存储器

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 可编程 存储类型 存储格式 技术 存储容量 存储组织 存储接口 时钟频率 写周期时间 - 字,页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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MT46H16M32LFCM-6:B TR

MT46H16M32LFCM-6:B TR

IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA

Micron Technology Inc.

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MT46H16M32LFCM-6:B TR数据手册 - 90-VFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR 512Mbit 16M x 32 Parallel 166 MHz 15ns 5 ns 1.7V ~ 1.95V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 90-VFBGA (10x13)
MT46H32M16LFBF-5:B TR

MT46H32M16LFBF-5:B TR

IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA

Micron Technology Inc.

0
MT46H32M16LFBF-5:B TR数据手册 - 60-VFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR 512Mbit 32M x 16 Parallel 200 MHz 15ns 5 ns 1.7V ~ 1.95V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 60-VFBGA (8x9)
MT46H32M16LFBF-6 IT:B TR

MT46H32M16LFBF-6 IT:B TR

IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA

Micron Technology Inc.

0
MT46H32M16LFBF-6 IT:B TR数据手册 - 60-VFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR 512Mbit 32M x 16 Parallel 166 MHz 15ns 5 ns 1.7V ~ 1.95V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 60-VFBGA (8x9)
MT46H32M16LFBF-6:B TR

MT46H32M16LFBF-6:B TR

IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA

Micron Technology Inc.

0
MT46H32M16LFBF-6:B TR数据手册 - 60-VFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR 512Mbit 32M x 16 Parallel 166 MHz 15ns 5 ns 1.7V ~ 1.95V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 60-VFBGA (8x9)
MT48H16M32LFCM-75 IT:B TR

MT48H16M32LFCM-75 IT:B TR

IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA

Micron Technology Inc.

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MT48H16M32LFCM-75 IT:B TR数据手册 - 90-VFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPSDR 512Mbit 16M x 32 Parallel 133 MHz 15ns 5.4 ns 1.7V ~ 1.95V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 90-VFBGA (10x13)
MT48H16M32LFCM-75:B TR

MT48H16M32LFCM-75:B TR

IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA

Micron Technology Inc.

0
MT48H16M32LFCM-75:B TR数据手册 - 90-VFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPSDR 512Mbit 16M x 32 Parallel 133 MHz 15ns 5.4 ns 1.7V ~ 1.95V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 90-VFBGA (10x13)
MT48H32M16LFBF-75 IT:B TR

MT48H32M16LFBF-75 IT:B TR

IC DRAM 512MBIT PAR 54VFBGA

Micron Technology Inc.

0
MT48H32M16LFBF-75 IT:B TR数据手册 - 54-VFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPSDR 512Mbit 32M x 16 Parallel 133 MHz 15ns 5.4 ns 1.7V ~ 1.95V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 54-VFBGA (6x9)
MT48H32M16LFBF-75:B TR

MT48H32M16LFBF-75:B TR

IC DRAM 512MBIT PAR 54VFBGA

Micron Technology Inc.

0
MT48H32M16LFBF-75:B TR数据手册 - 54-VFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPSDR 512Mbit 32M x 16 Parallel 133 MHz 15ns 5.4 ns 1.7V ~ 1.95V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 54-VFBGA (6x9)
DS2431Q+U

DS2431Q+U

IC EEPROM 1KBIT 1-WIRE 6TDFN

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

0
DS2431Q+U数据手册 - 6-WDFN Exposed Pad Strip Active Not Verified Non-Volatile EEPROM EEPROM 1Kbit 256 x 4 1-Wire® - - 2 µs - -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 6-TDFN (3x3)
DS1270W-100IND#

DS1270W-100IND#

IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

0
DS1270W-100IND#数据手册 - 36-DIP Module (0.610", 15.49mm) Tube Obsolete Not Verified Non-Volatile NVSRAM NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 16Mbit 2M x 8 Parallel - 100ns 100 ns 3V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Through Hole 36-EDIP
DS1270W-100#

DS1270W-100#

IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

0
DS1270W-100#数据手册 - 36-DIP Module (0.610", 15.49mm) Tube Obsolete Not Verified Non-Volatile NVSRAM NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 16Mbit 2M x 8 Parallel - 100ns 100 ns 3V ~ 3.6V 0°C ~ 70°C (TA) - - Through Hole 36-EDIP
DS1265W-100+

DS1265W-100+

IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

0
DS1265W-100+数据手册 - 36-DIP Module (0.610", 15.49mm) Tube Obsolete Not Verified Non-Volatile NVSRAM NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 8Mbit 1M x 8 Parallel - 100ns 100 ns 3V ~ 3.6V 0°C ~ 70°C (TA) - - Through Hole 36-EDIP
DS1250ABP-100+

DS1250ABP-100+

IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

0
DS1250ABP-100+数据手册 - 34-PowerCap™ Module Obsolete Not Verified Non-Volatile NVSRAM NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 4Mbit 512K x 8 Parallel - 100ns 100 ns 4.75V ~ 5.25V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 34-PowerCap Module
DS1250WP-100IND+

DS1250WP-100IND+

IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

0
DS1250WP-100IND+数据手册 - 34-PowerCap™ Module Tray Obsolete Not Verified Non-Volatile NVSRAM NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 4Mbit 512K x 8 Parallel - 100ns 100 ns 3V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 34-PowerCap Module
DS1245WP-100IND+

DS1245WP-100IND+

IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

0
DS1245WP-100IND+数据手册 - 34-PowerCap™ Module Obsolete Not Verified Non-Volatile NVSRAM NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 1Mbit 128K x 8 Parallel - 100ns 100 ns 3V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 34-PowerCap Module
DS28DG02G-3C+T

DS28DG02G-3C+T

IC EEPROM 2KBIT SPI 2MHZ 36TQFN

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

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DS28DG02G-3C+T数据手册 - 36-WFQFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Non-Volatile EEPROM EEPROM 2Kbit 256 x 8 SPI 2 MHz - - 2.2V ~ 5.25V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 36-TQFN (6x6)
DS28DG02E-3C+T

DS28DG02E-3C+T

IC EEPROM 2KBIT SPI 2MHZ 28TSSOP

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

0
DS28DG02E-3C+T数据手册 - 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Non-Volatile EEPROM EEPROM 2Kbit 256 x 8 SPI 2 MHz - - 2.2V ~ 5.25V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 28-TSSOP-EP
DS28CZ04G-4+

DS28CZ04G-4+

IC EEPROM 4KBIT I2C 12TQFN

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

0
DS28CZ04G-4+数据手册 - 12-WQFN Exposed Pad Tube Obsolete Not Verified Non-Volatile EEPROM EEPROM 4Kbit 512 x 8 I2C 400 kHz - - 2V ~ 5.25V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 12-TQFN (4x4)
DS28CZ04G-4+T

DS28CZ04G-4+T

IC EEPROM 4KBIT I2C 12TQFN

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

0
DS28CZ04G-4+T数据手册 - 12-WQFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Non-Volatile EEPROM EEPROM 4Kbit 512 x 8 I2C 400 kHz - - 2V ~ 5.25V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 12-TQFN (4x4)
CAT22C10LI20

CAT22C10LI20

IC NVSRAM 256BIT 200NS 18DIP

onsemi

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CAT22C10LI20数据手册 - 18-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete Not Verified Non-Volatile NVSRAM NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 256bit 64 x 4 Parallel - 200ns 200 ns 4.5V ~ 5.5V -40°C ~ 85°C (TA) - - Through Hole 18-PDIP

分类概览

存储器 产品与选型指南

存储器 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 存储器。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 存储器?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

页面上的库存信息是否可以直接采购?

库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

找不到指定型号怎么办?

您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

是否可以提供 Datasheet 和技术资料?

可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

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