存储器

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 可编程 存储类型 存储格式 技术 存储容量 存储组织 存储接口 时钟频率 写周期时间 - 字,页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A TR

MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A TR

IC FLASH 256GBIT PAR 100LBGA

Micron Technology Inc.

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MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A TR数据手册 - 100-LBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NAND (SLC) 256Gbit 32G x 8 Parallel 100 MHz - - 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 100-LBGA (12x18)
MT29F8T08GULBEM4:B TR

MT29F8T08GULBEM4:B TR

IC FLASH 8TBIT LBGA

Micron Technology Inc.

0
MT29F8T08GULBEM4:B TR数据手册 - - Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified - FLASH - 8Tbit 1T x 8 - - - - - - - - - -
MT30AZZZEDB0TPEQ-031 WN.20Z TR

MT30AZZZEDB0TPEQ-031 WN.20Z TR

IC FLASH RAM 4TBIT LFBGA

Micron Technology Inc.

0
MT30AZZZEDB0TPEQ-031 WN.20Z TR数据手册 - - Tape & Reel (TR) Obsolete - - FLASH, RAM - 4Tbit - - - - - - - - - - -
MT30AZZZEDB0TPEQ-031 W.20Z TR

MT30AZZZEDB0TPEQ-031 W.20Z TR

IC FLASH RAM 4TBIT MCP

Micron Technology Inc.

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MT30AZZZEDB0TPEQ-031 W.20Z TR数据手册 - - Tape & Reel (TR) Obsolete - - FLASH, RAM - 4Tbit - - - - - - - - - - -
MT30AZZZEDB0TPEQ-031 WN.20Z

MT30AZZZEDB0TPEQ-031 WN.20Z

IC FLASH RAM 4TBIT LFBGA

Micron Technology Inc.

0
MT30AZZZEDB0TPEQ-031 WN.20Z数据手册 - - Tray Obsolete - - FLASH, RAM - 4Tbit - - - - - - - - - - -
MT30AZZZEDB0TPEQ-031 W.20Z

MT30AZZZEDB0TPEQ-031 W.20Z

IC FLASH RAM 4TBIT MCP

Micron Technology Inc.

0
MT30AZZZEDB0TPEQ-031 W.20Z数据手册 - - Tray Obsolete - - FLASH, RAM - 4Tbit - - - - - - - - - - -
DS1270Y-100#

DS1270Y-100#

IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

0
DS1270Y-100#数据手册 - 36-DIP Module (0.610", 15.49mm) Tube Obsolete Not Verified Non-Volatile NVSRAM NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 16Mbit 2M x 8 Parallel - 100ns 100 ns 4.5V ~ 5.5V 0°C ~ 70°C (TA) - - Through Hole 36-EDIP
CY7C1470V33-167AXI

CY7C1470V33-167AXI

IC SRAM 72MBIT PAR 100TQFP

Infineon Technologies

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CY7C1470V33-167AXI数据手册 NoBL™ 100-LQFP Tray Active Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, SDR 72Mbit 2M x 36 Parallel 167 MHz - 3.4 ns 3.135V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 100-TQFP (14x20)
70V3599S133BC

70V3599S133BC

IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA

Renesas Electronics Corporation

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70V3599S133BC数据手册 - 256-LBGA Tray Active Not Verified Volatile SRAM SRAM - Dual Port, Synchronous 4.5Mbit 128K x 36 Parallel 133 MHz - 4.2 ns 3.15V ~ 3.45V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 256-CABGA (17x17)
MT29F8T08EWLKEM5-M:K

MT29F8T08EWLKEM5-M:K

IC FLASH 8TBIT LBGA

Micron Technology Inc.

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MT29F8T08EWLKEM5-M:K数据手册 - - Tray Active - - FLASH - 8Tbit 1T x 8 - - - - - - - - - -
MT29F8T08EWLKEM5-M:K TR

MT29F8T08EWLKEM5-M:K TR

IC FLASH 8TBIT LBGA

Micron Technology Inc.

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MT29F8T08EWLKEM5-M:K TR数据手册 - - Tape & Reel (TR) Active - - FLASH - 8Tbit 1T x 8 - - - - - - - - - -
STK12C68-L45I

STK12C68-L45I

IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28LCC

Infineon Technologies

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STK12C68-L45I数据手册 - 28-LCC Tube Obsolete Not Verified Non-Volatile NVSRAM NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 64Kbit 8K x 8 Parallel - 45ns 45 ns 4.5V ~ 5.5V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 28-LCC (13.97x8.89)
CY7C1512TV18-250BZI

CY7C1512TV18-250BZI

IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA

Infineon Technologies

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CY7C1512TV18-250BZI数据手册 - 165-LBGA Bag Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, QDR II 72Mbit 4M x 18 Parallel 250 MHz - - 1.7V ~ 1.9V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 165-FBGA (13x15)
CY7C4021KV13-600FCXC

CY7C4021KV13-600FCXC

IC SRAM 72MBIT PAR 361FCBGA

Infineon Technologies

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CY7C4021KV13-600FCXC数据手册 - 361-BBGA, FCBGA Tray Last Time Buy Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, QDR IV 72Mbit 4M x 18 Parallel 600 MHz - - 1.1V ~ 1.3V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 361-FCBGA (21x21)
CY7C4041KV13-600FCXC

CY7C4041KV13-600FCXC

IC SRAM 72MBIT PAR 361FCBGA

Infineon Technologies

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CY7C4041KV13-600FCXC数据手册 - 361-BBGA, FCBGA Tray Active Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, QDR IV 72Mbit 2M x 36 Parallel 600 MHz - - 1.1V ~ 1.3V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 361-FCBGA (21x21)
70T631S12BCI8

70T631S12BCI8

IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA

Renesas Electronics Corporation

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70T631S12BCI8数据手册 - 256-LBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Dual Port, Asynchronous 4.5Mbit 256K x 18 Parallel - 12ns 12 ns 2.4V ~ 2.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 256-CABGA (17x17)
70T659S12BCI8

70T659S12BCI8

IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA

Renesas Electronics Corporation

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70T659S12BCI8数据手册 - 256-LBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Dual Port, Asynchronous 4.5Mbit 128K x 36 Parallel - 12ns 12 ns 2.4V ~ 2.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 256-CABGA (17x17)
70T659S12BFI8

70T659S12BFI8

IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA

Renesas Electronics Corporation

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70T659S12BFI8数据手册 - 208-LFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Dual Port, Asynchronous 4.5Mbit 128K x 36 Parallel - 12ns 12 ns 2.4V ~ 2.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 208-CABGA (15x15)
70V631S12BCI8

70V631S12BCI8

IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA

Renesas Electronics Corporation

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70V631S12BCI8数据手册 - 256-LBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Dual Port, Asynchronous 4.5Mbit 256K x 18 Parallel - 12ns 12 ns 3.15V ~ 3.45V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 256-CABGA (17x17)
70V631S12BFGI8

70V631S12BFGI8

IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA

Renesas Electronics Corporation

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70V631S12BFGI8数据手册 - 208-LFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Dual Port, Asynchronous 4.5Mbit 256K x 18 Parallel - 12ns 12 ns 3.15V ~ 3.45V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 208-CABGA (15x15)

分类概览

存储器 产品与选型指南

存储器 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

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