二极管阵列

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 二极管配置 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 工作温度 - 结点 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 二极管配置 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 工作温度 - 结点 等级 认证 安装类型 供应商设备封装
MURTA40060

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DIODE MODULE GP 600V 200A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor

8,926
MURTA40060数据手册 - Three Tower Bulk Active 1 Pair Common Cathode Standard 600 V 200A 1.7 V @ 200 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 25 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C - - Chassis Mount Three Tower
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DIODE MODULE GP 600V 200A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor

5,862
MURTA40060R数据手册 - Three Tower Bulk Active 1 Pair Common Anode Standard 600 V 200A 1.7 V @ 200 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 25 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C - - Chassis Mount Three Tower
MURTA50020

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DIODE MODULE GP 200V 250A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor

6,817
MURTA50020数据手册 - Three Tower Bulk Active 1 Pair Common Cathode Standard 200 V 250A 1.3 V @ 250 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 25 µA @ 50 V -55°C ~ 150°C - - Chassis Mount Three Tower
MURTA50020R

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DIODE MODULE GP 200V 250A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor

9,670
MURTA50020R数据手册 - Three Tower Bulk Active 1 Pair Common Anode Standard 200 V 250A 1.3 V @ 250 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 25 µA @ 50 V -55°C ~ 150°C - - Chassis Mount Three Tower
MURTA50040

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DIODE MODULE GP 400V 250A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor

9,898
MURTA50040数据手册 - Three Tower Bulk Active 1 Pair Common Cathode Standard 400 V 250A 1.5 V @ 250 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 25 µA @ 50 V -55°C ~ 150°C - - Chassis Mount Three Tower
MURTA50040R

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DIODE MODULE GP 400V 250A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor

2,481
MURTA50040R数据手册 - Three Tower Bulk Active 1 Pair Common Anode Standard 400 V 250A 1.5 V @ 250 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 25 µA @ 50 V -55°C ~ 150°C - - Chassis Mount Three Tower
MURTA50060

MURTA50060

DIODE MODULE GP 600V 250A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor

4,713
MURTA50060数据手册 - Three Tower Bulk Active 1 Pair Common Cathode Standard 600 V 250A 1.7 V @ 250 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 25 µA @ 50 V -55°C ~ 150°C - - Chassis Mount Three Tower
MURTA50060R

MURTA50060R

DIODE MODULE GP 600V 250A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor

6,123
MURTA50060R数据手册 - Three Tower Bulk Active 1 Pair Common Anode Standard 600 V 250A 1.7 V @ 250 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 25 µA @ 50 V -55°C ~ 150°C - - Chassis Mount Three Tower
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MURTA400120

DIODE MOD GP 1200V 200A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor

6,477
MURTA400120数据手册 - Three Tower Bulk Active 1 Pair Common Cathode Standard 1200 V 200A 2.6 V @ 200 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 25 µA @ 1200 V -55°C ~ 150°C - - Chassis Mount Three Tower
MURTA400120R

MURTA400120R

DIODE MOD GP 1200V 200A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor

4,014
MURTA400120R数据手册 - Three Tower Bulk Active 1 Pair Common Anode Standard 1200 V 200A 2.6 V @ 200 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 25 µA @ 1200 V -55°C ~ 150°C - - Chassis Mount Three Tower
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