单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
1N4148,113

1N4148,113

DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

NXP USA Inc.

4,984
1N4148,113数据手册 - DO-204AH, DO-35, Axial Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key Standard 100 V 200mA 1 V @ 10 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 25 nA @ 20 V 4pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole ALF2 200°C (Max)
1PS74SB23,115

1PS74SB23,115

DIODE SCHOTTKY 25V 1A 6TSOP

NXP USA Inc.

6,000
1PS74SB23,115数据手册 - SC-74, SOT-457 Bulk Active Schottky 25 V 1A 450 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 25 V 100pF @ 4V, 1MHz - - Surface Mount 6-TSOP 125°C (Max)
NUR460/L02,112

NUR460/L02,112

DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD

NXP USA Inc.

5,371
NUR460/L02,112数据手册 - DO-201AD, Axial Tube Obsolete Standard 600 V 4A 1.28 V @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 65 ns 50 µA @ 600 V - - - Through Hole DO-201AD 150°C (Max)
PMEG045V050EPDAZ

PMEG045V050EPDAZ

DIODE SCHOTTKY 45V 5A CFP15

NXP Semiconductors

880,940
PMEG045V050EPDAZ数据手册 - TO-277, 3-PowerDFN Bulk Active Schottky 45 V 5A 490 mV @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 12 ns 300 µA @ 45 V 580pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount CFP15 175°C (Max)
PMEG045T150EPDAZ

PMEG045T150EPDAZ

DIODE SCHOTTKY 45V 15A CFP15

NXP Semiconductors

91,789
PMEG045T150EPDAZ数据手册 - TO-277, 3-PowerDFN Bulk Active Schottky 45 V 15A 550 mV @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 20 ns 100 µA @ 45 V 800pF @ 10V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount CFP15 175°C (Max)
BYW29E-100,127

BYW29E-100,127

DIODE FAST REC 100V 8A TO220AC

NXP USA Inc.

3,200
BYW29E-100,127数据手册 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
BYC8-600,127

BYC8-600,127

DIODE RECT 600V 8A SOT78

NXP USA Inc.

9,401
BYC8-600,127数据手册 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
RHRG5060

RHRG5060

RECTIFIER DIODE, AVALANCHE, 1 PH

NXP USA Inc.

309
RHRG5060数据手册 - TO-247-2 Bulk Active Avalanche 600 V 50A 2.1 V @ 50 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 250 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247-2 -65°C ~ 175°C
BAS32L,115

BAS32L,115

DIODE GEN PURP 75V 200MA LLDS

NXP Semiconductors

2,814,167
BAS32L,115数据手册 - DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 Bulk Active Standard 75 V 200mA 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 5 µA @ 75 V 2pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount LLDS; MiniMelf 200°C (Max)
BAS16,235

BAS16,235

DIODE GP 100V 215MA TO236AB

NXP Semiconductors

1,941,951
BAS16,235数据手册 BAS16 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active Standard 100 V 215mA 1.25 V @ 150 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 4 ns 500 nA @ 80 V 1.5pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-236AB 150°C (Max)
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