单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
GC50MPS06-247

GC50MPS06-247

DIODE SIL CARB 650V 50A TO247-2

GeneSiC Semiconductor

29
GC50MPS06-247数据手册 SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 50A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - - - - Through Hole TO-247-2 175°C (Max)
FR30J02

FR30J02

DIODE GEN PURP 600V 30A DO5

GeneSiC Semiconductor

43
FR30J02数据手册 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 600 V 30A 1 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -40°C ~ 125°C
FR70GR02

FR70GR02

DIODE GEN PURP REV 400V 70A DO5

GeneSiC Semiconductor

24
FR70GR02数据手册 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 400 V 70A 1.4 V @ 70 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -40°C ~ 125°C
MBR8045R

MBR8045R

DIODE SCHOTTKY REV 45V 80A DO5

GeneSiC Semiconductor

26
MBR8045R数据手册 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Schottky, Reverse Polarity 45 V 80A 650 mV @ 80 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 45 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -55°C ~ 150°C
150K20A

150K20A

DIODE GEN PURP 200V 150A DO205AA

GeneSiC Semiconductor

7
150K20A数据手册 - DO-205AA, DO-8, Stud Bulk Active Standard 200 V 150A 1.33 V @ 150 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 35 mA @ 200 V - - - Chassis, Stud Mount DO-205AA (DO-8) -40°C ~ 200°C
1N1186A

1N1186A

DIODE GEN PURP 200V 40A DO5

GeneSiC Semiconductor

2,768
1N1186A数据手册 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 200 V 40A 1.1 V @ 40 A - - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 190°C
GB05MPS33-263

GB05MPS33-263

DIODE SIL CARB 3.3KV 14A TO263-7

GeneSiC Semiconductor

9,776
GB05MPS33-263数据手册 SiC Schottky MPS™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 3300 V 14A 3 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 3000 V 288pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-7 -55°C ~ 175°C
1N1200A

1N1200A

DIODE GEN PURP 100V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

9,031
1N1200A数据手册 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 100 V 12A 1.1 V @ 12 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 200°C
1N3892R

1N3892R

DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

7,271
1N3892R数据手册 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 400 V 12A 1.4 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
1N3893R

1N3893R

DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

2,816
1N3893R数据手册 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 600 V 12A 1.4 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
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