamp On W54 -40°C ~ 160°C
R9G00822XX

R9G00822XX

DIODE GP 800V 2200A DO200AB

Powerex Inc.

5,656
R9G00822XX数据手册 - DO-200AB, B-PUK Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 800 V 2200A 1.1 V @ 1500 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 15 µs 150 mA @ 800 V - - - Clamp On DO-200AB, B-PUK -
R9G01212XX

R9G01212XX

DIODE GP 1.2KV 1200A DO200AB

Powerex Inc.

2,648
R9G01212XX数据手册 - DO-200AB, B-PUK Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 1200 V 1200A 1.45 V @ 1500 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 25 µs 150 mA @ 1200 V - - - Clamp On DO-200AB, B-PUK -
1N8033-GA

1N8033-GA

DIODE SIL CARB 650V 4.3A TO276

GeneSiC Semiconductor

2,273
1N8033-GA数据手册 - TO-276AA Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 4.3A 1.65 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 5 µA @ 650 V 274pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-276 -55°C ~ 250°C
VS-SD3000C04K

VS-SD3000C04K

DIODE GP 400V 3800A DO200AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,419
VS-SD3000C04K数据手册 - DO-200AC, K-PUK Bulk Last Time Buy Standard 400 V 3800A 1.22 V @ 6000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 75 mA @ 400 V - - - Clamp On DO-200AC, K-PUK -
VS-SD3000C08K

VS-SD3000C08K

DIODE GP 800V 3800A DO200AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,277
VS-SD3000C08K数据手册 - DO-200AC, K-PUK Bulk Last Time Buy Standard 800 V 3800A 1.22 V @ 6000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 75 mA @ 800 V - - - Clamp On DO-200AC, K-PUK -
R9G22415ASOO

R9G22415ASOO

DIODE GP 2.4KV 1500A DO200AB

Powerex Inc.

9,130
R9G22415ASOO数据手册 - DO-200AB, B-PUK Bulk Obsolete Standard 2400 V 1500A 1.65 V @ 1500 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 5 µs 75 mA @ 2400 V - - - Clamp On DO-200AB, B-PUK -
38DN06B02ELEMPRXPSA1

38DN06B02ELEMPRXPSA1

DIODE GP 600V 5140A D-ELEM-1

Infineon Technologies

8,819
38DN06B02ELEMPRXPSA1数据手册 - DO-200AA, A-PUK Tray Active Standard 600 V 5140A 960 mV @ 4500 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 mA @ 600 V - - - Clamp On BG-D-ELEM-1 180°C (Max)
LS412660

LS412660

DIODE GP 2.6KV 600A POW-R-BLOK

Powerex Inc.

6,704
LS412660数据手册 - POW-R-BLOK™ Module Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 2600 V 600A 1.18 V @ 1500 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 40 mA @ 2600 V - - - Chassis Mount POW-R-BLOK™ Module -40°C ~ 150°C
M1494NK250

M1494NK250

DIODE GEN PURP 2.5KV 1975A WD8

IXYS

5,063
M1494NK250数据手册 - DO-200AB, B-PUK Box Active Standard 2500 V 1975A 1.15 V @ 1000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 3.9 µs - - - - Clamp On WD8 -
W3842MC240

W3842MC240

DIODE GEN PURP 2.4KV 3842A W54

IXYS

3,204
W3842MC240数据手册 - DO-200AC, K-PUK Box Active Standard 2400 V 3842A 1.2 V @ 3000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 34 µs 50 mA @ 2400 V - - - Clamp On W54 -40°C ~ 160°C

分类概览

单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 单个二极管?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

页面上的库存信息是否可以直接采购?

库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

找不到指定型号怎么办?

您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

是否可以提供 Datasheet 和技术资料?

可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

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