单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
HFA25PB60

HFA25PB60

DIODE GP 600V 25A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,225
HFA25PB60数据手册 HEXFRED® TO-247-2 Tube Obsolete Standard 600 V 25A 1.7 V @ 25 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 20 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -55°C ~ 150°C
JAN1N6638

JAN1N6638

DIODE GEN PURP 150V 300MA AXIAL

Microchip Technology

2,367
JAN1N6638数据手册 - D, Axial Bulk Active Standard 150 V 300mA 1.1 V @ 200 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 20 ns 500 nA @ 150 V 2.5pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/578 Through Hole D-5D -65°C ~ 175°C
CDLL645/TR

CDLL645/TR

DIODE GP 225V 400MA DO213AA

Microchip Technology

3,163
CDLL645/TR数据手册 - DO-213AA Tape & Reel (TR) Active Standard 225 V 400mA 1 V @ 400 mA Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 nA @ 225 V - - - Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 175°C
80EPF10

80EPF10

DIODE GEN PURP 1KV 80A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,716
80EPF10数据手册 - TO-247-3 Tube Obsolete Standard 1000 V 80A 1.35 V @ 80 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 480 ns 100 µA @ 1000 V - - - Through Hole TO-247AC -65°C ~ 175°C
5099

5099

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Adafruit Industries LLC

6,088
5099数据手册 - SOD-123 Bulk Active Standard 75 V 150mA 1.2 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 100 µA @ 100 V - - - Surface Mount SOD-123 150°C
1N459AUR

1N459AUR

DIODE GP 200V 150MA DO213AA

Microchip Technology

8,293
1N459AUR数据手册 - DO-213AA Bulk Active Standard 200 V 150mA 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 1 µA @ 200 V - - - Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 150°C
GC10MPS12-252

GC10MPS12-252

DIODE SIL CARB 1.2KV 50A TO252-2

GeneSiC Semiconductor

5,200
GC10MPS12-252数据手册 SiC Schottky MPS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 50A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 1200 V 660pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
VS-60APF02-M3

VS-60APF02-M3

DIODE GEN PURP 200V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,124
VS-60APF02-M3数据手册 - TO-247-3 Tube Active Standard 200 V 60A 1.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 180 ns 100 µA @ 200 V - - - Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
VS-60APF04-M3

VS-60APF04-M3

DIODE GEN PURP 400V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,021
VS-60APF04-M3数据手册 - TO-247-3 Tube Active Standard 400 V 60A 1.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 180 ns 100 µA @ 400 V - - - Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
VS-60APF06-M3

VS-60APF06-M3

DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,732
VS-60APF06-M3数据手册 - TO-247-3 Tube Active Standard 600 V 60A 1.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 180 ns 100 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
VS-60APF10-M3

VS-60APF10-M3

DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,598
VS-60APF10-M3数据手册 - TO-247-3 Tube Active Standard 1000 V 60A 1.4 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 480 ns 100 µA @ 1000 V - - - Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
VS-60EPF02-M3

VS-60EPF02-M3

DIODE GP 200V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,795
VS-60EPF02-M3数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 200 V 60A 1.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 180 ns 100 µA @ 200 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
VS-60EPF04-M3

VS-60EPF04-M3

DIODE GP 400V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,180
VS-60EPF04-M3数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 400 V 60A 1.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 180 ns 100 µA @ 400 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
VS-60EPF10-M3

VS-60EPF10-M3

DIODE GP 1KV 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,514
VS-60EPF10-M3数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 1000 V 60A 1.4 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 480 ns 100 µA @ 1000 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
60EPF06

60EPF06

DIODE GP 600V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,034
60EPF06数据手册 - TO-247-2 Tube Obsolete Standard 600 V 60A 1.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 180 ns 100 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
BYT30PI-1000RG

BYT30PI-1000RG

DIODE GEN PURP 1KV 30A DOP3I

STMicroelectronics

4,625
BYT30PI-1000RG数据手册 - DOP3I-2 Insulated (Straight Leads) Tube Obsolete Standard 1000 V 30A 1.9 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 165 ns 100 µA @ 1000 V - - - Through Hole DOP3I -40°C ~ 150°C
JAN1N4946

JAN1N4946

DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Microchip Technology

2,026
JAN1N4946数据手册 - A, Axial Bulk Active Standard 600 V 1A 1.3 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 1 µA @ 600 V - Military MIL-PRF-19500/360 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
1N6643

1N6643

DIODE GEN PURPOSE

Microchip Technology

2,257
1N6643数据手册 - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 50 V 300mA 1.2 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 6 ns 500 nA @ 50 V 5pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
JAN1N5621/TR

JAN1N5621/TR

DIODE GEN PURP 800V 1A

Microchip Technology

3,206
JAN1N5621/TR数据手册 - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 800 V 1A 1.6 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns 500 nA @ 800 V - Military MIL-PRF-19500/429 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
VS-97PF120

VS-97PF120

DIODE GEN PURP 1.2KV 95A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,258
VS-97PF120数据手册 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 1200 V 95A 1.4 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -55°C ~ 180°C

分类概览

单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 单个二极管?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

页面上的库存信息是否可以直接采购?

库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

找不到指定型号怎么办?

您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

是否可以提供 Datasheet 和技术资料?

可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

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