单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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结果
图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
UES1002SM

UES1002SM

DIODE GEN PURP A AXIAL

Microchip Technology

4,567
UES1002SM数据手册 - A, Axial Bulk Active Standard - - 975 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns - - - - Through Hole A, Axial -
UES1003SM

UES1003SM

RECTIFIER

Microchip Technology

9,766
UES1003SM数据手册 - - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
UES1003SM-1

UES1003SM-1

DIODE GEN PURP 1A A SQ-MELF

Microchip Technology

9,133
UES1003SM-1数据手册 - SQ-MELF, A Bulk Active Standard - 1A 975 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 2 µA @ 150 V - - - Surface Mount A, SQ-MELF -55°C ~ 175°C
UES1002SM-1

UES1002SM-1

DIODE GEN PURP 100V 2A A SQ-MELF

Microchip Technology

6,366
UES1002SM-1数据手册 - SQ-MELF, A Bulk Active Standard 100 V 2A 975 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 2 µA @ 100 V - - - Surface Mount A, SQ-MELF -55°C ~ 175°C
UES1001SM

UES1001SM

DIODE GEN PURP 1A A SQ-MELF

Microchip Technology

2,433
UES1001SM数据手册 - SQ-MELF, A Bulk Active Standard - 1A 975 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 2 µA @ 50 V - - - Surface Mount A, SQ-MELF -55°C ~ 175°C
VS-T70HFL40S05

VS-T70HFL40S05

DIODE GEN PURP 400V 70A D-55

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,067
VS-T70HFL40S05数据手册 - D-55 T-Module Bulk Active Standard 400 V 70A - Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 100 µA @ 400 V - - - Chassis Mount D-55 -
VS-T70HFL60S05

VS-T70HFL60S05

DIODE GEN PURP 600V 70A D-55

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,038
VS-T70HFL60S05数据手册 - D-55 T-Module Bulk Active Standard 600 V 70A - Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 100 µA @ 600 V - - - Chassis Mount D-55 -
VS-T70HFL10S10

VS-T70HFL10S10

DIODE GEN PURP 100V 70A D-55

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,986
VS-T70HFL10S10数据手册 - D-55 T-Module Bulk Active Standard 100 V 70A 1.73 V @ 70 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 110 ns 20 mA @ 100 V - - - Chassis Mount D-55 -40°C ~ 125°C
UES1302E3

UES1302E3

DIODE GEN PURP 100V 6A B AXIAL

Microchip Technology

6,819
UES1302E3数据手册 - B, Axial Bulk Active Standard 100 V 6A 925 mV @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 100 V - - - Through Hole B, Axial 175°C
UES1301/TR

UES1301/TR

DIODE GEN PURP 50V 6A B AXIAL

Microchip Technology

7,137
UES1301/TR数据手册 - B, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 50 V 6A 925 mV @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns - - - - Through Hole B, Axial -55°C ~ 175°C
UES1003SM/TR

UES1003SM/TR

RECTIFIER UFR,FRR

Microchip Technology

5,229
UES1003SM/TR数据手册 - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
UES1002SM/TR

UES1002SM/TR

DIODE GEN PURP A AXIAL

Microchip Technology

2,734
UES1002SM/TR数据手册 - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard - - 975 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns - - - - Through Hole A, Axial -
UES1101SME3

UES1101SME3

DIODE GEN PURP 50V 2.5A A AXIAL

Microchip Technology

3,983
UES1101SME3数据手册 - Axial Bulk Active Standard 50 V 2.5A 975 mV @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 2 µA @ 50 V - - - Through Hole A, Axial 175°C
UES1002SM-1/TR

UES1002SM-1/TR

DIODE GEN PURP 100V 2A A SQ-MELF

Microchip Technology

9,712
UES1002SM-1/TR数据手册 - SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard 100 V 2A 975 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 2 µA @ 100 V - - - Surface Mount A, SQ-MELF -55°C ~ 175°C
UES1001SM/TR

UES1001SM/TR

DIODE GEN PURP 1A A SQ-MELF

Microchip Technology

2,615
UES1001SM/TR数据手册 - SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard - 1A 975 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 2 µA @ 50 V - - - Surface Mount A, SQ-MELF -55°C ~ 175°C
UES1003SM-1/TR

UES1003SM-1/TR

DIODE GEN PURP 1A A SQ-MELF

Microchip Technology

5,937
UES1003SM-1/TR数据手册 - SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard - 1A 975 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 2 µA @ 150 V - - - Surface Mount A, SQ-MELF -55°C ~ 175°C
VS-T70HFL80S05

VS-T70HFL80S05

DIODE GEN PURP 800V 70A D-55

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,843
VS-T70HFL80S05数据手册 - D-55 T-Module Bulk Active Standard 800 V 70A - Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 100 µA @ 800 V - - - Chassis Mount D-55 -
VS-T70HFL100S05

VS-T70HFL100S05

DIODE GEN PURP 1KV 70A D-55

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,404
VS-T70HFL100S05数据手册 - D-55 T-Module Bulk Active Standard 1000 V 70A - Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 100 µA @ 1000 V - - - Chassis Mount D-55 -
UES1105

UES1105

DIODE GEN PURP 300V 2A A AXIAL

Microchip Technology

7,490
UES1105数据手册 - A, Axial Bulk Active Standard 300 V 2A 1.25 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns - - - - Through Hole A, Axial -55°C ~ 150°C
UES1301

UES1301

DIODE GEN PURP 50V 6A B AXIAL

Microchip Technology

5,239
UES1301数据手册 - B, Axial Bulk Active Standard 50 V 6A 925 mV @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns - - - - Through Hole B, Axial -55°C ~ 175°C

分类概览

单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 单个二极管?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

页面上的库存信息是否可以直接采购?

库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

找不到指定型号怎么办?

您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

是否可以提供 Datasheet 和技术资料?

可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

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