单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
MBR7545R

MBR7545R

DIODE SCHOTTKY REV 45V 75A DO5

GeneSiC Semiconductor

7,926
MBR7545R数据手册 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Schottky, Reverse Polarity 45 V 75A 650 mV @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 45 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -55°C ~ 150°C
MBR7560R

MBR7560R

DIODE SCHOTTKY REV 60V 75A DO5

GeneSiC Semiconductor

2,088
MBR7560R数据手册 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Schottky, Reverse Polarity 60 V 75A 750 mV @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 60 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -55°C ~ 150°C
MBR7580R

MBR7580R

DIODE SCHOTTKY REV 80V 75A DO5

GeneSiC Semiconductor

8,662
MBR7580R数据手册 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Schottky, Reverse Polarity 80 V 75A 840 mV @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 80 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -55°C ~ 150°C
UES1106E3

UES1106E3

RECTIFIER

Microchip Technology

3,048
UES1106E3数据手册 - - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
VS-86HF80M

VS-86HF80M

DIODE GP REV 800V 85A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,256
VS-86HF80M数据手册 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 800 V 85A 1.2 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 180°C
VS-86HFR80M

VS-86HFR80M

DIODE GP REV 800V 85A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,134
VS-86HFR80M数据手册 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 800 V 85A 1.2 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 180°C
UES1102

UES1102

DIODE GEN PURP 100V 2A A AXIAL

Microchip Technology

5,904
UES1102数据手册 - A, Axial Bulk Active Standard 100 V 2A 975 mV @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 2 µA @ 100 V - - - Through Hole A, Axial -55°C ~ 175°C
VS-T40HFL60S02

VS-T40HFL60S02

DIODE GEN PURP 600V 40A D-55

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,120
VS-T40HFL60S02数据手册 - D-55 T-Module Bulk Active Standard 600 V 40A - Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 100 µA @ 600 V - - - Chassis Mount D-55 -
1N6076

1N6076

DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL

Microchip Technology

8,886
1N6076数据手册 - A, Axial Bulk Active Standard 50 V 1.3A 1.76 V @ 18.8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 50 V - - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 155°C
1N6077

1N6077

DIODE GEN PURP 100V 1.3A AXIAL

Microchip Technology

6,073
1N6077数据手册 - A, Axial Bulk Active Standard 100 V 1.3A 1.76 V @ 18.8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 100 V - - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 155°C
1N4500

1N4500

DIODE GEN PURP DO35

Microchip Technology

9,707
1N4500数据手册 - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard - - 1.1 V @ 300 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 6 ns - - - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
GATELEAD28133HPSA1

GATELEAD28133HPSA1

ACCY GATE LEAD FOR MODULE

Infineon Technologies

4,316
GATELEAD28133HPSA1数据手册 * - Tray Active - - - - - - - - - - - - -
UES1106/TR

UES1106/TR

DIODE GEN PURP 400V 1A

Microchip Technology

6,461
UES1106/TR数据手册 - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 400 V 1A 1.25 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 400 V - - - Through Hole A, Axial -55°C ~ 150°C
VS-T40HF120

VS-T40HF120

DIODE GEN PURP 1.2KV 40A D-55

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,357
VS-T40HF120数据手册 - D-55 T-Module Bulk Active Standard 1200 V 40A - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 15 mA @ 1200 V - - - Chassis Mount D-55 -
PCFFS50120AF

PCFFS50120AF

DIODE SIL CARB 1.2KV WAFER DIE

onsemi

9,404
PCFFS50120AF数据手册 - Die Tray Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 50A 1.75 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V - - - Surface Mount Die 175°C (Max)
UES1106E3/TR

UES1106E3/TR

RECTIFIER UFR,FRR

Microchip Technology

8,948
UES1106E3/TR数据手册 - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
JANTXV1N6626

JANTXV1N6626

DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL

Microchip Technology

6,529
JANTXV1N6626数据手册 - E, Axial Bulk Active Standard 220 V 1.75A 1.35 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 2 µA @ 220 V 40pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/590 Through Hole - -65°C ~ 150°C
VS-240NQ045PBF

VS-240NQ045PBF

DIODE SCHOTTKY 45V 240A D-67

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,801
VS-240NQ045PBF数据手册 - D-67 HALF-PAK Bulk Active Schottky 45 V 240A 720 mV @ 240 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 20 mA @ 45 V 14800pF @ 5V, 1MHz - - Chassis Mount D-67 HALF-PAK -
MBR80100R

MBR80100R

DIODE SCHOTTKY REV 100V 80A DO5

GeneSiC Semiconductor

5,418
MBR80100R数据手册 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Schottky, Reverse Polarity 100 V 80A 840 mV @ 80 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 5 mA @ 20 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 150°C
MBR8020R

MBR8020R

DIODE SCHOTTKY REV 20V 80A DO5

GeneSiC Semiconductor

5,688
MBR8020R数据手册 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Schottky, Reverse Polarity 20 V 80A 750 mV @ 80 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 20 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -55°C ~ 150°C

分类概览

单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 单个二极管?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

页面上的库存信息是否可以直接采购?

库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

找不到指定型号怎么办?

您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

是否可以提供 Datasheet 和技术资料?

可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

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