单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
UTR62

UTR62

DIODE GEN PURP 600V 2A A AXIAL

Microchip Technology

2,118
UTR62数据手册 - A, Axial Bulk Active Standard 600 V 2A 1.1 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns 3 µA @ 600 V 40pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
JANTX1N5419

JANTX1N5419

DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL

Microchip Technology

9,180
JANTX1N5419数据手册 - B, Axial Bulk Active Standard 500 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 1 µA @ 500 V - Military MIL-PRF-19500/411 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
LSIC2SD120D10

LSIC2SD120D10

DIODE SIL CARB 1.2KV 28A TO263L

Littelfuse Inc.

5,546
LSIC2SD120D10数据手册 Gen2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 28A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 1200 V 582pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2L -55°C ~ 175°C
JAN1N5420/TR

JAN1N5420/TR

DIODE GEN PURP 600V 3A B AXIAL

Microchip Technology

6,191
JAN1N5420/TR数据手册 - B, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns 1 µA @ 600 V - Military MIL-PRF-19500/411 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
WBST080SCM120CGALW

WBST080SCM120CGALW

WBST080SCM120CGAL/NAU000/NO MARK

WeEn Semiconductors

4,318
WBST080SCM120CGALW数据手册 - - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
LSIC2SD065C16A

LSIC2SD065C16A

DIODE SIL CARB 650V 38A TO252

Littelfuse Inc.

9,017
LSIC2SD065C16A数据手册 Gen2 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 38A 1.8 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 730pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
80EPF12

80EPF12

DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,130
80EPF12数据手册 - TO-247-3 Tube Obsolete Standard 1200 V 80A 1.35 V @ 80 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 480 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AC -65°C ~ 175°C
JANTXV1N5417/TR

JANTXV1N5417/TR

DIODE GEN PURP 200V 3A

Microchip Technology

9,598
JANTXV1N5417/TR数据手册 - B, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 200 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 1 µA @ 200 V - Military MIL-PRF-19500/411 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
121NQ040

121NQ040

DIODE SCHOTTKY 40V 120A D-67

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,604
121NQ040数据手册 - D-67 HALF-PAK Bulk Obsolete Schottky 40 V 120A 650 mV @ 120 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 10 mA @ 40 V 5200pF @ 5V, 1MHz - - Chassis Mount D-67 HALF-PAK -
AIDW40S65C5XKSA1

AIDW40S65C5XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 40A TO247-3

Infineon Technologies

3,227
AIDW40S65C5XKSA1数据手册 CoolSiC™ TO-247-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 40A 1.7 V @ 40 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 120 µA @ 650 V 1138pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q100/101 Through Hole PG-TO247-3-41 -40°C ~ 175°C
CDLL5819E3/TR

CDLL5819E3/TR

DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Microchip Technology

3,322
CDLL5819E3/TR数据手册 - DO-213AB, MELF (Glass) Tape & Reel (TR) Active Schottky 45 V 1A 490 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 45 V 70pF @ 5V, 1MHz - - Surface Mount DO-213AB -65°C ~ 125°C
JANTX1N5419/TR

JANTX1N5419/TR

DIODE GEN PURP 500V 3A

Microchip Technology

4,929
JANTX1N5419/TR数据手册 - B, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 500 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 1 µA @ 500 V - Military MIL-PRF-19500/411 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
UT252

UT252

DIODE GEN PURP 200V 1A A AXIAL

Microchip Technology

4,679
UT252数据手册 - A, Axial Bulk Active Standard 200 V 1A 1 V @ 750 mA Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 2 µA @ 200 V - - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
JAN1N5417US

JAN1N5417US

DIODE GEN PURP 200V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

6,610
JAN1N5417US数据手册 - SQ-MELF, B Bulk Active Standard 200 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 1 µA @ 200 V - Military MIL-PRF-19500/411 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
JANTXV1N4248/TR

JANTXV1N4248/TR

DIODE GEN PURP 800V 1A

Microchip Technology

9,011
JANTXV1N4248/TR数据手册 - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 800 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 5 µs 1 µA @ 800 V - Military MIL-PRF-19500/286 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
GB10SLT12-220

GB10SLT12-220

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2

GeneSiC Semiconductor

7,227
GB10SLT12-220数据手册 - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 1200 V 520pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
CN5179 BK TIN/LEAD

CN5179 BK TIN/LEAD

DIODE GEN PURP 20V DO35

Central Semiconductor Corp

7,101
CN5179 BK TIN/LEAD数据手册 - DO-204AH, DO-35, Axial Box Obsolete Standard 20 V - 3.7 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 10 µA @ 20 V - - - Through Hole DO-35 -65°C ~ 150°C
JANTX1N5614US

JANTX1N5614US

DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Microchip Technology

3,826
JANTX1N5614US数据手册 - SQ-MELF, A Bulk Active Standard 200 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 500 nA @ 200 V - Military MIL-PRF-19500/437 Surface Mount D-5A -65°C ~ 200°C
SIC20120B-BP

SIC20120B-BP

Interface

Micro Commercial Co

3,825
SIC20120B-BP数据手册 - TO-220-2 Bulk Last Time Buy SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
VS-86HF80

VS-86HF80

DIODE GEN PURP 800V 85A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,650
VS-86HF80数据手册 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 800 V 85A 1.2 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 9 mA @ 800 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 180°C

分类概览

单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 单个二极管?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

页面上的库存信息是否可以直接采购?

库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

找不到指定型号怎么办?

您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

是否可以提供 Datasheet 和技术资料?

可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

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