二极管阵列

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 二极管配置 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 工作温度 - 结点 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 二极管配置 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 工作温度 - 结点 等级 认证 安装类型 供应商设备封装
F18107RD1400

F18107RD1400

DIODE MODULE GEN PURP 1400V 105A

Sensata-Crydom

3,800
F18107RD1400数据手册 F18 Module Bulk Obsolete 1 Pair Series Connection Standard 1400 V 105A (DC) 1.65 V @ 300 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis Mount -
1N7039CCU1

1N7039CCU1

DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V 35A U1

Microchip Technology

4,464
1N7039CCU1数据手册 - 3-SMD, No Lead Bulk Active 1 Pair Common Cathode Schottky 150 V 35A 1.6 V @ 35 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 500 µA @ 150 V -65°C ~ 150°C - - Surface Mount U1 (SMD-1)
MDD810-12N2

MDD810-12N2

DIODE MODULE GEN PURP 1200V 807A

IXYS

8,919
MDD810-12N2数据手册 - Module Box Active 1 Pair Series Connection Standard 1200 V 807A 1.24 V @ 2000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 16.5 µs 50 mA @ 1200 V -40°C ~ 150°C - - Chassis Mount -
GHXS050A170S-D3

GHXS050A170S-D3

DIODE MOD SIC 1700V 150A SOT-227

SemiQ

5,206
GHXS050A170S-D3数据手册 - SOT-227-4, miniBLOC Tube Discontinued at Digi-Key 2 Independent SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 150A 1.9 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 750 µA @ 1700 V -55°C ~ 175°C - - Chassis Mount SOT-227
MDD810-16N2

MDD810-16N2

DIODE DUAL 1600V 807A

IXYS

5,271
MDD810-16N2数据手册 * - Box Active - - - - - - - - - - - - -
JANTX1N7039CCT1

JANTX1N7039CCT1

DIODE ARR SCHOT 150V 35A TO254AA

Microchip Technology

8,738
JANTX1N7039CCT1数据手册 - TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Bulk Active 1 Pair Common Cathode Schottky 150 V 35A 1.6 V @ 35 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 500 µA @ 150 V -65°C ~ 150°C Military MIL-PRF-19500/737 Surface Mount TO-254AA
1N6762

1N6762

DIODE ARRAY GP 50V 12A TO-254AA

Microchip Technology

9,877
1N6762数据手册 - TO-254-3, TO-254AA Bulk Active 1 Pair Common Cathode Standard 50 V 12A 1.05 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 50 V - - - Through Hole TO-254AA
1N6771

1N6771

DIODE ARRAY GP 200V 8A TO-257

Microchip Technology

5,172
1N6771数据手册 - TO-257-3 Bulk Active 1 Pair Common Cathode Standard 200 V 8A (DC) 1.06 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 160 V - - - Through Hole TO-257
1N6769

1N6769

DIODE ARRAY GP 100V 8A TO-257

Microchip Technology

2,229
1N6769数据手册 - TO-257-3 Bulk Active 1 Pair Common Cathode Standard 100 V 8A (DC) 1.06 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 80 V - - - Through Hole TO-257
1N6768

1N6768

DIODE ARRAY GP 50V 8A TO-257

Microchip Technology

9,631
1N6768数据手册 - TO-257-3 Bulk Active 1 Pair Common Cathode Standard 50 V 8A (DC) 1.06 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 40 V - - - Through Hole TO-257
1N6767

1N6767

DIODE ARRAY GP 600V 12A TO-254AA

Microchip Technology

7,468
1N6767数据手册 - TO-254-3, TO-254AA Bulk Active 1 Pair Common Cathode Standard 600 V 12A (DC) 1.55 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 10 µA @ 480 V -55°C ~ 175°C - - Through Hole TO-254AA
1N6766

1N6766

DIODE ARRAY GP 400V 12A TO-254AA

Microchip Technology

6,449
1N6766数据手册 - TO-254-3, TO-254AA Bulk Active 1 Pair Common Cathode Standard 400 V 12A (DC) 1.55 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 10 µA @ 320 V -55°C ~ 175°C - - Through Hole TO-254AA
1N6770

1N6770

DIODE ARRAY GP 150V 8A TO-257

Microchip Technology

7,840
1N6770数据手册 - TO-257-3 Bulk Active 1 Pair Common Cathode Standard 150 V 8A (DC) 1.06 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 120 V - - - Through Hole TO-257
MURTA600120

MURTA600120

DIODE MOD GP 1200V 300A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor

9,854
MURTA600120数据手册 - Three Tower Bulk Active 1 Pair Common Cathode Standard 1200 V 300A 2.6 V @ 300 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 25 µA @ 1200 V -55°C ~ 150°C - - Chassis Mount Three Tower
MURTA600120R

MURTA600120R

DIODE MOD GP 1200V 300A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor

7,752
MURTA600120R数据手册 - Three Tower Bulk Active 1 Pair Common Anode Standard 1200 V 300A 2.6 V @ 300 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 25 µA @ 1200 V -55°C ~ 150°C - - Chassis Mount Three Tower
MDD600-12N1

MDD600-12N1

DIODE MODULE GP 1200V 600A WC500

IXYS

7,196
MDD600-12N1数据手册 - WC-500 Box Obsolete 1 Pair Series Connection Standard 1200 V 600A 880 mV @ 500 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 mA @ 1200 V -40°C ~ 150°C - - Chassis Mount WC-500
1N6672R

1N6672R

DIODE ARRAY GP 300V 15A TO-254

Microchip Technology

2,727
1N6672R数据手册 - TO-254-3, TO-254AA Bulk Active 1 Pair Common Anode Standard 300 V 15A 1.35 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 50 µA @ 240 V - - - Through Hole TO-254
1N6673R

1N6673R

DIODE ARRAY GP 400V 15A TO-254

Microchip Technology

6,046
1N6673R数据手册 - TO-254-3, TO-254AA Bulk Active 1 Pair Common Anode Standard 400 V 15A 1.35 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 50 µA @ 320 V - - - Through Hole TO-254
MDNA600P2200PTSF

MDNA600P2200PTSF

DIODE MOD GP 2200V 600A SIMBUS F

IXYS

4,050
MDNA600P2200PTSF数据手册 - SimBus F Box Active - Standard 2200 V 600A - - - - - - - Chassis Mount SimBus F
EDD630N16P60HPSA1

EDD630N16P60HPSA1

DIODE MODULE GP 1600V BGPB60ECO

Infineon Technologies

8,114
EDD630N16P60HPSA1数据手册 - Module Tray Obsolete 1 Pair Series Connection Standard 1600 V 630A - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis Mount BG-PB60ECO-1
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分类概览

二极管阵列 产品与选型指南

二极管阵列 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 二极管阵列。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 二极管阵列?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

页面上的库存信息是否可以直接采购?

库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

找不到指定型号怎么办?

您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

是否可以提供 Datasheet 和技术资料?

可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

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