存储器

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 可编程 存储类型 存储格式 技术 存储容量 存储组织 存储接口 时钟频率 写周期时间 - 字,页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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UPD44645364AF5-E50-FQ1-A

UPD44645364AF5-E50-FQ1-A

STANDARD SRAM, 2MX36, 0.45NS

Renesas Electronics Corporation

97
UPD44645364AF5-E50-FQ1-A数据手册 * - Bulk Active Not Verified - - - - - - - - - - - - - - -
UPD44645094AF5-E40-FQ1-A

UPD44645094AF5-E40-FQ1-A

STANDARD SRAM, 8MX9, 0.45NS

Renesas Electronics Corporation

94
UPD44645094AF5-E40-FQ1-A数据手册 * - Bulk Active Not Verified - - - - - - - - - - - - - - -
UPD44645184AF5-E40-FQ1

UPD44645184AF5-E40-FQ1

72-MBIT QDR II SRAM (4M X 18 BIT

Renesas Electronics Corporation

93
UPD44645184AF5-E40-FQ1数据手册 * - Bulk Active Not Verified - - - - - - - - - - - - - - -
UPD44645362AF5-E50X-FQ1

UPD44645362AF5-E50X-FQ1

STANDARD SRAM, 2MX36, 0.45NS

Renesas Electronics Corporation

89
UPD44645362AF5-E50X-FQ1数据手册 * - Bulk Active Not Verified - - - - - - - - - - - - - - -
UPD44646183AF5-E25-FQ1-A

UPD44646183AF5-E25-FQ1-A

IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165PBGA

Renesas Electronics Corporation

74
UPD44646183AF5-E25-FQ1-A数据手册 - 165-LBGA Bulk Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, DDR II+ 72Mbit 4M x 18 Parallel 400 MHz 2.5ns - 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 165-PBGA (13x15)
UPD44644182AF5-E40X-FQ1

UPD44644182AF5-E40X-FQ1

DDR SRAM, 4MX18, 0.45NS

Renesas Electronics Corporation

73
UPD44644182AF5-E40X-FQ1数据手册 * - Bulk Active Not Verified - - - - - - - - - - - - - - -
UPD44644182AF5-E40-FQ1-A

UPD44644182AF5-E40-FQ1-A

DDR SRAM, 4MX18, 0.45NS

Renesas Electronics Corporation

51
UPD44644182AF5-E40-FQ1-A数据手册 * - Bulk Active Not Verified - - - - - - - - - - - - - - -
UPD44647186AF5-E30-FQ1

UPD44647186AF5-E30-FQ1

STANDARD SRAM, 4MX18, 0.45NS

Renesas Electronics Corporation

47
UPD44647186AF5-E30-FQ1数据手册 * - Bulk Active Not Verified - - - - - - - - - - - - - - -
UPD44647366AF5-E25X-FQ1

UPD44647366AF5-E25X-FQ1

STANDARD SRAM, 2MX36, 0.45NS

Renesas Electronics Corporation

32
UPD44647366AF5-E25X-FQ1数据手册 * - Bulk Active Not Verified - - - - - - - - - - - - - - -
UPD44645182AF5-E50-FQ1

UPD44645182AF5-E50-FQ1

STANDARD SRAM, 4MX18, 0.45NS

Renesas Electronics Corporation

31
UPD44645182AF5-E50-FQ1数据手册 * - Bulk Active Not Verified - - - - - - - - - - - - - - -
04368CBLBC-28

04368CBLBC-28

IC SRAM 8MBIT HSTL 153PBGA

IBM

96
04368CBLBC-28数据手册 - 153-BBGA Bulk Active Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous 8Mbit 256K x 36 HSTL - - 1.8 ns 2.375V ~ 2.625V 0°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 153-PBGA (14x22)
DS1250AB-100

DS1250AB-100

IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

0
DS1250AB-100数据手册 - 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Tube Obsolete Not Verified Non-Volatile NVSRAM NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 4Mbit 512K x 8 Parallel - 100ns 100 ns 4.75V ~ 5.25V 0°C ~ 70°C (TA) - - Through Hole 32-EDIP
HM1-6516-9

HM1-6516-9

STANDARD SRAM, 2KX8, 200NS, CMOS

Rochester Electronics, LLC

755
HM1-6516-9数据手册 * - Bulk Active Not Verified - - - - - - - - - - - - - - -
R1LV3216RSD-7SI#S0

R1LV3216RSD-7SI#S0

IC SRAM 32MBIT PAR 52TSOP II

Renesas Electronics Corporation

4,220
R1LV3216RSD-7SI#S0数据手册 - 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width) Bulk Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM 32Mbit 4M x 8, 2M x 16 Parallel - 70ns 70 ns 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 52-TSOP II
R1LV3216RSD-5SR#S0

R1LV3216RSD-5SR#S0

STANDARD SRAM, 2MX16, 55NS

Renesas Electronics Corporation

956
R1LV3216RSD-5SR#S0数据手册 * - Bulk Active Not Verified - - - - - - - - - - - - - - -
R1LV3216RSD-5SR#B0

R1LV3216RSD-5SR#B0

STANDARD SRAM, 2MX16, 55NS

Renesas Electronics Corporation

672
R1LV3216RSD-5SR#B0数据手册 * - Bulk Active Not Verified - - - - - - - - - - - - - - -
R1LV3216RSA-5SR#B0

R1LV3216RSA-5SR#B0

IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48TSOP I

Renesas Electronics Corporation

382
R1LV3216RSA-5SR#B0数据手册 - 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Tray Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM 32Mbit 4M x 8, 2M x 16 Parallel - 55ns 55 ns 2.7V ~ 3.6V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 48-TSOP I
CYD02S18V-133BBI

CYD02S18V-133BBI

IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256FBGA

Cypress Semiconductor Corp

45
CYD02S18V-133BBI数据手册 - 256-LBGA Bulk Active Not Verified Volatile SRAM SRAM - Dual Port, Standard 2Mbit 128K x 18 Parallel 133 MHz - 4.7 ns 1.7V ~ 1.9V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 256-FBGA (17x17)
CY7C0830AV-133AI

CY7C0830AV-133AI

IC SRAM 1.152MBIT PAR 120TQFP

Cypress Semiconductor Corp

44
CY7C0830AV-133AI数据手册 - 120-LQFP Bulk Active Not Verified Volatile SRAM SRAM - Dual Port, Synchronous 1.152Mbit 64K x 18 Parallel 133 MHz - - 3.135V ~ 3.465V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 120-TQFP (14x14)
DS1250Y-70

DS1250Y-70

IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

0
DS1250Y-70数据手册 - 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Tube Obsolete Not Verified Non-Volatile NVSRAM NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 4Mbit 512K x 8 Parallel - 70ns 70 ns 4.5V ~ 5.5V 0°C ~ 70°C (TA) - - Through Hole 32-EDIP
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分类概览

存储器 产品与选型指南

存储器 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

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