存储器

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 可编程 存储类型 存储格式 技术 存储容量 存储组织 存储接口 时钟频率 写周期时间 - 字,页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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MT29F4G08ABADAH4-AT:D

MT29F4G08ABADAH4-AT:D

IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA

Micron Technology Inc.

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MT29F4G08ABADAH4-AT:D数据手册 - 63-VFBGA Tray Obsolete Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NAND 4Gbit 512M x 8 Parallel - - - 2.7V ~ 3.6V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 63-VFBGA (9x11)
MT29F16G08CBACAWP-IT:C TR

MT29F16G08CBACAWP-IT:C TR

IC FLASH 16GBIT PAR 48TSOP I

Micron Technology Inc.

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MT29F16G08CBACAWP-IT:C TR数据手册 - 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NAND 16Gbit 2G x 8 Parallel - - - 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 48-TSOP I
MT29F2G01AAAEDH4-IT:E TR

MT29F2G01AAAEDH4-IT:E TR

IC FLASH 2GBIT SPI 63VFBGA

Micron Technology Inc.

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MT29F2G01AAAEDH4-IT:E TR数据手册 - 63-VFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NAND 2Gbit 2G x 1 SPI - - - 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 63-VFBGA (9x11)
MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR

MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR

IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I

Micron Technology Inc.

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MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR数据手册 - 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NAND 2Gbit 256M x 8 Parallel - - - 2.7V ~ 3.6V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 48-TSOP I
MT29F64G08AEEDBJ4-12:D

MT29F64G08AEEDBJ4-12:D

IC FLASH 64GBIT PAR 132VBGA

Micron Technology Inc.

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MT29F64G08AEEDBJ4-12:D数据手册 - 132-VBGA Tray Obsolete Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NAND 64Gbit 8G x 8 Parallel 83 MHz - - 2.7V ~ 3.6V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 132-VBGA (12x18)
MT29F128G08AEEBBH6-12:B

MT29F128G08AEEBBH6-12:B

IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA

Micron Technology Inc.

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MT29F128G08AEEBBH6-12:B数据手册 - 152-VBGA Tube Obsolete Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NAND 128Gbit 16G x 8 Parallel 83 MHz - - 2.7V ~ 3.6V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 152-VBGA (14x18)
MT29F2G08ABAGAM79A3WC1

MT29F2G08ABAGAM79A3WC1

IC FLASH 2GBIT PARALLEL DIE

Micron Technology Inc.

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MT29F2G08ABAGAM79A3WC1数据手册 - Die Bulk Obsolete Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NAND 2Gbit 256M x 8 Parallel - - - 2.7V ~ 3.6V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount Die
MT29F2G08ABBGAM79A3WC1

MT29F2G08ABBGAM79A3WC1

IC FLASH 2GBIT PARALLEL DIE

Micron Technology Inc.

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MT29F2G08ABBGAM79A3WC1数据手册 - Die Bulk Obsolete Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NAND 2Gbit 256M x 8 Parallel - - - 1.7V ~ 1.95V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount Die
MT29F16G08CBACAL72A3WC1

MT29F16G08CBACAL72A3WC1

IC FLASH 16GBIT PARALLEL DIE

Micron Technology Inc.

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MT29F16G08CBACAL72A3WC1数据手册 - Die Tray Obsolete Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NAND 16Gbit 2G x 8 Parallel - - - 2.7V ~ 3.6V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount Die
MT29F32G08CBADBWP-12IT:D

MT29F32G08CBADBWP-12IT:D

IC FLASH 32GBIT PAR 48TSOP I

Micron Technology Inc.

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MT29F32G08CBADBWP-12IT:D数据手册 - 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Tray Obsolete Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NAND 32Gbit 4G x 8 Parallel 83 MHz - - 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 48-TSOP I
MT41K256M16TW-125:P

MT41K256M16TW-125:P

IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA

Micron Technology Inc.

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MT41K256M16TW-125:P数据手册 - 96-TFBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - DDR3L 4Gbit 256M x 16 Parallel 800 MHz - 20 ns 1.283V ~ 1.45V 0°C ~ 95°C (TC) - - Surface Mount 96-FBGA (8x14)
MT41K512M16HA-107G:A

MT41K512M16HA-107G:A

IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA

Micron Technology Inc.

0
MT41K512M16HA-107G:A数据手册 - 96-TFBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - DDR3L 8Gbit 512M x 16 Parallel 933 MHz - 20 ns 1.283V ~ 1.45V 0°C ~ 95°C (TC) - - Surface Mount 96-FBGA (9x14)
MT41K64M16TW-125:J

MT41K64M16TW-125:J

IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA

Micron Technology Inc.

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MT41K64M16TW-125:J数据手册 - 96-TFBGA Bulk Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - DDR3L 1Gbit 64M x 16 Parallel 800 MHz - 13.75 ns 1.283V ~ 1.45V 0°C ~ 95°C (TC) - - Surface Mount 96-FBGA (8x14)
EDFA364A3PD-JDTJ-F-R

EDFA364A3PD-JDTJ-F-R

IC DRAM 16GBIT PARALLEL 933MHZ

Micron Technology Inc.

0
EDFA364A3PD-JDTJ-F-R数据手册 - - Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR3 16Gbit 256M x 64 Parallel 933 MHz - - 1.14V ~ 1.95V -30°C ~ 105°C (TC) - - - -
EDW4032BABG-50-F-D

EDW4032BABG-50-F-D

IC RAM 4GBIT PAR 1.25GHZ 170FBGA

Micron Technology Inc.

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EDW4032BABG-50-F-D数据手册 - 170-TFBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile RAM SGRAM - GDDR5 4Gbit 128M x 32 Parallel 1.25 GHz - - 1.31V ~ 1.65V 0°C ~ 95°C (TC) - - Surface Mount 170-FBGA (12x14)
EDW4032BABG-80-F-D

EDW4032BABG-80-F-D

IC RAM 4GBIT PAR 2GHZ 170FBGA

Micron Technology Inc.

0
EDW4032BABG-80-F-D数据手册 - 170-TFBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile RAM SGRAM - GDDR5 4Gbit 128M x 32 Parallel 2 GHz - - 1.31V ~ 1.65V 0°C ~ 95°C (TC) - - Surface Mount 170-FBGA (12x14)
MT47H128M8CF-25E:M

MT47H128M8CF-25E:M

IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA

Micron Technology Inc.

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MT47H128M8CF-25E:M数据手册 - 60-TFBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - DDR2 1Gbit 128M x 8 Parallel 400 MHz 15ns 400 ps 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 85°C (TC) - - Surface Mount 60-FBGA (8x10)
MT49H16M18CTR-25:B

MT49H16M18CTR-25:B

IC DRAM 288MBIT PARALLEL 400MHZ

Micron Technology Inc.

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MT49H16M18CTR-25:B数据手册 - - Tray Obsolete Not Verified Volatile DRAM DRAM 288Mbit 16M x 18 Parallel 400 MHz - 20 ns 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 95°C (TC) - - - -
MT40A1G16KNR-075:E

MT40A1G16KNR-075:E

IC DRAM 16GBIT PAR 96FBGA

Micron Technology Inc.

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MT40A1G16KNR-075:E数据手册 - 96-TFBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - DDR4 16Gbit 1G x 16 Parallel 1.33 GHz 15ns 19 ns 1.14V ~ 1.26V 0°C ~ 95°C (TC) - - Surface Mount 96-FBGA (7.5x13.5)
MT41K64M16V88AWC1

MT41K64M16V88AWC1

IC DRAM 1GBIT PARALLEL 800MHZ

Micron Technology Inc.

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MT41K64M16V88AWC1数据手册 - Die Bulk Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - DDR3L 1Gbit 64M x 16 Parallel 800 MHz - 13.75 ns 1.283V ~ 1.45V 0°C ~ 95°C (TC) - - - Die

分类概览

存储器 产品与选型指南

存储器 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 存储器。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

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如何选择合适的 存储器?

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