单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
JANTX1N5807

JANTX1N5807

DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Microchip Technology

6,359
JANTX1N5807数据手册 - B, Axial Bulk Active Standard 50 V 3A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 50 V 60pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/477 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
JANTX1N5711-1/TR

JANTX1N5711-1/TR

DIODE SCHOTTKY 50V 33MA DO35

Microchip Technology

4,418
JANTX1N5711-1/TR数据手册 - DO-204AH, DO-35, Axial Tape & Reel (TR) Active Schottky 50 V 33mA 1 V @ 15 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 200 nA @ 50 V 2pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/444 Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 150°C
JANTX1N5806US/TR

JANTX1N5806US/TR

DIODE GEN PURP 150V 1A D-5A

Microchip Technology

9,012
JANTX1N5806US/TR数据手册 - SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard 150 V 1A 975 mV @ 2.5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 150 V 25pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/477 Surface Mount D-5A -65°C ~ 175°C
JANTX1N5417/TR

JANTX1N5417/TR

DIODE GEN PURP 200V 3A

Microchip Technology

5,809
JANTX1N5417/TR数据手册 - B, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 200 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 1 µA @ 200 V - Military MIL-PRF-19500/411 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
JANTX1N5416/TR

JANTX1N5416/TR

DIODE GEN PURP 100V 3A

Microchip Technology

8,008
JANTX1N5416/TR数据手册 - B, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 100 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 1 µA @ 100 V - Military MIL-PRF-19500/411 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
1N6661/TR

1N6661/TR

DIODE GEN PURP 225V 500MA DO35

Microchip Technology

4,612
1N6661/TR数据手册 - DO-204AH, DO-35, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 225 V 500mA 1 V @ 400 mA Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 nA @ 225 V - - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
VS-41HFR100

VS-41HFR100

DIODE GP REV 1KV 40A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,038
VS-41HFR100数据手册 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1000 V 40A 1.3 V @ 125 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 9 mA @ 1000 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 190°C
JAN1N5553

JAN1N5553

DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Microchip Technology

9,356
JAN1N5553数据手册 - B, Axial Bulk Active Standard 800 V 3A 1.3 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 800 V - Military MIL-PRF-19500/420 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
JAN1N5554

JAN1N5554

DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

Microchip Technology

5,666
JAN1N5554数据手册 - B, Axial Bulk Active Standard 1000 V 3A 1.3 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 1000 V - Military MIL-PRF-19500/420 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
1N5552US

1N5552US

DIODE GEN PURP 600V 3A D-5B

Microchip Technology

6,263
1N5552US数据手册 - SQ-MELF, E Bulk Active Standard 600 V 3A 1.2 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 600 V - - - Surface Mount D-5B -65°C ~ 175°C
1N6639

1N6639

DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35

Microchip Technology

4,317
1N6639数据手册 - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 75 V 300mA 1.2 V @ 500 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 4 ns - - - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
1N6640

1N6640

DIODE GEN PURPOSE

Microchip Technology

8,798
1N6640数据手册 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
1N5623E3/TR

1N5623E3/TR

STD RECTIFIER

Microchip Technology

5,041
1N5623E3/TR数据手册 - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
VS-88HF40

VS-88HF40

DIODE GEN PURP 400V 85A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,808
VS-88HF40数据手册 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 400 V 85A 1.2 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 180°C
VS-88HFR40

VS-88HFR40

DIODE GP REV 400V 85A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,917
VS-88HFR40数据手册 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 400 V 85A 1.2 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 180°C
JANTX1N6643US

JANTX1N6643US

DIODE GEN PURP 125V 300MA D-5D

Microchip Technology

2,162
JANTX1N6643US数据手册 - SQ-MELF, D Bulk Active Standard 125 V 300mA 1.2 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 6 ns 50 nA @ 20 V 5pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/578 Surface Mount D-5D -65°C ~ 175°C
JANTX1N6643U

JANTX1N6643U

DIODE GEN PURP 50V 300MA D-5B

Microchip Technology

4,059
JANTX1N6643U数据手册 - SQ-MELF, E Bulk Active Standard 50 V 300mA 1.2 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 20 ns 500 nA @ 50 V - Military MIL-PRF-19500/578 Surface Mount D-5B -65°C ~ 175°C
DGS10-018A

DGS10-018A

DIODE SCHOTTKY 180V 15A TO220AC

IXYS

3,809
DGS10-018A数据手册 - TO-220-2 Tube Obsolete Schottky 180 V 15A 1.1 V @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1.3 mA @ 180 V - - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
DGS10-025A

DGS10-025A

DIODE SCHOTTKY 250V 12A TO220AC

IXYS

4,871
DGS10-025A数据手册 - TO-220-2 Tube Obsolete Schottky 250 V 12A 1.5 V @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1.3 mA @ 250 V - - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
DGS10-030A

DGS10-030A

DIODE SCHOTTKY 300V 11A TO220AC

IXYS

2,927
DGS10-030A数据手册 - TO-220-2 Tube Obsolete Schottky 300 V 11A 2 V @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1.3 mA @ 300 V - - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C

分类概览

单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 单个二极管?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

页面上的库存信息是否可以直接采购?

库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

找不到指定型号怎么办?

您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

是否可以提供 Datasheet 和技术资料?

可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

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