单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
1N4723

1N4723

STANDARD RECTIFIER

Microchip Technology

8,544
1N4723数据手册 - Axial Bulk Active Standard 600 V 3A 1 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 25 µA @ 600 V - - - Through Hole Axial -65°C ~ 175°C
JANS1N5616

JANS1N5616

DIODE GEN PURP 400V 1A A AXIAL

Microchip Technology

2,272
JANS1N5616数据手册 - A, Axial Bulk Active Standard 400 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 500 nA @ 400 V - Military MIL-PRF-19500/427 Through Hole A, Axial -65°C ~ 200°C
1N4723/TR

1N4723/TR

DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Microchip Technology

7,728
1N4723/TR数据手册 - Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 3A 1 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 25 µA @ 600 V - - - Through Hole Axial -65°C ~ 175°C
F1892D1600

F1892D1600

DIODE GEN PURP 1.6KV 90A MODULE

Sensata-Crydom

5,825
F1892D1600数据手册 - Module Bulk Obsolete Standard 1600 V 90A 1.4 V @ 270 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis Mount Module -
VS-VSKE166/12PBF

VS-VSKE166/12PBF

DIODE GP 1.2KV 165A INT-A-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,943
VS-VSKE166/12PBF数据手册 - INT-A-PAK (3) Bulk Active Standard 1200 V 165A - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 20 mA @ 1200 V - - - Chassis Mount INT-A-PAK -40°C ~ 150°C
JANS1N5616/TR

JANS1N5616/TR

DIODE GEN PURP 400V 1A A AXIAL

Microchip Technology

8,238
JANS1N5616/TR数据手册 - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 400 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 500 nA @ 400 V - Military MIL-PRF-19500/427 Through Hole A, Axial -65°C ~ 200°C
1N3264

1N3264

DIODE GP 250V 160A DO205AB DO9

Powerex Inc.

3,363
1N3264数据手册 - DO-205AB, DO-9, Stud Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 250 V 160A - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 12 mA @ 250 V - - - Chassis, Stud Mount DO-205AB (DO-9) -65°C ~ 175°C
SBR2520

SBR2520

DIODE SCHOTTKY 20V 25A DO4

Microchip Technology

6,102
SBR2520数据手册 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Schottky 20 V 25A 1 V @ 25 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 350 µA @ 20 V - - - Stud Mount DO-4 (DO-203AA) -
SBR2530

SBR2530

DIODE SCHOTTKY 30V 25A DO4

Microchip Technology

2,423
SBR2530数据手册 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Schottky 30 V 25A 1 V @ 25 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 2 mA @ 30 V - - - Stud Mount DO-4 (DO-203AA) -
SBR2535

SBR2535

RECTIFIER

Microchip Technology

7,807
SBR2535数据手册 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Schottky 35 V 30A 580 mV @ 25 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 2 mA @ 35 V - - - Stud Mount DO-4 (DO-203AA) -55°C ~ 150°C
SBR2540

SBR2540

RECTIFIER

Microchip Technology

5,768
SBR2540数据手册 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Schottky 40 V 30A 580 mV @ 25 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 2 mA @ 40 V - - - Stud Mount DO-4 (DO-203AA) -55°C ~ 150°C
SBR2545

SBR2545

RECTIFIER

Microchip Technology

3,419
SBR2545数据手册 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Schottky 45 V 30A 580 mV @ 25 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 2 mA @ 45 V - - - Stud Mount DO-4 (DO-203AA) -55°C ~ 150°C
JANS1N5614US/TR

JANS1N5614US/TR

DIODE GEN PURP 200V 1A A SQ-MELF

Microchip Technology

5,792
JANS1N5614US/TR数据手册 - SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard 200 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs - - Military MIL-PRF-19500/427 Surface Mount A, SQ-MELF -65°C ~ 200°C
VS-VSKE166/14PBF

VS-VSKE166/14PBF

DIODE GP 1.4KV 165A INT-A-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,704
VS-VSKE166/14PBF数据手册 - INT-A-PAK (3) Bulk Active Standard 1400 V 165A - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 20 mA @ 1400 V - - - Chassis Mount INT-A-PAK -40°C ~ 150°C
JAN1N6079

JAN1N6079

DIODE GEN PURP 50V 2A G AXIAL

Microchip Technology

8,143
JAN1N6079数据手册 - G, Axial Bulk Active Standard 50 V 2A 1.5 V @ 37.7 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 10 µA @ 50 V - Military MIL-PRF-19500/503 Through Hole G, Axial -65°C ~ 155°C
JAN1N6080

JAN1N6080

DIODE GEN PURP 100V 2A G AXIAL

Microchip Technology

4,604
JAN1N6080数据手册 - G, Axial Bulk Active Standard 100 V 2A 1.5 V @ 37.7 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 10 µA @ 100 V - Military MIL-PRF-19500/503 Through Hole G, Axial -65°C ~ 155°C
1N6492

1N6492

DIODE SCHOTTKY 45V 3.6A TO205AF

Microchip Technology

4,593
1N6492数据手册 - TO-205AF Metal Can Bulk Active Schottky 45 V 3.6A 680 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 2 mA @ 45 V 450pF @ 5V, 1MHz - - Through Hole TO-205AF (TO-39) -65°C ~ 175°C
1N3879

1N3879

FAST RECOVERY RECTIFIER

Microchip Technology

7,153
1N3879数据手册 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 50 V 6A 1.4 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 15 µA @ 50 V 115pF @ 10V, 1MHz - - Stud Mount DO-4 (DO-203AA) -65°C ~ 175°C
1N3880

1N3880

FAST RECOVERY RECTIFIER

Microchip Technology

3,988
1N3880数据手册 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 100 V 6A 1.4 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 15 µA @ 100 V 115pF @ 10V, 1MHz - - Stud Mount DO-4 (DO-203AA) -65°C ~ 175°C
1N3881

1N3881

FAST RECOVERY RECTIFIER

Microchip Technology

4,480
1N3881数据手册 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 200 V 6A 1.4 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 15 µA @ 200 V 115pF @ 10V, 1MHz - - Stud Mount DO-4 (DO-203AA) -65°C ~ 175°C

分类概览

单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 单个二极管?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

页面上的库存信息是否可以直接采购?

库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

找不到指定型号怎么办?

您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

是否可以提供 Datasheet 和技术资料?

可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

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