单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
HSM8100JE3/TR13

HSM8100JE3/TR13

DIODE SCHOTTKY 100V 8A DO214AB

Microchip Technology

4,053
HSM8100JE3/TR13数据手册 - DO-214AB, SMC Tape & Reel (TR) Active Schottky 100 V 8A 780 mV @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 500 µA @ 100 V - - - Surface Mount DO-214AB -55°C ~ 175°C
1N4148UR-1/TR

1N4148UR-1/TR

DIODE GEN PURP 75V 200MA DO213AA

Microchip Technology

631
1N4148UR-1/TR数据手册 - DO-213AA Tape & Reel (TR) Active Standard 75 V 200mA 1.2 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 20 ns 500 nA @ 75 V 4pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 175°C
1N647-1

1N647-1

DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35

Microchip Technology

1,458
1N647-1数据手册 - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 400 V 400mA 1 V @ 400 mA Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 nA @ 400 V - - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
1N645-1

1N645-1

DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35

Microchip Technology

5,655
1N645-1数据手册 - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 225 V 400mA 1 V @ 400 mA Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 nA @ 225 V - - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
APT30D60BG

APT30D60BG

DIODE GP 600V 30A TO247

Microchip Technology

1,897
APT30D60BG数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 30A 1.8 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 85 ns 250 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247 [B] -55°C ~ 175°C
1N649-1

1N649-1

DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35

Microchip Technology

1,065
1N649-1数据手册 - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 600 V 400mA 1 V @ 400 mA Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 nA @ 600 V - - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
APT75DQ60BG

APT75DQ60BG

DIODE GP 600V 75A TO247

Microchip Technology

22,922
APT75DQ60BG数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 75A 2.5 V @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 31 ns 25 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247 [B] -55°C ~ 175°C
JANTXV1N4148UR-1

JANTXV1N4148UR-1

DIODE GEN PURP 75V 200MA DO213AA

Microchip Technology

7,199
JANTXV1N4148UR-1数据手册 - DO-213AA Bulk Active Standard 75 V 200mA 1.2 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 20 ns 25 nA @ 20 V 4pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/116 Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 175°C
APT75DQ120BG

APT75DQ120BG

DIODE GP 1.2KV 75A TO247

Microchip Technology

3,293
APT75DQ120BG数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 75A 3.1 V @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 325 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247 [B] -55°C ~ 175°C
APT60D60BG

APT60D60BG

DIODE GP 600V 60A TO247

Microchip Technology

1,014
APT60D60BG数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 60A 1.8 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 130 ns 250 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247 [B] -55°C ~ 175°C
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