单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
GKN130/18

GKN130/18

DIODE GP 1.8KV 165A DO205AA

GeneSiC Semiconductor

4,882
GKN130/18数据手册 - DO-205AA, DO-8, Stud Bulk Active Standard 1800 V 165A 1.5 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 22 mA @ 1800 V - - - Chassis, Stud Mount DO-205AA (DO-8) -55°C ~ 150°C
GKR130/16

GKR130/16

DIODE GP 1.6KV 165A DO205AA

GeneSiC Semiconductor

4,233
GKR130/16数据手册 - DO-205AA, DO-8, Stud Bulk Active Standard 1600 V 165A 1.5 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 22 mA @ 1600 V - - - Chassis, Stud Mount DO-205AA (DO-8) -40°C ~ 180°C
VS-HFA180NH40PBF

VS-HFA180NH40PBF

DIODE GEN PURP 400V 395A D-67

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,518
VS-HFA180NH40PBF数据手册 - D-67 HALF-PAK Bulk Active Standard 400 V 395A 1.8 V @ 360 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 140 ns 4 mA @ 400 V - - - Chassis Mount D-67 HALF-PAK -
1N3649

1N3649

DIODE GEN PURP 800V DO203AA

Microchip Technology

7,895
1N3649数据手册 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 800 V - 2.2 V @ 10 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 800 V - - - Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 150°C
1N3649R

1N3649R

DIODE GEN PURP 800V DO203AA

Microchip Technology

7,920
1N3649R数据手册 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 800 V - 2.2 V @ 10 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 800 V - - - Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 150°C
1N3650

1N3650

DIODE GEN PURP DO203AA

Microchip Technology

5,917
1N3650数据手册 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 1000 V 3.3A 2.2 V @ 10 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 1000 V - - - Stud Mount DO-203AA (DO-4) -
1N3650R

1N3650R

DIODE GEN PURP DO203AA

Microchip Technology

3,827
1N3650R数据手册 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1000 V 3.3A 2.2 V @ 10 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 1000 V - - - Stud Mount DO-203AA (DO-4) -
GKR130/18

GKR130/18

DIODE GP REV 1.8KV 165A DO205AA

GeneSiC Semiconductor

7,381
GKR130/18数据手册 - DO-205AA, DO-8, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1800 V 165A 1.5 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 22 mA @ 1800 V - - - Chassis, Stud Mount DO-205AA (DO-8) -55°C ~ 150°C
1N5331

1N5331

DIODE GEN PURP 1.4KV 22A DO4

Microchip Technology

7,427
1N5331数据手册 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 1400 V 22A 1.2 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 1400 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 200°C
JAN1N5712UB

JAN1N5712UB

DIODE SCHOTTKY UB

Microchip Technology

4,990
JAN1N5712UB数据手册 - 4-SMD, No Lead Bulk Active Schottky - - 1 V @ 35 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - - 2pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/444 Surface Mount UB 150°C (Max)
UES1302/TR

UES1302/TR

DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Microchip Technology

8,670
UES1302/TR数据手册 - Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 100 V 6A 925 mV @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 100 V - - - Through Hole Axial -55°C ~ 175°C
JAN1N5712UB/TR

JAN1N5712UB/TR

SMALL-SIGNAL SCHOTTKY

Microchip Technology

2,380
JAN1N5712UB/TR数据手册 - 3-SMD, No Lead Tape & Reel (TR) Active Schottky 16 V 75mA 1 V @ 35 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 150 nA @ 16 V 2pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/444 Surface Mount UB -65°C ~ 150°C
JANKCE1N5804

JANKCE1N5804

DIODE GEN PURP 100V 1A DIE

Microchip Technology

7,893
JANKCE1N5804数据手册 - Die Tape & Reel (TR) Active Standard 100 V 1A 875 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 100 V 25pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/477 Surface Mount Die -65°C ~ 175°C
JANKCE1N5802

JANKCE1N5802

DIODE GEN PURP 50V 1A DIE

Microchip Technology

6,322
JANKCE1N5802数据手册 - Die Tape & Reel (TR) Active Standard 50 V 1A 875 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 50 V 25pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/477 Surface Mount Die -65°C ~ 175°C
GB50SLT12-247

GB50SLT12-247

DIODE SIL CARB 1.2KV 50A TO247-2

GeneSiC Semiconductor

5,935
GB50SLT12-247数据手册 - TO-247-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 50A 1.8 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 1 mA @ 1200 V 2940pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
JANS1N6643

JANS1N6643

DIODE GEN PURP 50V 300MA D-5D

Microchip Technology

8,706
JANS1N6643数据手册 - SQ-MELF, D Bulk Active Standard 50 V 300mA 1.2 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 6 ns 500 nA @ 150 V 5pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/578 Surface Mount D-5D -65°C ~ 175°C
GATELEAD1110008XPSA1

GATELEAD1110008XPSA1

HIGH POWER THYR / DIO

Infineon Technologies

7,729
GATELEAD1110008XPSA1数据手册 - - Tray Active - - - - - - - - - - - - -
GATELEADMPWHPK1258XXPSA1

GATELEADMPWHPK1258XXPSA1

STD THYR/DIODEN DISC

Infineon Technologies

2,525
GATELEADMPWHPK1258XXPSA1数据手册 - - Tray Active - - - - - - - - - - - - -
GATELEADRD406XPSA1

GATELEADRD406XPSA1

STD THYR/DIODEN DISC

Infineon Technologies

3,440
GATELEADRD406XPSA1数据手册 - - Tray Active - - - - - - - - - - - - -
GATELEADWH406XPSA1

GATELEADWH406XPSA1

STD THYR/DIODEN DISC

Infineon Technologies

7,626
GATELEADWH406XPSA1数据手册 - - Tray Active - - - - - - - - - - - - -

分类概览

单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 单个二极管?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

页面上的库存信息是否可以直接采购?

库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

找不到指定型号怎么办?

您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

是否可以提供 Datasheet 和技术资料?

可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

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