存储器

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 可编程 存储类型 存储格式 技术 存储容量 存储组织 存储接口 时钟频率 写周期时间 - 字,页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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IMC1B1A8C2A2A1E3A6A0000

IMC1B1A8C2A2A1E3A6A0000

EMMC, 11.5X13 153 BALL, 32GB, -2

Intelligent Memory Ltd.

48
IMC1B1A8C2A2A1E3A6A0000数据手册 - 153-VFBGA Tray Active - Non-Volatile FLASH FLASH - NAND (SLC) 256Gbit 32G x 8 eMMC_5.1 - - - - -25°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 153-FBGA (11.5x13)
IME5132SDBETG-6I

IME5132SDBETG-6I

ECC SDRAM, 512MB, 3.3V, 16MX32,

Intelligent Memory Ltd.

7
IME5132SDBETG-6I数据手册 - 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Tray Active - Volatile DRAM SDRAM 512Mbit 16M x 32 LVTTL 166 MHz - 5.4 ns 3V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 86-TSOP II
93L425DMQB40

93L425DMQB40

STANDARD SRAM, 1KX1, 40NS, TTL

National Semiconductor

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93L425DMQB40数据手册 93L425 16-CDIP (0.300", 7.62mm) Bulk Active Not Verified Volatile SRAM SRAM - Asynchronous 1Kbit 1K x 1 Parallel - 55ns 70 ns 4.5V ~ 5.5V -55°C ~ 125°C (TC) - - Through Hole 16-CDIP
CY7C1370B-200BGC

CY7C1370B-200BGC

IC SRAM 18MBIT PARALLEL 119PBGA

Cypress Semiconductor Corp

54
CY7C1370B-200BGC数据手册 - 119-BGA Bulk Active Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, SDR 18Mbit 512K x 36 Parallel 200 MHz - 3 ns 3.135V ~ 3.6V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 119-PBGA (14x22)
IMAG32L4JCBG-046

IMAG32L4JCBG-046

LPDDR4X 16GB 512MX32 2133MHZ FBG

Intelligent Memory Ltd.

50
IMAG32L4JCBG-046数据手册 - 200-VFBGA Tray Active - Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR4X 16Gbit 512M x 32 Parallel 2.133 GHz 18ns - 1.17V ~ 1.06V, 1.95V ~ 1.7V -25°C ~ 85°C (TC) - - Surface Mount 200-FBGA (10x15)
IMAG16L4JCDG-046

IMAG16L4JCDG-046

LPDDR4X 16GB 1024MX16 2133MHZ FB

Intelligent Memory Ltd.

40
IMAG16L4JCDG-046数据手册 - 200-VFBGA Tray Active - Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR4X 16Gbit 1G x 16 Parallel 2.133 GHz 18ns - 1.17V ~ 1.06V, 1.95V ~ 1.7V -25°C ~ 85°C (TC) - - Surface Mount 200-FBGA (10x15)
CY7C1412KV18-333BZXI

CY7C1412KV18-333BZXI

IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

Infineon Technologies

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CY7C1412KV18-333BZXI数据手册 - 165-LBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, QDR II 36Mbit 2M x 18 Parallel 333 MHz - - 1.7V ~ 1.9V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 165-FBGA (13x15)
CY7C225A-30JI

CY7C225A-30JI

IC EPROM 4KBIT PARALLEL 28PLCC

Cypress Semiconductor Corp

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CY7C225A-30JI数据手册 - - Bulk Obsolete Not Verified Non-Volatile EPROM EPROM - OTP 4Kbit 512 x 8 Parallel - - 30 ns 4.5V ~ 5.5V -40°C ~ 85°C (TA) - - - 28-PLCC
5962-88735013A

5962-88735013A

IC EPROM 16KBIT PARALLEL 28CLCC

Cypress Semiconductor Corp

45
5962-88735013A数据手册 - 28-CLCC Bulk Active Not Verified Non-Volatile EPROM EPROM - UV 16Kbit 2K x 8 Parallel - - 45 ns 4.5V ~ 5.5V -55°C ~ 125°C (TA) - - Surface Mount 28-CLCC (13.97x8.89)
28C64AX-20B/XA

28C64AX-20B/XA

IC EEPROM 64KBIT PARALLEL

Microchip Technology

56
28C64AX-20B/XA数据手册 - - Bulk Active Not Verified Non-Volatile EEPROM EEPROM 64Kbit 8K x 8 Parallel - 1ms 200 ns 4.5V ~ 5.5V - - - - -
MT55V512V32PF-10

MT55V512V32PF-10

IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA

Micron Technology Inc.

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MT55V512V32PF-10数据手册 ZBT® 165-TBGA Bulk Active Not Verified Volatile SRAM SRAM - ZBT 18Mbit 512K x 32 Parallel 100 MHz - 5 ns 2.375V ~ 2.625V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 165-FBGA (13x15)
HN58V257AT12SRE

HN58V257AT12SRE

256K SERIAL EEPROM

Renesas Electronics Corporation

92
HN58V257AT12SRE数据手册 * - Bulk Active Not Verified - - - - - - - - - - - - - - -
MT55V512V36PF-7.5

MT55V512V36PF-7.5

IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

Micron Technology Inc.

70
MT55V512V36PF-7.5数据手册 ZBT® 165-TBGA Bulk Active Not Verified Volatile SRAM SRAM - ZBT 18Mbit 512K x 36 Parallel 133 MHz - 4.2 ns 2.375V ~ 2.625V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 165-FBGA (13x15)
MT58L256L36PF-7.5 IT

MT58L256L36PF-7.5 IT

IC SRAM 8MBIT PARALLEL 165FBGA

Micron Technology Inc.

30
MT58L256L36PF-7.5 IT数据手册 SYNCBURST™ 165-TBGA Bulk Active Not Verified Volatile SRAM SRAM - Standard 8Mbit 256K x 36 Parallel 133 MHz - 4 ns 3.135V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 165-FBGA (13x15)
CY7C09179V-12AC

CY7C09179V-12AC

IC SRAM 288KBIT PARALLEL 100TQFP

Infineon Technologies

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CY7C09179V-12AC数据手册 - 100-LQFP Bag Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Dual Port, Synchronous 288Kbit 32K x 9 Parallel 50 MHz - 12 ns 3V ~ 3.6V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 100-TQFP (14x14)
CY7C1024DV33-10BGXI

CY7C1024DV33-10BGXI

IC SRAM 3MBIT PARALLEL 119PBGA

Infineon Technologies

84
CY7C1024DV33-10BGXI数据手册 - 119-BGA Tray Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Asynchronous 3Mbit 128K x 24 Parallel - 10ns 10 ns 3V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 119-PBGA (14x22)
CY7C1062AV25-10BGC

CY7C1062AV25-10BGC

IC SRAM 16MBIT PARALLEL 119PBGA

Cypress Semiconductor Corp

21
CY7C1062AV25-10BGC数据手册 - 119-BGA Bulk Active Not Verified Volatile SRAM SRAM - Asynchronous 16Mbit 512K x 32 Parallel - 10ns 10 ns 2.4V ~ 2.6V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 119-PBGA (14x22)
CY7C1366A-166BGC

CY7C1366A-166BGC

IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA

Cypress Semiconductor Corp

51
CY7C1366A-166BGC数据手册 - 119-BGA Bulk Active Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, SDR 9Mbit 256K x 36 Parallel 166 MHz - 3.5 ns 3.135V ~ 3.6V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 119-PBGA (14x22)
AM27PS191APC

AM27PS191APC

IC PROM 16KBIT PARALLEL 24DIP

Advanced Micro Devices

42
AM27PS191APC数据手册 - 24-DIP (0.300", 7.62mm) Bulk Active Not Verified Non-Volatile PROM - 16Kbit 2K x 8 Parallel - - 50 ns 4.75V ~ 5.25V 0°C ~ 75°C (TA) - - Through Hole 24-PDIP
S40410161B1B2I010

S40410161B1B2I010

IC FLASH 16GBIT PARALLEL 100LBGA

Infineon Technologies

0
S40410161B1B2I010数据手册 e.MMC 1B1 100-LBGA Bulk Obsolete Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NAND 16Gbit 2G x 8 Parallel 200 MHz - - 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 100-LBGA (14x18)
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分类概览

存储器 产品与选型指南

存储器 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

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