存储器

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 可编程 存储类型 存储格式 技术 存储容量 存储组织 存储接口 时钟频率 写周期时间 - 字,页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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MT53E3G32D6CY-046 WT:C

MT53E3G32D6CY-046 WT:C

IC DRAM 96GBIT TFBGA

Micron Technology Inc.

0
MT53E3G32D6CY-046 WT:C数据手册 - - Tray Active - - DRAM SDRAM - Mobile LPDDR4 96Gbit - - - - - - - - - - -
MT62F1G64D4ZX-026 WT:C

MT62F1G64D4ZX-026 WT:C

IC DRAM 64GBIT LVSTL 496UFBGA

Micron Technology Inc.

0
MT62F1G64D4ZX-026 WT:C数据手册 - 496-UFBGA Tray Active - Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5 64Gbit 1G x 64 LVSTL 3.75 GHz - - 1.01V ~ 1.12V -25°C ~ 85°C (TC) - - Surface Mount 496-UFBGA (14x12.4)
MT62F1G64D4AH-023 WT:B

MT62F1G64D4AH-023 WT:B

IC DRAM 64GBIT PAR FBGA

Micron Technology Inc.

0
MT62F1G64D4AH-023 WT:B数据手册 - - Tray Active - Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5 64Gbit 1G x 64 Parallel 4.266 GHz - - 1.01V ~ 1.12V -25°C ~ 85°C - - - -
AT28C010E-15TU

AT28C010E-15TU

IC EEPROM 1MBIT PARALLEL 32TSOP

Microchip Technology

0
AT28C010E-15TU数据手册 - 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Tray Active Not Verified Non-Volatile EEPROM EEPROM 1Mbit 128K x 8 Parallel - 10ms 150 ns 4.5V ~ 5.5V -40°C ~ 85°C (TC) - - Surface Mount 32-TSOP
CY7C12481KV18-400BZXC

CY7C12481KV18-400BZXC

IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

Infineon Technologies

0
CY7C12481KV18-400BZXC数据手册 - 165-LBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, DDR II+ 36Mbit 2M x 18 Parallel 400 MHz - - 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 165-FBGA (13x15)
M3016316035NX0PBCR

M3016316035NX0PBCR

IC RAM 16MBIT PAR 484CABGA

Renesas Electronics Corporation

0
M3016316035NX0PBCR数据手册 - 484-BGA Tape & Reel (TR) Obsolete - Non-Volatile RAM MRAM (Magnetoresistive RAM) 16Mbit 1M x 16 Parallel - 35ns 35 ns 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 105°C - - Surface Mount 484-CABGA (23x23)
M3016316035NX0PTBR

M3016316035NX0PTBR

IC RAM 16MBIT PAR 54TSOP

Renesas Electronics Corporation

0
M3016316035NX0PTBR数据手册 - 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete - Non-Volatile RAM MRAM (Magnetoresistive RAM) 16Mbit 1M x 16 Parallel - 35ns 35 ns 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 105°C - - Surface Mount 54-TSOP
MT62F1G64D8CH-036 WT:A TR

MT62F1G64D8CH-036 WT:A TR

IC DRAM 64GBIT 2.75GHZ FBGA

Micron Technology Inc.

0
MT62F1G64D8CH-036 WT:A TR数据手册 - - Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Non-Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5 64Gbit 1G x 64 - 2.75 GHz - - 1.05V -25°C ~ 85°C - - - -
CY14B116L-Z45XIT

CY14B116L-Z45XIT

IC NVSRAM 16MBIT PAR 48TSOP I

Infineon Technologies

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CY14B116L-Z45XIT数据手册 - 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Non-Volatile NVSRAM NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 16Mbit 2M x 8 Parallel - 45ns 45 ns 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 48-TSOP I
CY14B116N-Z30XIT

CY14B116N-Z30XIT

IC NVSRAM 16MBIT PAR 48TSOP I

Infineon Technologies

0
CY14B116N-Z30XIT数据手册 - 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Tape & Reel (TR) Last Time Buy Not Verified Non-Volatile NVSRAM NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 16Mbit 1M x 16 Parallel - 30ns 30 ns 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 48-TSOP I
CY14B116N-Z45XIT

CY14B116N-Z45XIT

IC NVSRAM 16MBIT PAR 48TSOP I

Infineon Technologies

0
CY14B116N-Z45XIT数据手册 - 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Tape & Reel (TR) Last Time Buy Not Verified Non-Volatile NVSRAM NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 16Mbit 1M x 16 Parallel - 45ns 45 ns 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 48-TSOP I
M3016316045NX0PTBY

M3016316045NX0PTBY

IC RAM 16MBIT PAR 54TSOP

Renesas Electronics Corporation

0
M3016316045NX0PTBY数据手册 - 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Tray Obsolete - Non-Volatile RAM MRAM (Magnetoresistive RAM) 16Mbit 1M x 16 Parallel - 45ns 45 ns 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 105°C - - Surface Mount 54-TSOP
M3016316045NX0PBCY

M3016316045NX0PBCY

IC RAM 16MBIT PAR 484CABGA

Renesas Electronics Corporation

0
M3016316045NX0PBCY数据手册 - 484-BGA Tray Obsolete - Non-Volatile RAM MRAM (Magnetoresistive RAM) 16Mbit 1M x 16 Parallel - 45ns 45 ns 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 105°C - - Surface Mount 484-CABGA (23x23)
MT62F1G64D4CZ-023 AIT:C

MT62F1G64D4CZ-023 AIT:C

IC DRAM 64GBIT VFBGA

Micron Technology Inc.

0
MT62F1G64D4CZ-023 AIT:C数据手册 - - Tray Active - - DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5 64Gbit 1G x 64 - - - - - - - - - -
MT62F1G64D4CZ-023 AIT:C TR

MT62F1G64D4CZ-023 AIT:C TR

IC DRAM 64GBIT VFBGA

Micron Technology Inc.

0
MT62F1G64D4CZ-023 AIT:C TR数据手册 - - Tape & Reel (TR) Active - - DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5 64Gbit 1G x 64 - - - - - - - - - -
MT53E2G32D4DE-046 AIT:C TR

MT53E2G32D4DE-046 AIT:C TR

IC DRAM 64GBIT PAR 200TFBGA

Micron Technology Inc.

0
MT53E2G32D4DE-046 AIT:C TR数据手册 - 200-TFBGA Tape & Reel (TR) Active Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR4X 64Gbit 2G x 32 Parallel 2.133 GHz 18ns 3.5 ns 1.06V ~ 1.17V -40°C ~ 95°C (TC) Automotive AEC-Q100 Surface Mount 200-TFBGA (10x14.5)
MT53E1G64D4HJ-046 AIT:C

MT53E1G64D4HJ-046 AIT:C

IC DRAM 64GBIT PAR 556WFBGA

Micron Technology Inc.

0
MT53E1G64D4HJ-046 AIT:C数据手册 - 556-TFBGA Box Active Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR4X 64Gbit 1G x 64 Parallel 2.133 GHz 18ns 3.5 ns 1.06V ~ 1.17V -40°C ~ 95°C (TC) Automotive AEC-Q100 Surface Mount 556-WFBGA (12.4x12.4)
MT53E1G64D4HJ-046 AIT:C TR

MT53E1G64D4HJ-046 AIT:C TR

IC DRAM 64GBIT PAR 556WFBGA

Micron Technology Inc.

0
MT53E1G64D4HJ-046 AIT:C TR数据手册 - 556-TFBGA Tape & Reel (TR) Active Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR4X 64Gbit 1G x 64 Parallel 2.133 GHz 18ns 3.5 ns 1.06V ~ 1.17V -40°C ~ 95°C (TC) Automotive AEC-Q100 Surface Mount 556-WFBGA (12.4x12.4)
CY14B116N-Z30XI

CY14B116N-Z30XI

IC NVSRAM 16MBIT PAR 48TSOP I

Infineon Technologies

0
CY14B116N-Z30XI数据手册 - 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Tray Last Time Buy Not Verified Non-Volatile NVSRAM NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 16Mbit 1M x 16 Parallel - 30ns 30 ns 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 48-TSOP I
MT62F1G64D4EK-023 FAIT:C

MT62F1G64D4EK-023 FAIT:C

IC DRAM 64GBIT PAR 441TFBGA

Micron Technology Inc.

0
MT62F1G64D4EK-023 FAIT:C数据手册 - - Tray Active - - DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5 64Gbit 1G x 64 - - - - - - - - - -

分类概览

存储器 产品与选型指南

存储器 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 存储器。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 存储器?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

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库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

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您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

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可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

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