单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
1N4447/TR

1N4447/TR

DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Microchip Technology

5,888
1N4447/TR数据手册 - DO-204AH, DO-35, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 75 V 200mA 1 V @ 20 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 25 nA @ 20 V - - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 150°C
NRVTS1260EMFST3G

NRVTS1260EMFST3G

60V LOW LEAKAGE TRENCH RECTIFIER

onsemi

2,083
NRVTS1260EMFST3G数据手册 - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 60 V 12A 600 mV @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 60 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL) -55°C ~ 175°C
WNSC2D10650XQ

WNSC2D10650XQ

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220F

WeEn Semiconductors

6,752
WNSC2D10650XQ数据手册 - TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 310pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220F 175°C
VS-20ETF06FPPBF

VS-20ETF06FPPBF

DIODE GP 600V 20A TO220ACFP

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,509
VS-20ETF06FPPBF数据手册 - TO-220-2 Full Pack Tube Obsolete Standard 600 V 20A 1.3 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 160 ns 100 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220AC Full Pack -40°C ~ 150°C
VS-20ETF08STRL-M3

VS-20ETF08STRL-M3

DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,291
VS-20ETF08STRL-M3数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 800 V 20A 1.31 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns 100 µA @ 800 V - - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -40°C ~ 150°C
VS-20ETF08STRR-M3

VS-20ETF08STRR-M3

DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,929
VS-20ETF08STRR-M3数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 800 V 20A 1.31 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns 100 µA @ 800 V - - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -40°C ~ 150°C
VS-20ETF12STRR-M3

VS-20ETF12STRR-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,773
VS-20ETF12STRR-M3数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 1200 V 20A 1.31 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns 100 µA @ 1200 V - - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -40°C ~ 150°C
DSS10-01AS-TRL

DSS10-01AS-TRL

DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AA

IXYS

7,079
DSS10-01AS-TRL数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Schottky 100 V 10A 840 mV @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 300 µA @ 100 V - - - Surface Mount TO-263AA -55°C ~ 175°C
HSM825GE3/TR13

HSM825GE3/TR13

DIODE SCHOTTKY 25V 8A DO215AB

Microchip Technology

4,075
HSM825GE3/TR13数据手册 - DO-215AB, SMC Gull Wing Tape & Reel (TR) Active Schottky 25 V 8A 620 mV @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 250 µA @ 25 V - - - Surface Mount DO-215AB -55°C ~ 175°C
HSM830GE3/TR13

HSM830GE3/TR13

DIODE SCHOTTKY 30V 8A DO215AB

Microchip Technology

5,139
HSM830GE3/TR13数据手册 - DO-215AB, SMC Gull Wing Tape & Reel (TR) Active Schottky 30 V 8A 620 mV @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 250 µA @ 30 V - - - Surface Mount DO-215AB -55°C ~ 175°C
HSM835GE3/TR13

HSM835GE3/TR13

DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO215AB

Microchip Technology

3,470
HSM835GE3/TR13数据手册 - DO-215AB, SMC Gull Wing Tape & Reel (TR) Active Schottky 35 V 8A 620 mV @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 250 µA @ 35 V - - - Surface Mount DO-215AB -55°C ~ 175°C
HSM840GE3/TR13

HSM840GE3/TR13

DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO215AB

Microchip Technology

7,934
HSM840GE3/TR13数据手册 - DO-215AB, SMC Gull Wing Tape & Reel (TR) Active Schottky 40 V 8A 620 mV @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 250 µA @ 40 V - - - Surface Mount DO-215AB -55°C ~ 175°C
HSM845GE3/TR13

HSM845GE3/TR13

DIODE SCHOTTKY 45V 8A DO215AB

Microchip Technology

3,260
HSM845GE3/TR13数据手册 - DO-215AB, SMC Gull Wing Tape & Reel (TR) Active Schottky 45 V 8A 620 mV @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 250 µA @ 45 V - - - Surface Mount DO-215AB -55°C ~ 175°C
10ETS12S

10ETS12S

DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,500
10ETS12S数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete Standard 1200 V 10A 1.1 V @ 10 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 1200 V - - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -40°C ~ 150°C
VS-20ETF12STRL-M3

VS-20ETF12STRL-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,721
VS-20ETF12STRL-M3数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 1200 V 20A 1.31 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns 100 µA @ 1200 V - - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -40°C ~ 150°C
DPF10I600APA

DPF10I600APA

PWR DIODE DISC-FRED TO-220AB / T

IXYS

2,107
DPF10I600APA数据手册 - - Tube Active - - - - - - - - - - - - -
VS-A5PX6006L-N3

VS-A5PX6006L-N3

DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,369
VS-A5PX6006L-N3数据手册 FRED Pt® G5 TO-247-3 Tube Active Standard 600 V 60A 2.2 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 46 ns 25 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
VS-A5PH6006L-N3

VS-A5PH6006L-N3

DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,528
VS-A5PH6006L-N3数据手册 FRED Pt® G5 TO-247-3 Tube Active Standard 600 V 60A 1.7 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 54 ns 25 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
WNSC6D106506Q

WNSC6D106506Q

WNSC6D10650/TO-220AC/STANDARD MA

WeEn Semiconductors

8,531
WNSC6D106506Q数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.4 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 500pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC 175°C
WNSC6D10650B6J

WNSC6D10650B6J

WNSC6D10650B/TO263/REEL 13" Q1/T

WeEn Semiconductors

6,070
WNSC6D10650B6J数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.45 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 500pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount D2PAK -55°C ~ 175°C

分类概览

单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 单个二极管?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

页面上的库存信息是否可以直接采购?

库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

找不到指定型号怎么办?

您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

是否可以提供 Datasheet 和技术资料?

可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

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