存储器

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 可编程 存储类型 存储格式 技术 存储容量 存储组织 存储接口 时钟频率 写周期时间 - 字,页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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MT53E1G32D4NQ-046 WT:F

MT53E1G32D4NQ-046 WT:F

IC DRAM 32GBIT 200VFBGA

Micron Technology Inc.

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MT53E1G32D4NQ-046 WT:F数据手册 - 200-VFBGA Bulk Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR4 32Gbit 1G x 32 - 2.133 GHz - - 1.06V ~ 1.17V -30°C ~ 85°C - - Surface Mount 200-VFBGA (10x14.5)
MT53E768M64D4HJ-046 AAT:A

MT53E768M64D4HJ-046 AAT:A

IC DRAM 48GBIT PAR 556WFBGA

Micron Technology Inc.

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MT53E768M64D4HJ-046 AAT:A数据手册 - 556-TFBGA Bulk Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR4 48Gbit 768M x 64 Parallel 2.133 GHz 18ns 3.5 ns 1.06V ~ 1.17V -40°C ~ 105°C (TC) Automotive AEC-Q100 Surface Mount 556-WFBGA (12.4x12.4)
MT53E768M64D4HJ-046 AIT:A

MT53E768M64D4HJ-046 AIT:A

IC DRAM 48GBIT PAR 556WFBGA

Micron Technology Inc.

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MT53E768M64D4HJ-046 AIT:A数据手册 - 556-TFBGA Bulk Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR4 48Gbit 768M x 64 Parallel 2.133 GHz 18ns 3.5 ns 1.06V ~ 1.17V -40°C ~ 95°C (TC) Automotive AEC-Q100 Surface Mount 556-WFBGA (12.4x12.4)
MT25QL256BBB8ESF-CSIT TR

MT25QL256BBB8ESF-CSIT TR

IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOP2

Micron Technology Inc.

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MT25QL256BBB8ESF-CSIT TR数据手册 - 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NOR (SLC) 128Mbit 16M x 8 SPI - Quad I/O 133 MHz 1.8ms 5 ns 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 16-SOP2
MT29F8T08EWLEEM5-QA:E

MT29F8T08EWLEEM5-QA:E

IC FLASH 8TBIT LBGA

Micron Technology Inc.

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MT29F8T08EWLEEM5-QA:E数据手册 - - Box Obsolete Not Verified - FLASH - 8Tbit 1T x 8 - - - - - - - - - -
MT29VZZZAD8GQFSL-046 W.9R8

MT29VZZZAD8GQFSL-046 W.9R8

IC FLASH RAM 544GBIT

Micron Technology Inc.

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MT29VZZZAD8GQFSL-046 W.9R8数据手册 - - Box Obsolete Not Verified - FLASH, RAM - 544Gbit - - - - - - - - - - -
MT62F1536M64D8CH-031 WT:A

MT62F1536M64D8CH-031 WT:A

IC DRAM 96GBIT FBGA

Micron Technology Inc.

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MT62F1536M64D8CH-031 WT:A数据手册 - - Box Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5 96Gbit 1.5G x 64 Parallel 3.2 GHz - - - -25°C ~ 85°C - - - -
MT62F768M64D4BG-036 WT:A

MT62F768M64D4BG-036 WT:A

IC DRAM 48GBIT FBGA

Micron Technology Inc.

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MT62F768M64D4BG-036 WT:A数据手册 - - Box Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5 48Gbit 768M x 64 Parallel 2.75 GHz - - - -25°C ~ 85°C - - - -
MT25QL128ABB8E12-CAUT TR

MT25QL128ABB8E12-CAUT TR

IC FLASH 128MBIT SPI 24TPBGA

Micron Technology Inc.

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MT25QL128ABB8E12-CAUT TR数据手册 - 24-TBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NOR (SLC) 128Mbit 16M x 8 SPI - Quad I/O 133 MHz 1.8ms 5 ns 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 125°C (TA) Automotive AEC-Q100 Surface Mount 24-T-PBGA (6x8)
MTFC128GAOALEA-WT

MTFC128GAOALEA-WT

IC FLASH 1TBIT MMC

Micron Technology Inc.

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MTFC128GAOALEA-WT数据手册 - - Box Obsolete Not Verified - FLASH - 1Tbit 128G x 8 MMC - - - - - - - - -
MT40A4G4JC-062E:E

MT40A4G4JC-062E:E

IC DRAM 16GBIT POD 78FBGA

Micron Technology Inc.

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MT40A4G4JC-062E:E数据手册 - 78-TFBGA Box Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - DDR4 16Gbit 4G x 4 POD 1.6 GHz 15ns 19 ns 1.14V ~ 1.26V 0°C ~ 95°C (TC) - - Surface Mount 78-FBGA (9x11)
MT53E512M32D2FW-046 AIT:D TR

MT53E512M32D2FW-046 AIT:D TR

IC DRAM 16GBIT 200TFBGA

Micron Technology Inc.

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MT53E512M32D2FW-046 AIT:D TR数据手册 - 200-TFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified - DRAM SDRAM - Mobile LPDDR4 16Gbit 512M x 32 - - - - - - - - Surface Mount 200-TFBGA (10x14.5)
MT29VZZZAD9GQFSM-046 W.9S9

MT29VZZZAD9GQFSM-046 W.9S9

IC FLASH RAM 1TBIT MCP

Micron Technology Inc.

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MT29VZZZAD9GQFSM-046 W.9S9数据手册 - - Box Obsolete Not Verified - FLASH, RAM - 1Tbit - - - - - - - - - - -
MTFC512GAXATAM-WT

MTFC512GAXATAM-WT

IC FLASH 4TBIT UFS 153FBGA

Micron Technology Inc.

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MTFC512GAXATAM-WT数据手册 - 153-VFBGA Box Obsolete Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NAND (SLC) 4Tbit 512G x 8 UFS - - - - -25°C ~ 85°C - - Surface Mount 153-VFBGA (11.5x13)
MT40A1G16KNR-075 IT:E

MT40A1G16KNR-075 IT:E

IC DRAM 16GBIT PAR 96FBGA

Micron Technology Inc.

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MT40A1G16KNR-075 IT:E数据手册 - 96-TFBGA Box Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - DDR4 16Gbit 1G x 16 Parallel 1.333 GHz 15ns 19 ns 1.14V ~ 1.26V -40°C ~ 95°C (TC) - - Surface Mount 96-FBGA (7.5x13.5)
MT53E512M32D2FW-046 AAT:D TR

MT53E512M32D2FW-046 AAT:D TR

IC DRAM 16GBIT PAR 200TFBGA

Micron Technology Inc.

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MT53E512M32D2FW-046 AAT:D TR数据手册 - 200-TFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR4 16Gbit 512M x 32 Parallel 2.133 GHz - - - -40°C ~ 105°C (TC) Automotive AEC-Q100 Surface Mount 200-TFBGA (10x14.5)
MT53E512M32D4NQ-053 RS WT:F

MT53E512M32D4NQ-053 RS WT:F

IC DRAM 16GBIT 200WFBGA

Micron Technology Inc.

0
MT53E512M32D4NQ-053 RS WT:F数据手册 - - Box Obsolete Not Verified - DRAM SDRAM - Mobile LPDDR4 16Gbit 512M x 32 - - - - - - - - - -
MT40A256M16LY-075:F

MT40A256M16LY-075:F

IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA

Micron Technology Inc.

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MT40A256M16LY-075:F数据手册 - 96-TFBGA Box Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - DDR4 4Gbit 256M x 16 Parallel 1.333 GHz 15ns 19 ns 1.14V ~ 1.26V 0°C ~ 95°C (TC) - - Surface Mount 96-FBGA (7.5x13.5)
MT53E512M32D2FW-046 WT:D

MT53E512M32D2FW-046 WT:D

IC DRAM 16GBIT 200TFBGA

Micron Technology Inc.

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MT53E512M32D2FW-046 WT:D数据手册 - 200-TFBGA Box Obsolete Not Verified - DRAM SDRAM - Mobile LPDDR4 16Gbit 512M x 32 - - - - - - - - Surface Mount 200-TFBGA (10x14.5)
MTFC256GAXATEA-WT

MTFC256GAXATEA-WT

IC FLASH 2TBIT UFS 153VFBGA

Micron Technology Inc.

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MTFC256GAXATEA-WT数据手册 - 153-VFBGA Box Obsolete Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NAND (SLC) 2Tbit 256G x 8 UFS - - - - -25°C ~ 85°C - - Surface Mount 153-VFBGA (11.5x13)

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存储器 产品与选型指南

存储器 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 存储器。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

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库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

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您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

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