单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
APT15DQ120KG

APT15DQ120KG

DIODE GP 1.2KV 15A TO220

Microchip Technology

718
APT15DQ120KG数据手册 - TO-220-2 Tube Active Standard 1200 V 15A 3.3 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 240 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
APT15D60KG

APT15D60KG

DIODE GP 600V 15A TO220

Microchip Technology

88
APT15D60KG数据手册 - TO-220-2 Tube Active Standard 600 V 15A 1.8 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 80 ns 250 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
MSC010SDA070K

MSC010SDA070K

DIODE SIL CARB 700V 10A TO220-2

Microchip Technology

55
MSC010SDA070K数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 700 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - - - - Through Hole TO-220-2 -
JANTX1N6638

JANTX1N6638

DIODE GEN PURP 125V 300MA D5B

Microchip Technology

80
JANTX1N6638数据手册 - D, Axial Bulk Active Standard 125 V 300mA 1.1 V @ 200 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 20 ns 500 nA @ 125 V - Military MIL-PRF-19500/578 Through Hole D-5D -65°C ~ 175°C
JANTX1N5418

JANTX1N5418

DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Microchip Technology

75
JANTX1N5418数据手册 - B, Axial Bulk Active Standard 400 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 1 µA @ 400 V - Military MIL-PRF-19500/411 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
JANTX1N5550

JANTX1N5550

DIODE GEN PURP 200V 5A AXIAL

Microchip Technology

83
JANTX1N5550数据手册 - B, Axial Bulk Active Standard 200 V 5A 1.2 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 200 V - Military MIL-PRF-19500/420 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
JANTX1N5553

JANTX1N5553

DIODE GEN PURP 800V 5A AXIAL

Microchip Technology

91
JANTX1N5553数据手册 - B, Axial Bulk Active Standard 800 V 5A 1.3 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 800 V - Military MIL-PRF-19500/420 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
APT100D60B2G

APT100D60B2G

DIODE GEN PURP 600V 100A TO247

Microchip Technology

46
APT100D60B2G数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 100A - - - - - - - Through Hole TO-247 -
MSC020SDA120B

MSC020SDA120B

DIODE SIL CARB 1.2KV 49A TO247

Microchip Technology

37
MSC020SDA120B数据手册 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 49A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1130pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247 -55°C ~ 175°C
MSC050SDA070B

MSC050SDA070B

DIODE SIL CARBIDE 700V 50A TO247

Microchip Technology

59
MSC050SDA070B数据手册 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 700 V 50A 1.5 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - - - - Through Hole TO-247 -
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