二极管阵列

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 二极管配置 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 工作温度 - 结点 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

全部重置
全部应用
结果
图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 二极管配置 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 工作温度 - 结点 等级 认证 安装类型 供应商设备封装
GD2X100MPS06N

GD2X100MPS06N

DIODE MOD SIC 650V 108A SOT-227

GeneSiC Semiconductor

341
GD2X100MPS06N数据手册 SiC Schottky MPS™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Active 2 Independent SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 108A (DC) 1.8 V @ 100 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 5 µA @ 650 V -55°C ~ 175°C - - Chassis Mount SOT-227
MBRT400100

MBRT400100

DIODE MOD SCHOT 100V 200A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor

34
MBRT400100数据手册 - Three Tower Bulk Active 1 Pair Common Cathode Schottky 100 V 200A 880 mV @ 200 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 20 V -55°C ~ 150°C - - Chassis Mount Three Tower
GD2X30MPS06D

GD2X30MPS06D

DIODE ARRAY SIC 600V 30A TO247-3

GeneSiC Semiconductor

150
GD2X30MPS06D数据手册 SiC Schottky MPS™ TO-247-3 Tube Active 1 Pair Common Cathode SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 30A (DC) - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - 175°C - - Through Hole TO-247-3
GD2X20MPS12D

GD2X20MPS12D

DIODE ARR SIC 1200V 39A TO247-3

GeneSiC Semiconductor

318
GD2X20MPS12D数据手册 SiC Schottky MPS™ TO-247-3 Tube Active 1 Pair Common Cathode SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 39A (DC) 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 1200 V -55°C ~ 175°C - - Through Hole TO-247-3
MBR2X080A045

MBR2X080A045

DIODE MOD SCHOTT 45V 80A SOT-227

GeneSiC Semiconductor

29
MBR2X080A045数据手册 - SOT-227-4, miniBLOC Bulk Active 2 Independent Schottky 45 V 80A 700 mV @ 80 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 45 V -40°C ~ 150°C - - Chassis Mount SOT-227
FST16035

FST16035

DIODE MOD SCHOT 35V 160A TO249AB

GeneSiC Semiconductor

28
FST16035数据手册 - TO-249AB Bulk Active 1 Pair Common Cathode Schottky 35 V 160A 750 mV @ 160 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 20 V -55°C ~ 150°C - - Chassis Mount TO-249AB
MBR400100CT

MBR400100CT

DIODE MOD SCHOT 100V 200A 2TOWER

GeneSiC Semiconductor

40
MBR400100CT数据手册 - Twin Tower Bulk Active 1 Pair Common Cathode Schottky 100 V 200A 840 mV @ 200 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 5 mA @ 20 V -55°C ~ 150°C - - Chassis Mount Twin Tower
MBRT20040

MBRT20040

DIODE MOD SCHOTT 40V 100A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor

33
MBRT20040数据手册 - Three Tower Bulk Active 1 Pair Common Cathode Schottky 40 V 100A 750 mV @ 100 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 20 V -55°C ~ 150°C - - Chassis Mount Three Tower
MURT40040R

MURT40040R

DIODE MODULE GP 400V 200A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor

39
MURT40040R数据手册 - Three Tower Bulk Active 1 Pair Common Anode Standard, Reverse Polarity 400 V 200A 1.35 V @ 200 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 180 ns 25 µA @ 50 V -55°C ~ 150°C - - Chassis Mount Three Tower
GB2X50MPS12-227

GB2X50MPS12-227

DIODE MOD SIC 1200V 93A SOT-227

GeneSiC Semiconductor

248
GB2X50MPS12-227数据手册 SiC Schottky MPS™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete 2 Independent SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 93A (DC) 1.8 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 1200 V -55°C ~ 175°C - - Chassis Mount SOT-227
Total 849 Record«Prev12345...85Next»
萬通电子有限公司

搜索

萬通电子有限公司

产品

萬通电子有限公司

电话

萬通电子有限公司

用户

萬通电子有限公司 萬通电子有限公司 萬通电子有限公司
WHATSAPP

+86 13760362468

萬通电子有限公司