单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
JANTXV1N5416

JANTXV1N5416

DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Microchip Technology

4,257
JANTXV1N5416数据手册 - B, Axial Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 100 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 1 µA @ 100 V - Military MIL-PRF-19500/411 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
JANTXV1N5614US/TR

JANTXV1N5614US/TR

DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Microchip Technology

4,552
JANTXV1N5614US/TR数据手册 - SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard 200 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 500 nA @ 200 V - Military MIL-PRF-19500/427 Surface Mount D-5A -65°C ~ 200°C
VS-86HF40

VS-86HF40

DIODE GEN PURP 400V 85A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,988
VS-86HF40数据手册 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 400 V 85A 1.2 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 9 mA @ 400 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 180°C
VS-86HFR40

VS-86HFR40

DIODE GP REV 400V 85A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,285
VS-86HFR40数据手册 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 400 V 85A 1.2 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 9 mA @ 400 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 180°C
VS-85HFR140

VS-85HFR140

DIODE GEN PURP 1.4KV 85A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,463
VS-85HFR140数据手册 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1400 V 85A 1.4 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 4.5 mA @ 1400 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 150°C
1N5804USE3/TR

1N5804USE3/TR

DIODE GEN PURP 100V 1A A SQ-MELF

Microchip Technology

2,458
1N5804USE3/TR数据手册 - SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard 100 V 1A 875 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 100 V 25pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount A, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
JAN1N5711UR-1

JAN1N5711UR-1

DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO213AA

Microchip Technology

3,902
JAN1N5711UR-1数据手册 - DO-213AA Bulk Active Schottky 70 V 33mA 1 V @ 15 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 200 nA @ 50 V 2pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/444 Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 150°C
SIC10120PTA-BP

SIC10120PTA-BP

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247AD

Micro Commercial Co

2,135
SIC10120PTA-BP数据手册 - TO-247-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 2 µA @ 1200 V 750pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
120NQ040

120NQ040

DIODE SCHOTTKY 40V 120A D-67

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,970
120NQ040数据手册 - D-67 HALF-PAK Bulk Obsolete Schottky 40 V 120A 570 mV @ 120 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 10 mA @ 40 V 5200pF @ 5V, 1MHz - - Chassis Mount D-67 HALF-PAK -
JANTX1N5621US

JANTX1N5621US

DIODE GEN PURP 800V 1A D-5A

Microchip Technology

8,446
JANTX1N5621US数据手册 - SQ-MELF, A Bulk Active Standard 800 V 1A 1.6 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 500 nA @ 800 V 20pF @ 12V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/429 Surface Mount D-5A -65°C ~ 175°C
JANTX1N5623

JANTX1N5623

DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Microchip Technology

9,322
JANTX1N5623数据手册 - A, Axial Bulk Active Standard 1000 V 1A 1.6 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 500 nA @ 1000 V 15pF @ 12V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/429 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
DSAI17-16A

DSAI17-16A

DIODE AVAL 1.6KV 25A DO203AA

IXYS

3,272
DSAI17-16A数据手册 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Obsolete Avalanche 1600 V 25A 1.36 V @ 55 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 4 mA @ 1600 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AA -40°C ~ 180°C
DSA17-16A

DSA17-16A

DIODE AVAL 1.6KV 25A DO203AA

IXYS

2,394
DSA17-16A数据手册 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Obsolete Avalanche 1600 V 25A 1.36 V @ 55 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 4 mA @ 1600 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AA -40°C ~ 180°C
JANTXV1N5415

JANTXV1N5415

DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Microchip Technology

8,157
JANTXV1N5415数据手册 - B, Axial Bulk Active Standard 50 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 1 µA @ 50 V - Military MIL-PRF-19500/411 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
JANTX1N5807US/TR

JANTX1N5807US/TR

DIODE GEN PURP 50V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

7,601
JANTX1N5807US/TR数据手册 - SQ-MELF, B Tape & Reel (TR) Active Standard 50 V 3A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 50 V 60pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/477 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
JAN1N6639US/TR

JAN1N6639US/TR

SIGNAL OR COMPUTER DIODE

Microchip Technology

3,534
JAN1N6639US/TR数据手册 - SQ-MELF, D Tape & Reel (TR) Active Standard 75 V 300mA 1.2 V @ 500 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 4 ns 100 nA @ 75 V - Military MIL-PRF-19500/609 Surface Mount D-5D -65°C ~ 175°C
VS-40HFL100S05

VS-40HFL100S05

DIODE GEN PURP 1KV 40A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,867
VS-40HFL100S05数据手册 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 1000 V 40A 1.95 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 100 µA @ 1000 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -40°C ~ 125°C
JANTXV1N6638US/TR

JANTXV1N6638US/TR

DIODE GP 125V 300MA B SQ-MELF

Microchip Technology

7,736
JANTXV1N6638US/TR数据手册 - SQ-MELF, B Tape & Reel (TR) Active Standard 125 V 300mA 1.1 V @ 200 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 4.5 ns - - Military MIL-PRF-19500/578 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
JANTXV1N6638U/TR

JANTXV1N6638U/TR

DIODE GP 150V 300MA SQ-MELF

Microchip Technology

2,080
JANTXV1N6638U/TR数据手册 - SQ-MELF, B Tape & Reel (TR) Active Standard 150 V 300mA 1.1 V @ 200 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 4.5 ns 500 nA @ 125 V 2pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/578 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 200°C
DPF30P600HR

DPF30P600HR

DIODE GEN PURP 600V 30A ISO247

IXYS

9,191
DPF30P600HR数据手册 - TO-247-3 Tube Active Standard 600 V 30A 1.62 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 500 µA @ 600 V 26pF @ 400V, 1MHz - - Through Hole ISO247 -55°C ~ 175°C

分类概览

单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 单个二极管?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

页面上的库存信息是否可以直接采购?

库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

找不到指定型号怎么办?

您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

是否可以提供 Datasheet 和技术资料?

可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

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