存储器

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 可编程 存储类型 存储格式 技术 存储容量 存储组织 存储接口 时钟频率 写周期时间 - 字,页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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UPD44324362BF5-E40-FQ1

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IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA

Renesas Electronics Corporation

14,456
UPD44324362BF5-E40-FQ1数据手册 - 165-LBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, DDR II 36Mbit 1M x 36 Parallel 250 MHz 4ns - 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 165-FBGA (15x17)
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QDR SRAM, 1MX36, 0.45NS

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11,965
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IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA

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6,945
UPD44325184BF5-E40-FQ1数据手册 - 165-FBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, QDR II 36Mbit 2M x 18 Parallel 250 MHz 4ns - 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 165-FBGA (15x17)
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IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA

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6,546
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IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA

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5,710
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QDR SRAM, 4MX8, 0.45NS

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4,591
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QDR SRAM, 1MX36, 0.45NS

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4,554
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QDR SRAM, 1MX36, 0.45NS

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4,229
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2,613
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DDR SRAM, 1MX36, 0.45NS

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2,439
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2,087
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IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA

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1,349
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DDR SRAM, 2MX18, 0.45NS

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1,161
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DDR SRAM, 1MX36, 0.45NS

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652
UPD44324362BF5-E40X-FQ1-A数据手册 * - Bulk Active Not Verified - - - - - - - - - - - - - - -
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QDR SRAM, 1MX36, 0.45NS

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634
UPD44325362BF5-E40X-FQ1-A数据手册 * - Bulk Active Not Verified - - - - - - - - - - - - - - -
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QDR SRAM, 1MX36, 0.45NS

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536
UPD44325362BF5-E50X-FQ1-A数据手册 * - Bulk Active Not Verified - - - - - - - - - - - - - - -
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IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA

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515
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UPD44324182BF5-E33-FQ1-A

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DDR SRAM, 2MX18, 0.45NS

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463
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IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA

Renesas Electronics Corporation

445
UPD44325092BF5-E40-FQ1-A数据手册 - 165-FBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, QDR II 36Mbit 4M x 9 Parallel 250 MHz 4ns - 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 165-FBGA (15x17)
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QDR SRAM, 4MX9, 0.45NS

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415
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存储器 产品与选型指南

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