存储器

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 可编程 存储类型 存储格式 技术 存储容量 存储组织 存储接口 时钟频率 写周期时间 - 字,页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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MT62F1536M64D8CZ-026 WT:C

MT62F1536M64D8CZ-026 WT:C

IC DRAM 96GBIT 561TFBGA

Micron Technology Inc.

0
MT62F1536M64D8CZ-026 WT:C数据手册 - - Tray Active - - DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5 96Gbit 1.5G x 64 - - - - - - - - - -
MT62F3G32D8DV-023 WT:C

MT62F3G32D8DV-023 WT:C

IC DRAM 96GBIT LVSTL 315LFBGA

Micron Technology Inc.

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MT62F3G32D8DV-023 WT:C数据手册 - 315-LFBGA Tray Active - Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5X 96Gbit 3G x 32 LVSTL 4.266 GHz - - 1.01V ~ 1.12V -25°C ~ 85°C (TC) - - Surface Mount 315-LFBGA (12.4x15)
MT62F1536M64D8CZ-023 WT:C

MT62F1536M64D8CZ-023 WT:C

IC DRAM 96GBIT 561TFBGA

Micron Technology Inc.

0
MT62F1536M64D8CZ-023 WT:C数据手册 - - Tray Active - - DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5 96Gbit 1.5G x 64 - - - - - - - - - -
MT29F512G08CMCCBH7-6ITR:C TR

MT29F512G08CMCCBH7-6ITR:C TR

IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA

Micron Technology Inc.

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MT29F512G08CMCCBH7-6ITR:C TR数据手册 - 152-TBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NAND (MLC) 512Gbit 64G x 8 Parallel 166 MHz - - 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 152-TBGA (14x18)
70V657S10DRG8

70V657S10DRG8

IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP

Renesas Electronics Corporation

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70V657S10DRG8数据手册 - 208-BFQFP Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Dual Port, Asynchronous 1.125Mbit 32K x 36 Parallel - 10ns 10 ns 3.15V ~ 3.45V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 208-PQFP (28x28)
MT30AZZZBD90TKXM-031 W.197

MT30AZZZBD90TKXM-031 W.197

IC FLASH RAM 1TBIT MCP

Micron Technology Inc.

0
MT30AZZZBD90TKXM-031 W.197数据手册 - - Bulk Obsolete - - FLASH, RAM - 1Tbit - - - - - - - - - - -
MT30AZZZBD94TKXL-023 W.291

MT30AZZZBD94TKXL-023 W.291

MODULE

Micron Technology Inc.

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MT30AZZZBD94TKXL-023 W.291数据手册 - - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - -
70V37L15PFG8

70V37L15PFG8

IC SRAM 576KBIT PARALLEL 100TQFP

Renesas Electronics Corporation

0
70V37L15PFG8数据手册 - 100-LQFP Tape & Reel (TR) Active Not Verified Volatile SRAM SRAM - Dual Port, Asynchronous 576Kbit 32K x 18 Parallel - 15ns 15 ns 3V ~ 3.6V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 100-TQFP (14x14)
MT62F1G64D4CZ-023 AUT:C

MT62F1G64D4CZ-023 AUT:C

IC DRAM 64GBIT VFBGA

Micron Technology Inc.

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MT62F1G64D4CZ-023 AUT:C数据手册 - - Tray Active - - DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5 64Gbit 1G x 64 - - - - - - - - - -
MT62F1G64D4CZ-023 AUT:C TR

MT62F1G64D4CZ-023 AUT:C TR

IC DRAM 64GBIT VFBGA

Micron Technology Inc.

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MT62F1G64D4CZ-023 AUT:C TR数据手册 - - Tape & Reel (TR) Active - - DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5 64Gbit 1G x 64 - - - - - - - - - -
MT53E2G32D4DE-046 AUT:C

MT53E2G32D4DE-046 AUT:C

IC DRAM 64GBIT PAR 200TFBGA

Micron Technology Inc.

0
MT53E2G32D4DE-046 AUT:C数据手册 - 200-TFBGA Box Active Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR4X 64Gbit 2G x 32 Parallel 2.133 GHz 18ns 3.5 ns 1.06V ~ 1.17V -40°C ~ 125°C (TC) Automotive AEC-Q100 Surface Mount 200-TFBGA (10x14.5)
MT53E2G32D4DE-046 AUT:C TR

MT53E2G32D4DE-046 AUT:C TR

IC DRAM 64GBIT PAR 200TFBGA

Micron Technology Inc.

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MT53E2G32D4DE-046 AUT:C TR数据手册 - 200-TFBGA Tape & Reel (TR) Active Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR4X 64Gbit 2G x 32 Parallel 2.133 GHz 18ns 3.5 ns 1.06V ~ 1.17V -40°C ~ 125°C (TC) Automotive AEC-Q100 Surface Mount 200-TFBGA (10x14.5)
MT53E1G64D4HJ-046 AUT:C

MT53E1G64D4HJ-046 AUT:C

IC DRAM 64GBIT PAR 556WFBGA

Micron Technology Inc.

0
MT53E1G64D4HJ-046 AUT:C数据手册 - 556-TFBGA Box Active Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR4X 64Gbit 1G x 64 Parallel 2.133 GHz 18ns 3.5 ns 1.06V ~ 1.17V -40°C ~ 125°C (TC) Automotive AEC-Q100 Surface Mount 556-WFBGA (12.4x12.4)
MT53E1G64D4HJ-046 AUT:C TR

MT53E1G64D4HJ-046 AUT:C TR

IC DRAM 64GBIT PAR 556WFBGA

Micron Technology Inc.

0
MT53E1G64D4HJ-046 AUT:C TR数据手册 - 556-TFBGA Tape & Reel (TR) Active Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR4X 64Gbit 1G x 64 Parallel 2.133 GHz 18ns 3.5 ns 1.06V ~ 1.17V -40°C ~ 125°C (TC) Automotive AEC-Q100 Surface Mount 556-WFBGA (12.4x12.4)
SM671PBELBFST

SM671PBELBFST

IC FLASH 2TBIT UFS3.1 153BGA

Silicon Motion, Inc.

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SM671PBELBFST数据手册 Ferri-UFS ™ 153-TBGA Bulk Active - Non-Volatile FLASH FLASH - NAND (TLC) 2Tbit 256G x 8 UFS3.1 - - - - -40°C ~ 105°C - - Surface Mount 153-BGA (11.5x13)
SM671PBELBFSS

SM671PBELBFSS

IC FLASH 640GBIT UFS3.1 153BGA

Silicon Motion, Inc.

0
SM671PBELBFSS数据手册 Ferri-UFS ™ 153-TBGA Bulk Active - Non-Volatile FLASH FLASH - NAND (SLC) 640Gbit 80G x 8 UFS3.1 - - - - -40°C ~ 105°C - - Surface Mount 153-BGA (11.5x13)
CY7C1319SV18-250BZC

CY7C1319SV18-250BZC

IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA

Infineon Technologies

0
CY7C1319SV18-250BZC数据手册 - 165-LBGA Bag Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, DDR II 18Mbit 1M x 18 Parallel 250 MHz - - 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 165-FBGA (13x15)
DS1350WP-100IND

DS1350WP-100IND

IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

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DS1350WP-100IND数据手册 - 34-PowerCap™ Module Tube Obsolete Not Verified Non-Volatile NVSRAM NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 4Mbit 512K x 8 Parallel - 100ns 100 ns 3V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 34-PowerCap Module
MT62F3G32D8DV-026 WT:B

MT62F3G32D8DV-026 WT:B

IC DRAM 96GBIT LVSTL 315LFBGA

Micron Technology Inc.

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MT62F3G32D8DV-026 WT:B数据手册 - - Box Active Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5 96Gbit 3G x 32 LVSTL 3.2 GHz - - - -25°C ~ 85°C - - - -
MT62F1536M64D8EK-026 WT:B TR

MT62F1536M64D8EK-026 WT:B TR

IC DRAM 96GBIT PAR 441TFBGA

Micron Technology Inc.

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MT62F1536M64D8EK-026 WT:B TR数据手册 - 441-TFBGA Tape & Reel (TR) Active Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5 96Gbit 1.5G x 64 - 3.2 GHz - - - -25°C ~ 85°C - - Surface Mount 441-TFBGA (14x14)

分类概览

存储器 产品与选型指南

存储器 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 存储器。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 存储器?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

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库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

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您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

是否可以提供 Datasheet 和技术资料?

可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

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