存储器

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 可编程 存储类型 存储格式 技术 存储容量 存储组织 存储接口 时钟频率 写周期时间 - 字,页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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S3A8004R0M-JI1AT

S3A8004R0M-JI1AT

MRAM MEMORY IC 8MBIT QSPI 1.8V 1

Netsol

990
S3A8004R0M-JI1AT数据手册 - 8-WDFN Exposed Pad Cut Tape (CT) Active - Non-Volatile RAM MRAM (Magnetoresistive RAM) 8Mbit 2M x 4 SPI - Quad I/O 108 MHz - - 1.71V ~ 1.98V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 8-WSON (6x5)
S3A8004V0M-AI1AT

S3A8004V0M-AI1AT

MRAM MEMORY IC 8MBIT QSPI 3.3V 1

Netsol

984
S3A8004V0M-AI1AT数据手册 - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Cut Tape (CT) Active - Non-Volatile RAM MRAM (Magnetoresistive RAM) 8Mbit 2M x 4 SPI - Quad I/O 108 MHz - 7 ns 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 8-SOIC
S3A8004V0M-JI1AT

S3A8004V0M-JI1AT

MRAM MEMORY IC 8MBIT QSPI 3.3V 1

Netsol

982
S3A8004V0M-JI1AT数据手册 - 8-WDFN Exposed Pad Cut Tape (CT) Active - Non-Volatile RAM MRAM (Magnetoresistive RAM) 8Mbit 2M x 4 SPI - Quad I/O 108 MHz - 7 ns 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 8-WSON (6x5)
FC5MC1032G-I

FC5MC1032G-I

FORESEE INDUSTRIAL MICROSD CARDS

Lexar Enterprise

120
FC5MC1032G-I数据手册 I - Tray Active Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NAND (TLC) 32GByte (NAND) - MICRO SD 3.0 208 MHz 4.8ns - 2.7V ~ 3.6V -25°C ~ 85°C - - Socket -
CY62157ELL-55ZSXEKJ

CY62157ELL-55ZSXEKJ

ASYNC RAM

Cypress Semiconductor Corp

526
CY62157ELL-55ZSXEKJ数据手册 * - Bulk Active Not Verified - - - - - - - - - - - - - - -
100142DC

100142DC

SRAM, 4X4

National Semiconductor

118
100142DC数据手册 - 24-CDIP (0.600", 15.24mm) Bulk Active Not Verified Volatile CAM CAM 16bit 4 x 4 Parallel - - 4.5 ns - 0°C ~ 85°C (TC) - - Through Hole 24-CDIP
MT58L256L32DS-7.5

MT58L256L32DS-7.5

IC SRAM 8MBIT PARALLEL 100TQFP

Micron Technology Inc.

5,463
MT58L256L32DS-7.5数据手册 SYNCBURST™ 100-LQFP Bulk Active Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous 8Mbit 256K x 32 Parallel 133 MHz - 4 ns 3.135V ~ 3.6V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 100-TQFP (14x20.1)
CY7C1049BNL-17VCT

CY7C1049BNL-17VCT

IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

Cypress Semiconductor Corp

500
CY7C1049BNL-17VCT数据手册 - 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Bulk Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Asynchronous 4Mbit 512K x 8 Parallel - 17ns 17 ns 4.5V ~ 5.5V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 36-SOJ
S99WS128P0010

S99WS128P0010

IC FLASH

Infineon Technologies

0
S99WS128P0010数据手册 - - Tray Active Not Verified - FLASH FLASH - NOR - - - - - - - - - - - -
CY7C1360S-166AXC

CY7C1360S-166AXC

IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

Infineon Technologies

0
CY7C1360S-166AXC数据手册 - 100-LQFP Tray Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, SDR 9Mbit 256K x 36 Parallel 166 MHz - 3.5 ns 3.135V ~ 3.6V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 100-TQFP (14x14)
S29GL01GS11FHI020

S29GL01GS11FHI020

IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA

Infineon Technologies

0
S29GL01GS11FHI020数据手册 GL-S 64-LBGA Bulk Active Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NOR 1Gbit 64M x 16 Parallel - 60ns 110 ns 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 64-FBGA (13x11)
CY7C1312KV18-250BZI

CY7C1312KV18-250BZI

IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA

Infineon Technologies

4
CY7C1312KV18-250BZI数据手册 - 165-LBGA Tray Active Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, QDR II 18Mbit 1M x 18 Parallel 250 MHz - - 1.7V ~ 1.9V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 165-FBGA (13x15)
CY7C1360S-166AXCT

CY7C1360S-166AXCT

IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

Infineon Technologies

0
CY7C1360S-166AXCT数据手册 - 100-LQFP Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, SDR 9Mbit 256K x 36 Parallel 166 MHz - 3.5 ns 3.135V ~ 3.6V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 100-TQFP (14x14)
CY7C1320KV18-250BZI

CY7C1320KV18-250BZI

IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA

Infineon Technologies

472
CY7C1320KV18-250BZI数据手册 - 165-LBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, DDR II 18Mbit 512K x 36 Parallel 250 MHz - - 1.7V ~ 1.9V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 165-FBGA (13x15)
CY7C1320KV18-250BZXI

CY7C1320KV18-250BZXI

IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA

Infineon Technologies

8
CY7C1320KV18-250BZXI数据手册 - 165-LBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, DDR II 18Mbit 512K x 36 Parallel 250 MHz - - 1.7V ~ 1.9V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 165-FBGA (13x15)
IM6654-1IJG

IM6654-1IJG

IC EPROM 4KBIT PARALLEL 24CERDIP

Harris Corporation

1,035
IM6654-1IJG数据手册 - 24-CDIP (0.600", 15.24mm) Bulk Active Not Verified Non-Volatile EPROM EPROM - UV 4Kbit 512 x 8 Parallel - - 450 ns 4.5V ~ 5.5V -40°C ~ 85°C (TA) - - Through Hole 24-CERDIP
S29PL127J60TFI130

S29PL127J60TFI130

IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP

Cypress Semiconductor Corp

23,733
S29PL127J60TFI130数据手册 PL-J 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Tray Obsolete Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NOR 128Mbit 8M x 16 Parallel - 60ns 60 ns 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 56-TSOP
S26KL512SDABHV030

S26KL512SDABHV030

IC FLASH 512MBIT PAR 24FBGA

Cypress Semiconductor Corp

360
S26KL512SDABHV030数据手册 HYPERFLASH™ KL 24-VBGA Tray Active Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NOR 512Mbit 64M x 8 Parallel 100 MHz - 96 ns 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 105°C (TA) - - Surface Mount 24-FBGA (6x8)
CY14B101P-SFXI

CY14B101P-SFXI

IC NVSRAM 1MBIT SPI 40MHZ 16SOIC

Cypress Semiconductor Corp

502
CY14B101P-SFXI数据手册 - 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Tube Obsolete Not Verified Non-Volatile NVSRAM NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 1Mbit 128K x 8 SPI 40 MHz - - 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 16-SOIC
IME5116SDBETG-75

IME5116SDBETG-75

ECC SDRAM, 512MB, 3.3V, 32MX16,

Intelligent Memory Ltd.

108
IME5116SDBETG-75数据手册 - 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Tray Active - Volatile DRAM SDRAM 512Mbit 32M x 16 LVTTL 133 MHz 15ns 5.4 ns 3V ~ 3.6V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 54-TSOP II
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存储器 产品与选型指南

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