单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

全部重置
全部应用
结果
图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
G3S06503A

G3S06503A

DIODE SIC 650V 11.5A TO220AC

Global Power Technology-GPT

390
G3S06503A数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 11.5A 1.7 V @ 3 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 181pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
G3S06504C

G3S06504C

DIODE SIL CARB 650V 11.5A TO252

Global Power Technology-GPT

3,978
G3S06504C数据手册 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 11.5A 1.7 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 181pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252 -55°C ~ 175°C
G3S06504A

G3S06504A

DIODE SIC 650V 11.5A TO220AC

Global Power Technology-GPT

13
G3S06504A数据手册 - TO-220-2 Cut Tape (CT) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 11.5A 1.7 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 181pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
萬通电子有限公司

搜索

萬通电子有限公司

产品

萬通电子有限公司

电话

萬通电子有限公司

用户

萬通电子有限公司 萬通电子有限公司 萬通电子有限公司
WHATSAPP

+86 13760362468

萬通电子有限公司