存储器

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 可编程 存储类型 存储格式 技术 存储容量 存储组织 存储接口 时钟频率 写周期时间 - 字,页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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CY14B108K-ZS45XIT

CY14B108K-ZS45XIT

IC NVSRAM 8MBIT PAR 44TSOP II

Infineon Technologies

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CY14B108K-ZS45XIT数据手册 - 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Tape & Reel (TR) Active Not Verified Non-Volatile NVSRAM NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 8Mbit 1M x 8 Parallel - 45ns 45 ns 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 44-TSOP II
CY62177G30-55ZXI

CY62177G30-55ZXI

IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48TSOP I

Infineon Technologies

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CY62177G30-55ZXI数据手册 MOBL™ 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Tray Active Not Verified Volatile SRAM SRAM - Asynchronous 32Mbit 4M x 8, 2M x 16 Parallel - 55ns 55 ns 2.2V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 48-TSOP I
MT62F1536M32D4DS-023 FAAT:B TR

MT62F1536M32D4DS-023 FAAT:B TR

IC DRAM 48GBIT LVSTL 200WBGA

Micron Technology Inc.

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MT62F1536M32D4DS-023 FAAT:B TR数据手册 - 200-WFBGA Tape & Reel (TR) Active Not Verified - DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5 48Gbit 1.5G x 32 LVSTL - - - - - - - - 200-WFBGA (10x14.5)
MT62F1536M32D4DS-023 FAAT:B

MT62F1536M32D4DS-023 FAAT:B

IC DRAM 48GBIT LVSTL 200WBGA

Micron Technology Inc.

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MT62F1536M32D4DS-023 FAAT:B数据手册 - 200-WFBGA Box Active Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5 48Gbit 1.5G x 32 LVSTL 4.266 GHz - - - - Automotive AEC-Q100 Surface Mount 200-WFBGA (10x14.5)
MT62F768M64D4EK-023 FAAT:B

MT62F768M64D4EK-023 FAAT:B

IC DRAM 48GBIT LVSTL 441TFBGA

Micron Technology Inc.

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MT62F768M64D4EK-023 FAAT:B数据手册 - 441-TFBGA Box Active Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5 48Gbit 768M x 64 LVSTL 4.266 GHz - - - - Automotive AEC-Q100 Surface Mount 441-TFBGA (14x14)
MT62F768M64D4EK-023 FAAT:B TR

MT62F768M64D4EK-023 FAAT:B TR

IC DRAM 48GBIT LVSTL 441TFBGA

Micron Technology Inc.

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MT62F768M64D4EK-023 FAAT:B TR数据手册 - 441-TFBGA Tape & Reel (TR) Active Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5 48Gbit 768M x 64 LVSTL 3.2 GHz - - - -40°C ~ 105°C Automotive AEC-Q100 Surface Mount 441-TFBGA (14x14)
CY62187EV18LL-70BAXI

CY62187EV18LL-70BAXI

IC SRAM

Infineon Technologies

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CY62187EV18LL-70BAXI数据手册 - - Tray Active Not Verified - SRAM - - - - - - - - - - - - -
CY62187EV18LL-70BAXIT

CY62187EV18LL-70BAXIT

IC SRAM

Infineon Technologies

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CY62187EV18LL-70BAXIT数据手册 - - Tape & Reel (TR) Active Not Verified - SRAM - - - - - - - - - - - - -
FEMC016GCG-T340

FEMC016GCG-T340

IC FLASH 128GBIT EMMC 153FBGA

Flexxon Pte Ltd

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FEMC016GCG-T340数据手册 XTRA V 153-VFBGA Tray Active Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NAND (pSLC) 128Gbit 16G x 8 eMMC 200 MHz - - 2.7V ~ 3.6V -25°C ~ 85°C - - Surface Mount 153-FBGA (11.5x13)
CY7C1426JV18-300BZXC

CY7C1426JV18-300BZXC

IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

Infineon Technologies

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CY7C1426JV18-300BZXC数据手册 - 165-LBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, QDR II 36Mbit 4M x 9 Parallel 300 MHz - - 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 165-FBGA (15x17)
MT49H32M18CBM-18:B TR

MT49H32M18CBM-18:B TR

IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA

Micron Technology Inc.

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MT49H32M18CBM-18:B TR数据手册 - 144-TFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile DRAM DRAM 576Mbit 32M x 18 Parallel 533 MHz - 15 ns 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 95°C (TC) - - Surface Mount 144-µBGA (18.5x11)
MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C TR

MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C TR

IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 200VFBGA

Micron Technology Inc.

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MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C TR数据手册 - 200-VFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR4 32Gbit 1G x 32 - 1.866 GHz - - 1.1V -30°C ~ 85°C (TC) - - Surface Mount 200-VFBGA (10x14.5)
DS3065WP-100IND+

DS3065WP-100IND+

IC NVSRAM 8MBIT PAR 34PWRCAP

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

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DS3065WP-100IND+数据手册 - 34-PowerCap™ Module Tray Obsolete Not Verified Non-Volatile NVSRAM NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 8Mbit 1M x 8 Parallel - 100ns 100 ns 3V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 34-PowerCap Module
MT62F1G64D4ZV-023 WT:B TR

MT62F1G64D4ZV-023 WT:B TR

IC DRAM 64GBIT FBGA

Micron Technology Inc.

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MT62F1G64D4ZV-023 WT:B TR数据手册 - - Tape & Reel (TR) Active Not Verified - DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5 64Gbit 1G x 64 - - - - - - - - - -
MT62F1G64D4ZV-026 WT:B TR

MT62F1G64D4ZV-026 WT:B TR

IC DRAM 64GBIT FBGA

Micron Technology Inc.

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MT62F1G64D4ZV-026 WT:B TR数据手册 - - Tape & Reel (TR) Active Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5 64Gbit 1G x 64 Parallel 3.2 GHz - - 1.05V -25°C ~ 85°C - - - -
MT62F1G64D4ZV-026 WT:B

MT62F1G64D4ZV-026 WT:B

IC DRAM 64GBIT FBGA

Micron Technology Inc.

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MT62F1G64D4ZV-026 WT:B数据手册 - - Box Active Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5 64Gbit 1G x 64 Parallel 3.2 GHz - - 1.05V -25°C ~ 85°C - - - -
MT62F1G64D4ZV-023 WT:B

MT62F1G64D4ZV-023 WT:B

IC DRAM 64GBIT FBGA

Micron Technology Inc.

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MT62F1G64D4ZV-023 WT:B数据手册 - - Box Active Not Verified - DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5 64Gbit 1G x 64 - - - - - - - - - -
CY7C1441KV33-133AXC

CY7C1441KV33-133AXC

IC SRAM 36MBIT PARALLEL 100TQFP

Infineon Technologies

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CY7C1441KV33-133AXC数据手册 - 100-LQFP Tray Active Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, SDR 36Mbit 1M x 36 Parallel 133 MHz - 6.5 ns 3.135V ~ 3.6V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 100-TQFP (14x20)
IS22TF64G-JCLA2-TR

IS22TF64G-JCLA2-TR

IC FLASH 512GBIT EMMC 153VFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IS22TF64G-JCLA2-TR数据手册 - 153-VFBGA Tape & Reel (TR) Active Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NAND (TLC) 512Gbit 64G x 8 eMMC_5.1 200 MHz - - 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 105°C (TA) Automotive AEC-Q100 Surface Mount 153-VFBGA (11.5x13)
CY7C1263KV18-400BZI

CY7C1263KV18-400BZI

IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

Infineon Technologies

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CY7C1263KV18-400BZI数据手册 - 165-LBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, QDR II+ 36Mbit 2M x 18 Parallel 400 MHz - - 1.7V ~ 1.9V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 165-FBGA (13x15)

分类概览

存储器 产品与选型指南

存储器 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 存储器。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

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如何选择合适的 存储器?

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库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

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您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

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