存储器

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 可编程 存储类型 存储格式 技术 存储容量 存储组织 存储接口 时钟频率 写周期时间 - 字,页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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70V9279L7PRFGI

70V9279L7PRFGI

IC SRAM 512KBIT PARALLEL 128TQFP

Renesas Electronics Corporation

0
70V9279L7PRFGI数据手册 - 128-LQFP Tray Active Not Verified Volatile SRAM SRAM - Dual Port, Synchronous 512Kbit 32K x 16 Parallel - - 7.5 ns 3V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 128-TQFP (14x20)
70V3589S166DRG8

70V3589S166DRG8

IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP

Renesas Electronics Corporation

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70V3589S166DRG8数据手册 - 208-BFQFP Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Dual Port, Synchronous 2Mbit 64K x 36 Parallel 166 MHz - 3.6 ns 3.15V ~ 3.45V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 208-PQFP (28x28)
70V3589S133DRGI8

70V3589S133DRGI8

IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP

Renesas Electronics Corporation

0
70V3589S133DRGI8数据手册 - 208-BFQFP Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Dual Port, Synchronous 2Mbit 64K x 36 Parallel 133 MHz - 4.2 ns 3.15V ~ 3.45V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 208-PQFP (28x28)
CY7C1250V18-333BZXC

CY7C1250V18-333BZXC

IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

Infineon Technologies

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CY7C1250V18-333BZXC数据手册 - 165-LBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, DDR II 36Mbit 1M x 36 Parallel 333 MHz - - 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 165-FBGA (15x17)
SM662GAE BDSS

SM662GAE BDSS

IC FLASH 640GBIT EMMC 100BGA

Silicon Motion, Inc.

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SM662GAE BDSS数据手册 Ferri-eMMC® 100-LBGA Tray Active Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NAND (SLC) 640Gbit 80G x 8 eMMC - - - - -40°C ~ 85°C - - Surface Mount 100-BGA (14x18)
SM662GAE BFST

SM662GAE BFST

IC FLASH 2TBIT EMMC 100BGA

Silicon Motion, Inc.

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SM662GAE BFST数据手册 Ferri-eMMC® 100-LBGA Tray Active Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NAND (TLC) 2Tbit 256G x 8 eMMC - - - - -40°C ~ 85°C - - Surface Mount 100-BGA (14x18)
MT46V64M16TG-6T IT:A TR

MT46V64M16TG-6T IT:A TR

IC DRAM 1GBIT PAR 167MHZ 66TSOP

Micron Technology Inc.

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MT46V64M16TG-6T IT:A TR数据手册 - 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - DDR 1Gbit 64M x 16 Parallel 167 MHz 15ns 700 ps 2.3V ~ 2.7V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 66-TSOP
MT62F2G64D8CZ-023 WT:C TR

MT62F2G64D8CZ-023 WT:C TR

IC DRAM 128GBIT TFBGA

Micron Technology Inc.

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MT62F2G64D8CZ-023 WT:C TR数据手册 - - Tape & Reel (TR) Active - - DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5 128Gbit - - - - - - - - - - -
MT62F4G32D8DV-023 WT:C

MT62F4G32D8DV-023 WT:C

IC DRAM 128GBIT LFBGA

Micron Technology Inc.

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MT62F4G32D8DV-023 WT:C数据手册 - - Tray Active - - DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5 128Gbit 4G x 32 Parallel - - - - - - - - -
MT62F2G64D8CZ-023 WT:C

MT62F2G64D8CZ-023 WT:C

IC DRAM 128GBIT TFBGA

Micron Technology Inc.

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MT62F2G64D8CZ-023 WT:C数据手册 - - Tray Active - - DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5 128Gbit - - - - - - - - - - -
MT62F4G32D8DV-023 WT:C TR

MT62F4G32D8DV-023 WT:C TR

IC DRAM 128GBIT LFBGA

Micron Technology Inc.

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MT62F4G32D8DV-023 WT:C TR数据手册 - - Tape & Reel (TR) Active - - DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5 128Gbit 4G x 32 Parallel - - - - - - - - -
MT62F4G32D8DV-026 WT:C

MT62F4G32D8DV-026 WT:C

IC DRAM 128GBIT LFBGA

Micron Technology Inc.

0
MT62F4G32D8DV-026 WT:C数据手册 - - Tray Active - - DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5 128Gbit 4G x 32 Parallel - - - - - - - - -
MT62F4G32D8DV-026 WT:C TR

MT62F4G32D8DV-026 WT:C TR

IC DRAM 128GBIT LFBGA

Micron Technology Inc.

0
MT62F4G32D8DV-026 WT:C TR数据手册 - - Tape & Reel (TR) Active - - DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5 128Gbit 4G x 32 Parallel - - - - - - - - -
MTFC128GAPALNA-AIT ES TR

MTFC128GAPALNA-AIT ES TR

IC FLASH 1TBIT MMC

Micron Technology Inc.

0
MTFC128GAPALNA-AIT ES TR数据手册 - - Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified - FLASH - 1Tbit 128G x 8 MMC - - - - - - - - -
MTFC128GAPALNS-AIT ES TR

MTFC128GAPALNS-AIT ES TR

IC FLASH 1TBIT MMC 153TFBGA

Micron Technology Inc.

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MTFC128GAPALNS-AIT ES TR数据手册 e•MMC™ 153-TFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NAND 1Tbit 128G x 8 MMC - - - - -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 153-TFBGA (11.5x13)
MT62F1536M128DAVG-031 XT:B TR

MT62F1536M128DAVG-031 XT:B TR

IC DRAM 192GBIT FBGA

Micron Technology Inc.

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MT62F1536M128DAVG-031 XT:B TR数据手册 - - Tape & Reel (TR) Active - - DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5 192Gbit 1.5G x 128 - - - - - - - - - -
MT62F1536M128DAVG-031 XT:B

MT62F1536M128DAVG-031 XT:B

IC DRAM 192GBIT FBGA

Micron Technology Inc.

0
MT62F1536M128DAVG-031 XT:B数据手册 - - Tray Active - - DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5 192Gbit 1.5G x 128 - - - - - - - - - -
CY7C2262XV18-450BZXC

CY7C2262XV18-450BZXC

IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA

Infineon Technologies

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CY7C2262XV18-450BZXC数据手册 - 165-LBGA Tray Last Time Buy Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, QDR II+ 36Mbit 2M x 18 Parallel 450 MHz - - 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 165-FBGA (13x15)
CY7C2264XV18-450BZXC

CY7C2264XV18-450BZXC

IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA

Infineon Technologies

0
CY7C2264XV18-450BZXC数据手册 - 165-LBGA Tray Last Time Buy Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, QDR II+ 36Mbit 1M x 36 Parallel 450 MHz - - 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 165-FBGA (13x15)
MT62F3G32D8DV-023 AIT:B

MT62F3G32D8DV-023 AIT:B

IC DRAM 96GBIT LVSTL 315LFBGA

Micron Technology Inc.

0
MT62F3G32D8DV-023 AIT:B数据手册 - - Box Active Not Verified - DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5 96Gbit - LVSTL - - - - - - - - -

分类概览

存储器 产品与选型指南

存储器 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 存储器。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 存储器?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

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库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

找不到指定型号怎么办?

您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

是否可以提供 Datasheet 和技术资料?

可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

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