存储器

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 可编程 存储类型 存储格式 技术 存储容量 存储组织 存储接口 时钟频率 写周期时间 - 字,页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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MT46V64M16P-6T IT:A

MT46V64M16P-6T IT:A

IC DRAM 1GBIT PAR 167MHZ 66TSOP

Micron Technology Inc.

0
MT46V64M16P-6T IT:A数据手册 - 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Tray Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - DDR 1Gbit 64M x 16 Parallel 167 MHz 15ns 700 ps 2.3V ~ 2.7V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 66-TSOP
MT46V64M8BN-6 IT:F

MT46V64M8BN-6 IT:F

IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA

Micron Technology Inc.

0
MT46V64M8BN-6 IT:F数据手册 - 60-TFBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - DDR 512Mbit 64M x 8 Parallel 167 MHz 15ns 700 ps 2.3V ~ 2.7V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 60-FBGA (10x12.5)
MT46V64M8BN-6 L:F

MT46V64M8BN-6 L:F

IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA

Micron Technology Inc.

0
MT46V64M8BN-6 L:F数据手册 - 60-TFBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - DDR 512Mbit 64M x 8 Parallel 167 MHz 15ns 700 ps 2.3V ~ 2.7V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 60-FBGA (10x12.5)
MT46V64M8P-5B L IT:F

MT46V64M8P-5B L IT:F

IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP

Micron Technology Inc.

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MT46V64M8P-5B L IT:F数据手册 - 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Tray Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - DDR 512Mbit 64M x 8 Parallel 200 MHz 15ns 700 ps 2.5V ~ 2.7V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 66-TSOP
MT47H128M16RT-3:C

MT47H128M16RT-3:C

IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA

Micron Technology Inc.

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MT47H128M16RT-3:C数据手册 - 84-TFBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - DDR2 2Gbit 128M x 16 Parallel 333 MHz 15ns 450 ps 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 85°C (TC) - - Surface Mount 84-FBGA (9x12.5)
MT47H128M4CF-25E:G

MT47H128M4CF-25E:G

IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA

Micron Technology Inc.

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MT47H128M4CF-25E:G数据手册 - 60-TFBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - DDR2 512Mbit 128M x 4 Parallel 400 MHz 15ns 400 ps 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 85°C (TC) - - Surface Mount 60-FBGA (8x10)
MT47H128M8CF-187E:H

MT47H128M8CF-187E:H

IC DRAM 1GBIT PAR 60FBGA

Micron Technology Inc.

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MT47H128M8CF-187E:H数据手册 - 60-TFBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - DDR2 1Gbit 128M x 8 Parallel 533 MHz 15ns 350 ps 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 85°C (TC) - - Surface Mount 60-FBGA (8x10)
MT47H128M8CF-25:H

MT47H128M8CF-25:H

IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA

Micron Technology Inc.

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MT47H128M8CF-25:H数据手册 - 60-TFBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - DDR2 1Gbit 128M x 8 Parallel 400 MHz 15ns 400 ps 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 85°C (TC) - - Surface Mount 60-FBGA (8x10)
MT47H128M8CF-25E IT:H

MT47H128M8CF-25E IT:H

IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA

Micron Technology Inc.

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MT47H128M8CF-25E IT:H数据手册 - 60-TFBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - DDR2 1Gbit 128M x 8 Parallel 400 MHz 15ns 400 ps 1.7V ~ 1.9V -40°C ~ 95°C (TC) - - Surface Mount 60-FBGA (8x10)
MT47H128M8CF-25E:H

MT47H128M8CF-25E:H

IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA

Micron Technology Inc.

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MT47H128M8CF-25E:H数据手册 - 60-TFBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - DDR2 1Gbit 128M x 8 Parallel 400 MHz 15ns 400 ps 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 85°C (TC) - - Surface Mount 60-FBGA (8x10)
MT47H128M8CF-3 AIT:H

MT47H128M8CF-3 AIT:H

IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA

Micron Technology Inc.

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MT47H128M8CF-3 AIT:H数据手册 - 60-TFBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - DDR2 1Gbit 128M x 8 Parallel 333 MHz 15ns 450 ps 1.7V ~ 1.9V -40°C ~ 95°C (TC) Automotive AEC-Q100 Surface Mount 60-FBGA (8x10)
MT47H128M8CF-3 IT:H

MT47H128M8CF-3 IT:H

IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA

Micron Technology Inc.

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MT47H128M8CF-3 IT:H数据手册 - 60-TFBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - DDR2 1Gbit 128M x 8 Parallel 333 MHz 15ns 450 ps 1.7V ~ 1.9V -40°C ~ 95°C (TC) - - Surface Mount 60-FBGA (8x10)
MT47H128M8CF-3 L:H

MT47H128M8CF-3 L:H

IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA

Micron Technology Inc.

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MT47H128M8CF-3 L:H数据手册 - 60-TFBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - DDR2 1Gbit 128M x 8 Parallel 333 MHz 15ns 450 ps 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 85°C (TC) - - Surface Mount 60-FBGA (8x10)
MT47H128M8CF-3:H

MT47H128M8CF-3:H

IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA

Micron Technology Inc.

0
MT47H128M8CF-3:H数据手册 - 60-TFBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - DDR2 1Gbit 128M x 8 Parallel 333 MHz 15ns 450 ps 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 85°C (TC) - - Surface Mount 60-FBGA (8x10)
MT47H128M8JN-25E:H

MT47H128M8JN-25E:H

IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA

Micron Technology Inc.

0
MT47H128M8JN-25E:H数据手册 - 60-TFBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - DDR2 1Gbit 128M x 8 Parallel 400 MHz 15ns 400 ps 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 85°C (TC) - - Surface Mount 60-FBGA (8x10)
MT47H128M8JN-3 IT:H

MT47H128M8JN-3 IT:H

IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA

Micron Technology Inc.

0
MT47H128M8JN-3 IT:H数据手册 - 60-TFBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - DDR2 1Gbit 128M x 8 Parallel 333 MHz 15ns 450 ps 1.7V ~ 1.9V -40°C ~ 95°C (TC) - - Surface Mount 60-FBGA (8x10)
MT47H128M8JN-3:H

MT47H128M8JN-3:H

IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA

Micron Technology Inc.

0
MT47H128M8JN-3:H数据手册 - 60-TFBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - DDR2 1Gbit 128M x 8 Parallel 333 MHz 15ns 450 ps 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 85°C (TC) - - Surface Mount 60-FBGA (8x10)
MT47H256M4CF-25E:H

MT47H256M4CF-25E:H

IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA

Micron Technology Inc.

0
MT47H256M4CF-25E:H数据手册 - 60-TFBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - DDR2 1Gbit 256M x 4 Parallel 400 MHz 15ns 400 ps 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 85°C (TC) - - Surface Mount 60-FBGA (8x10)
MT47H256M4CF-3:H

MT47H256M4CF-3:H

IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA

Micron Technology Inc.

0
MT47H256M4CF-3:H数据手册 - 60-TFBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - DDR2 1Gbit 256M x 4 Parallel 333 MHz 15ns 450 ps 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 85°C (TC) - - Surface Mount 60-FBGA (8x10)
MT47H256M8EB-25E IT:C

MT47H256M8EB-25E IT:C

IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA

Micron Technology Inc.

0
MT47H256M8EB-25E IT:C数据手册 - 60-TFBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - DDR2 2Gbit 256M x 8 Parallel 400 MHz 15ns 400 ps 1.7V ~ 1.9V -40°C ~ 95°C (TC) - - Surface Mount 60-FBGA (9x11.5)

分类概览

存储器 产品与选型指南

存储器 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 存储器。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

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如何选择合适的 存储器?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

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库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

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您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

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