存储器

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 可编程 存储类型 存储格式 技术 存储容量 存储组织 存储接口 时钟频率 写周期时间 - 字,页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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CY7C1414BV18-250BZC

CY7C1414BV18-250BZC

IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA

Infineon Technologies

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CY7C1414BV18-250BZC数据手册 - 165-LBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, QDR II 36Mbit 1M x 36 Parallel 250 MHz - - 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 165-FBGA (15x17)
CY7C1460AV25-167BZXI

CY7C1460AV25-167BZXI

IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA

Infineon Technologies

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CY7C1460AV25-167BZXI数据手册 NoBL™ 165-LBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, SDR 36Mbit 1M x 36 Parallel 167 MHz - 3.4 ns 2.375V ~ 2.625V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 165-FBGA (15x17)
CY7C1415BV18-167BZC

CY7C1415BV18-167BZC

IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA

Infineon Technologies

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CY7C1415BV18-167BZC数据手册 - 165-LBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, QDR II 36Mbit 1M x 36 Parallel 167 MHz - - 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 165-FBGA (15x17)
CY7C1415BV18-167BZI

CY7C1415BV18-167BZI

IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA

Infineon Technologies

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CY7C1415BV18-167BZI数据手册 - 165-LBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, QDR II 36Mbit 1M x 36 Parallel 167 MHz - - 1.7V ~ 1.9V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 165-FBGA (15x17)
CY7C1415BV18-200BZC

CY7C1415BV18-200BZC

IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

Infineon Technologies

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CY7C1415BV18-200BZC数据手册 - 165-LBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, QDR II 36Mbit 1M x 36 Parallel 200 MHz - - 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 165-FBGA (15x17)
CY7C0853V-133BBC

CY7C0853V-133BBC

IC SRAM 9MBIT PARALLEL 172FBGA

Infineon Technologies

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CY7C0853V-133BBC数据手册 - 172-LBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Dual Port, Synchronous 9Mbit 256K x 36 Parallel 133 MHz - - 3.135V ~ 3.465V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 172-FBGA (15x15)
CY7C0853V-100BBC

CY7C0853V-100BBC

IC SRAM 9MBIT PARALLEL 172FBGA

Infineon Technologies

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CY7C0853V-100BBC数据手册 - 172-LBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Dual Port, Synchronous 9Mbit 256K x 36 Parallel 100 MHz - - 3.135V ~ 3.465V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 172-FBGA (15x15)
CY7C194BN-15PC

CY7C194BN-15PC

IC SRAM 256KBIT PARALLEL 24DIP

Infineon Technologies

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CY7C194BN-15PC数据手册 - 24-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Asynchronous 256Kbit 64K x 4 Parallel - 15ns 15 ns 4.5V ~ 5.5V 0°C ~ 70°C (TA) - - Through Hole 24-PDIP
602-20012

602-20012

IC EEPROM 128KBIT I2C 8SOIC

Parallax Inc.

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602-20012数据手册 - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Active Not Verified Non-Volatile EEPROM EEPROM 128Kbit 16K x 8 I2C 1 MHz 5ms 400 ns 1.7V ~ 5.5V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 8-SOIC
MT49H8M36FM-5 TR

MT49H8M36FM-5 TR

IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA

Micron Technology Inc.

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MT49H8M36FM-5 TR数据手册 - 144-TFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile DRAM DRAM 288Mbit 8M x 36 Parallel 200 MHz - 20 ns 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 95°C (TC) - - Surface Mount 144-FBGA (18.5x11)
MT49H8M36FM-25 TR

MT49H8M36FM-25 TR

IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA

Micron Technology Inc.

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MT49H8M36FM-25 TR数据手册 - 144-TFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile DRAM DRAM 288Mbit 8M x 36 Parallel 400 MHz - 20 ns 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 95°C (TC) - - Surface Mount 144-FBGA (18.5x11)
MT49H32M9FM-25 TR

MT49H32M9FM-25 TR

IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA

Micron Technology Inc.

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MT49H32M9FM-25 TR数据手册 - 144-TFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile DRAM DRAM 288Mbit 32M x 9 Parallel 400 MHz - 20 ns 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 95°C (TC) - - Surface Mount 144-µBGA (18.5x11)
MT41J256M4HX-15E:D TR

MT41J256M4HX-15E:D TR

IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA

Micron Technology Inc.

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MT41J256M4HX-15E:D TR数据手册 - 78-TFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - DDR3 1Gbit 256M x 4 Parallel 667 MHz - - 1.425V ~ 1.575V 0°C ~ 95°C (TC) - - Surface Mount 78-FBGA (9x11.5)
MT41J64M16LA-15E:B TR

MT41J64M16LA-15E:B TR

IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA

Micron Technology Inc.

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MT41J64M16LA-15E:B TR数据手册 - 96-FBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - DDR3 1Gbit 64M x 16 Parallel 667 MHz - - 1.425V ~ 1.575V 0°C ~ 95°C (TC) - - Surface Mount 96-FBGA (9x15.5)
MT29F64G08TAAWP:A TR

MT29F64G08TAAWP:A TR

IC FLASH 64GBIT PAR 48TSOP I

Micron Technology Inc.

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MT29F64G08TAAWP:A TR数据手册 - 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NAND 64Gbit 8G x 8 Parallel - - - 2.7V ~ 3.6V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 48-TSOP I
MT49H8M36FM-33 TR

MT49H8M36FM-33 TR

IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA

Micron Technology Inc.

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MT49H8M36FM-33 TR数据手册 - 144-TFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile DRAM DRAM 288Mbit 8M x 36 Parallel 300 MHz - 20 ns 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 95°C (TC) - - Surface Mount 144-FBGA (18.5x11)
MT49H16M16FM-5 TR

MT49H16M16FM-5 TR

IC DRAM 256MBIT PARALLEL 144UBGA

Micron Technology Inc.

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MT49H16M16FM-5 TR数据手册 - 144-TFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile DRAM DRAM 256Mbit 16M x 16 Parallel 200 MHz - - 1.7V ~ 1.95V 0°C ~ 95°C (TC) - - Surface Mount 144-µBGA (18.5x11)
MT49H8M36BM-33 TR

MT49H8M36BM-33 TR

IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA

Micron Technology Inc.

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MT49H8M36BM-33 TR数据手册 - 144-TFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile DRAM DRAM 288Mbit 8M x 36 Parallel 300 MHz - 20 ns 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 95°C (TC) - - Surface Mount 144-µBGA (18.5x11)
AT34C02CY6-YH-T

AT34C02CY6-YH-T

IC EEPROM 2KBIT I2C 8MINI MAP

Microchip Technology

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AT34C02CY6-YH-T数据手册 - 8-UFDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Non-Volatile EEPROM EEPROM 2Kbit 256 x 8 I2C 400 kHz 5ms 900 ns 1.7V ~ 5.5V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 8-Mini Map (2x3)
CYD18S18V18-200BBAXC

CYD18S18V18-200BBAXC

IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA

Infineon Technologies

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CYD18S18V18-200BBAXC数据手册 - 256-LBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Dual Port, Synchronous 18Mbit 1M x 18 Parallel 200 MHz - 3.3 ns 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 256-FBGA (17x17)

分类概览

存储器 产品与选型指南

存储器 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 存储器。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 存储器?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

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库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

找不到指定型号怎么办?

您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

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