二极管阵列

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 二极管配置 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 工作温度 - 结点 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 二极管配置 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 工作温度 - 结点 等级 认证 安装类型 供应商设备封装
MBR2X120A100

MBR2X120A100

DIODE MOD SCHOT 100V 120A SOT227

GeneSiC Semiconductor

7,651
MBR2X120A100数据手册 - SOT-227-4, miniBLOC Bulk Active 2 Independent Schottky 100 V 120A 840 mV @ 120 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 100 V -40°C ~ 150°C - - Chassis Mount SOT-227
MBR2X120A120

MBR2X120A120

DIODE MOD SCHOT 120V 120A SOT227

GeneSiC Semiconductor

9,287
MBR2X120A120数据手册 - SOT-227-4, miniBLOC Bulk Active 2 Independent Schottky 120 V 120A 880 mV @ 120 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 3 mA @ 120 V -40°C ~ 150°C - - Chassis Mount SOT-227
MBR2X120A150

MBR2X120A150

DIODE MOD SCHOT 150V 120A SOT227

GeneSiC Semiconductor

5,483
MBR2X120A150数据手册 - SOT-227-4, miniBLOC Bulk Active 2 Independent Schottky 150 V 120A 880 mV @ 120 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 3 mA @ 150 V -40°C ~ 150°C - - Chassis Mount SOT-227
MBR2X120A180

MBR2X120A180

DIODE MOD SCHOT 180V 120A SOT227

GeneSiC Semiconductor

5,556
MBR2X120A180数据手册 - SOT-227-4, miniBLOC Bulk Active 2 Independent Schottky 180 V 120A 920 mV @ 120 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 3 mA @ 180 V -40°C ~ 150°C - - Chassis Mount SOT-227
MBR2X120A200

MBR2X120A200

DIODE MOD SCHOT 200V 120A SOT227

GeneSiC Semiconductor

9,328
MBR2X120A200数据手册 - SOT-227-4, miniBLOC Bulk Active 2 Independent Schottky 200 V 120A 920 mV @ 120 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 3 mA @ 200 V -40°C ~ 150°C - - Chassis Mount SOT-227
MUR2X120A10

MUR2X120A10

DIODE MOD GP 1000V 120A SOT-227

GeneSiC Semiconductor

3,976
MUR2X120A10数据手册 - SOT-227-4, miniBLOC Bulk Active 2 Independent Standard 1000 V 120A 2.35 V @ 120 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 25 µA @ 1000 V -55°C ~ 175°C - - Chassis Mount SOT-227
MUR2X120A12

MUR2X120A12

DIODE MOD GP 1200V 120A SOT-227

GeneSiC Semiconductor

5,896
MUR2X120A12数据手册 - SOT-227-4, miniBLOC Bulk Active 2 Independent Standard 1200 V 120A 2.35 V @ 120 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 25 µA @ 1200 V -55°C ~ 175°C - - Chassis Mount SOT-227
MBRT120150

MBRT120150

DIODE MOD SCHOTT 150V 60A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor

9,672
MBRT120150数据手册 - Three Tower Bulk Obsolete 1 Pair Common Cathode Schottky 150 V 60A 880 mV @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 150 V -55°C ~ 150°C - - Chassis Mount Three Tower
MBRT120150R

MBRT120150R

DIODE MOD SCHOTT 150V 60A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor

8,167
MBRT120150R数据手册 - Three Tower Bulk Obsolete 1 Pair Common Anode Schottky 150 V 60A 880 mV @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 150 V -55°C ~ 150°C - - Chassis Mount Three Tower
MSRT100100AD

MSRT100100AD

DIODE MOD GP 1000V 100A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor

9,818
MSRT100100AD数据手册 - Three Tower Bulk Active 1 Pair Series Connection Standard 1000 V 100A 1.1 V @ 100 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C - - Chassis Mount Three Tower
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