单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

全部重置
全部应用
结果
图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
1N5186

1N5186

DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Microchip Technology

4,700
1N5186数据手册 - B, Axial Bulk Active Standard 100 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 2 µA @ 100 V - - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
1N5187

1N5187

DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Microchip Technology

6,209
1N5187数据手册 - B, Axial Bulk Active Standard 200 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 2 µA @ 200 V - - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
1N5188

1N5188

DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Microchip Technology

6,946
1N5188数据手册 - B, Axial Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 400 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 2 µA @ 400 V - - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
1N5189

1N5189

DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL

Microchip Technology

6,102
1N5189数据手册 - B, Axial Bulk Active Standard 500 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns 2 µA @ 500 V - - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
1N5190

1N5190

DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Microchip Technology

7,674
1N5190数据手册 - B, Axial Bulk Active Standard 600 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns 2 µA @ 600 V - - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
1N5194

1N5194

DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35

Microchip Technology

2,066
1N5194数据手册 - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 70 V 200mA 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 25 nA @ 70 V - - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
1N5195

1N5195

DIODE GEN PURP 180V 200MA DO35

Microchip Technology

9,305
1N5195数据手册 - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 180 V 200mA 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 25 nA @ 180 V - - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
1N5195UR

1N5195UR

DIODE GP 180V 200MA DO213AA

Microchip Technology

6,330
1N5195UR数据手册 - DO-213AA Bulk Active Standard 180 V 200mA 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 25 nA @ 180 V - - - Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 175°C
1N5196

1N5196

DIODE GEN PURP 225V 200MA DO35

Microchip Technology

9,736
1N5196数据手册 - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 225 V 200mA 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 25 nA @ 225 V - - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
1N5420E3

1N5420E3

DIODE GEN PURP 600V 3A B AXIAL

Microchip Technology

3,691
1N5420E3数据手册 - B, Axial Bulk Active Standard 600 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns - - - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
JANTXV1N3600

JANTXV1N3600

DIODE 50V 200MA DO7

Microchip Technology

3,245
JANTXV1N3600数据手册 - DO-204AA, DO-7, Axial Bulk Active - 50 V 200mA 1 V @ 200 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 100 nA @ 50 V - Military MIL-PRF-19500/231 Through Hole DO-7 -65°C ~ 175°C
JAN1N5617US/TR

JAN1N5617US/TR

DIODE GEN PURP 400V 1A D-5A

Microchip Technology

3,156
JAN1N5617US/TR数据手册 - SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard 400 V 1A 1.6 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 500 nA @ 400 V - Military MIL-PRF-19500/429 Surface Mount D-5A -65°C ~ 175°C
1N5420/TR

1N5420/TR

DIODE GEN PURP 600V 3A B AXIAL

Microchip Technology

4,042
1N5420/TR数据手册 - B, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns 1 µA @ 600 V - - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
1N6620/TR

1N6620/TR

DIODE GEN PURP 220V 1.2A

Microchip Technology

8,744
1N6620/TR数据手册 - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 220 V 1.2A 1.4 V @ 1.2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 500 nA @ 220 V 10pF @ 10V, 1MHz - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 150°C
1N6620E3

1N6620E3

DIODE GEN PURP 200V 1.2A A AXIAL

Microchip Technology

5,594
1N6620E3数据手册 - Axial Bulk Active Standard 200 V 1.2A 1.4 V @ 1.2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 500 nA @ 200 V - - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 150°C
JANTXV1N5620/TR

JANTXV1N5620/TR

DIODE GEN PURP 800V 1A

Microchip Technology

7,740
JANTXV1N5620/TR数据手册 - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 800 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 500 nA @ 800 V - Military MIL-PRF-19500/427 Through Hole A, Axial -65°C ~ 200°C
VS-72HFLR60S02

VS-72HFLR60S02

DIODE GP REV 600V 70A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,916
VS-72HFLR60S02数据手册 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 600 V 70A 1.35 V @ 220 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 180°C
1N6858-1

1N6858-1

SCHOTTKY RECTIFIER

Microchip Technology

2,360
1N6858-1数据手册 - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Schottky 70 V 75mA 650 mV @ 15 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 200 nA @ 50 V 4.5pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 150°C
CD5820

CD5820

DIODE SCHOTTKY 20V 3A DIE

Microchip Technology

6,056
CD5820数据手册 - Die Tape & Reel (TR) Active Schottky 20 V 3A 550 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 20 V - - - Surface Mount Die -65°C ~ 125°C
S40Y

S40Y

DIODE GEN PURP 1.6KV 40A DO5

GeneSiC Semiconductor

5,198
S40Y数据手册 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 1600 V 40A 1.1 V @ 40 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 160°C

分类概览

单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 单个二极管?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

页面上的库存信息是否可以直接采购?

库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

找不到指定型号怎么办?

您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

是否可以提供 Datasheet 和技术资料?

可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

萬通电子有限公司

搜索

萬通电子有限公司

产品

萬通电子有限公司

电话

萬通电子有限公司

用户

萬通电子有限公司 萬通电子有限公司 萬通电子有限公司
WHATSAPP

+86 13760362468

萬通电子有限公司