二极管阵列

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 二极管配置 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 工作温度 - 结点 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

全部重置
全部应用
结果
图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 二极管配置 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 工作温度 - 结点 等级 认证 安装类型 供应商设备封装
MBR200200CT

MBR200200CT

DIODE MOD SCHOT 200V 100A 2TOWER

GeneSiC Semiconductor

9,346
MBR200200CT数据手册 - Twin Tower Bulk Active 1 Pair Common Cathode Schottky 200 V 100A 920 mV @ 100 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 3 mA @ 200 V -55°C ~ 150°C - - Chassis Mount Twin Tower
MBR200200CTR

MBR200200CTR

DIODE MOD SCHOT 200V 100A 2TOWER

GeneSiC Semiconductor

3,793
MBR200200CTR数据手册 - Twin Tower Bulk Active 1 Pair Common Anode Schottky 200 V 100A 920 mV @ 100 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 3 mA @ 200 V -55°C ~ 150°C - - Chassis Mount Twin Tower
MUR40005CT

MUR40005CT

DIODE MODULE GP 50V 200A 2TOWER

GeneSiC Semiconductor

8,974
MUR40005CT数据手册 - Twin Tower Bulk Obsolete 1 Pair Common Cathode Standard 50 V 200A 1.3 V @ 125 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C ~ 150°C - - Chassis Mount Twin Tower
MUR40005CTR

MUR40005CTR

DIODE MODULE GP 50V 200A 2TOWER

GeneSiC Semiconductor

5,106
MUR40005CTR数据手册 - Twin Tower Bulk Obsolete 1 Pair Common Anode Standard 50 V 200A 1.3 V @ 125 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C ~ 150°C - - Chassis Mount Twin Tower
MURT10040

MURT10040

DIODE MODULE GP 400V 50A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor

4,610
MURT10040数据手册 - Three Tower Bulk Active 1 Pair Common Cathode Standard 400 V 50A 1.35 V @ 50 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C ~ 150°C - - Chassis Mount Three Tower
MURT10040R

MURT10040R

DIODE MODULE GP 400V 50A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor

5,733
MURT10040R数据手册 - Three Tower Bulk Active 1 Pair Common Anode Standard, Reverse Polarity 400 V 50A 1.35 V @ 50 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C ~ 150°C - - Chassis Mount Three Tower
MURT10060

MURT10060

DIODE MODULE GP 600V 50A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor

4,834
MURT10060数据手册 - Three Tower Bulk Active 1 Pair Common Cathode Standard 600 V 50A 1.7 V @ 100 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C ~ 150°C - - Chassis Mount Three Tower
MURT10060R

MURT10060R

DIODE MODULE GP 600V 50A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor

4,971
MURT10060R数据手册 - Three Tower Bulk Active 1 Pair Common Anode Standard, Reverse Polarity 600 V 50A 1.7 V @ 100 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C ~ 150°C - - Chassis Mount Three Tower
MBR30035CT

MBR30035CT

DIODE MOD SCHOTT 35V 150A 2TOWER

GeneSiC Semiconductor

8,856
MBR30035CT数据手册 - Twin Tower Bulk Active 1 Pair Common Cathode Schottky 35 V 150A 650 mV @ 150 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 8 mA @ 20 V -55°C ~ 150°C - - Chassis Mount Twin Tower
MBR30035CTR

MBR30035CTR

DIODE MOD SCHOTT 35V 150A 2TOWER

GeneSiC Semiconductor

9,220
MBR30035CTR数据手册 - Twin Tower Bulk Active 1 Pair Common Anode Schottky, Reverse Polarity 35 V 150A 700 mV @ 150 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 35 V -55°C ~ 150°C - - Chassis Mount Twin Tower
Total 849 Record«Prev1... 3435363738394041...85Next»
萬通电子有限公司

搜索

萬通电子有限公司

产品

萬通电子有限公司

电话

萬通电子有限公司

用户

萬通电子有限公司 萬通电子有限公司 萬通电子有限公司
WHATSAPP

+86 13760362468

萬通电子有限公司