存储器

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 可编程 存储类型 存储格式 技术 存储容量 存储组织 存储接口 时钟频率 写周期时间 - 字,页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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IS61DDB24M18A-250M3L

IS61DDB24M18A-250M3L

IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

0
IS61DDB24M18A-250M3L数据手册 - 165-LBGA Tray Active Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, DDR II 72Mbit 4M x 18 Parallel 250 MHz - - 1.71V ~ 1.89V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 165-LFBGA (15x17)
MT29F512G08CECBBJ4-37:B TR

MT29F512G08CECBBJ4-37:B TR

IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA

Micron Technology Inc.

0
MT29F512G08CECBBJ4-37:B TR数据手册 - 132-VBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NAND (MLC) 512Gbit 64G x 8 Parallel 267 MHz - - 2.7V ~ 3.6V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 132-VBGA (12x18)
7006L15PFG

7006L15PFG

IC SRAM 128KBIT PARALLEL 64TQFP

Renesas Electronics Corporation

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7006L15PFG数据手册 - 64-LQFP Tray Active Not Verified Volatile SRAM SRAM - Dual Port, Asynchronous 128Kbit 16K x 8 Parallel - 15ns 15 ns 4.5V ~ 5.5V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 64-TQFP (14x14)
MT62F768M64D4EK-023 FAAT:C

MT62F768M64D4EK-023 FAAT:C

IC DRAM 48GBIT LVSTL 441TFBGA

Micron Technology Inc.

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MT62F768M64D4EK-023 FAAT:C数据手册 - 441-TFBGA Tray Active - Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5X 48Gbit 768M x 64 LVSTL 4.266 GHz - - 1.01V ~ 1.12V -40°C ~ 105°C Automotive AEC-Q100 Surface Mount 441-TFBGA (14x14)
MT62F1536M32D4DS-023 FAAT:C

MT62F1536M32D4DS-023 FAAT:C

IC DRAM 48GBIT LVSTL 315TFBGA

Micron Technology Inc.

0
MT62F1536M32D4DS-023 FAAT:C数据手册 - 315-TFBGA Tray Active - Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5X 48Gbit 1.5G x 32 LVSTL 4.266 GHz - - 1.01V ~ 1.12V -40°C ~ 105°C (TC) Automotive AEC-Q100 Surface Mount 315-TFBGA (12.4x15)
MT53B768M32D4NQ-062 AIT:B TR

MT53B768M32D4NQ-062 AIT:B TR

IC DRAM 24GBIT 1.6GHZ 200VFBGA

Micron Technology Inc.

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MT53B768M32D4NQ-062 AIT:B TR数据手册 - 200-VFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR4 24Gbit 768M x 32 - 1.6 GHz - - 1.1V -40°C ~ 95°C (TC) Automotive AEC-Q100 Surface Mount 200-VFBGA (10x14.5)
CY7C1460KV33-167AXCT

CY7C1460KV33-167AXCT

IC SRAM 36MBIT PAR 100TQFP

Infineon Technologies

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CY7C1460KV33-167AXCT数据手册 NoBL™ 100-LQFP Tape & Reel (TR) Active Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, SDR 36Mbit 1M x 36 Parallel 167 MHz - 3.4 ns 3.135V ~ 3.6V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 100-TQFP (14x20)
CY7C1460KV33-200AXCT

CY7C1460KV33-200AXCT

IC SRAM 36MBIT PARALLEL 100TQFP

Infineon Technologies

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CY7C1460KV33-200AXCT数据手册 NoBL™ 100-LQFP Tape & Reel (TR) Active Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, SDR 36Mbit 1M x 36 Parallel 200 MHz - 3.2 ns 3.135V ~ 3.6V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 100-TQFP (14x20)
CY7C1461KV33-133AXCT

CY7C1461KV33-133AXCT

IC SRAM 36MBIT PARALLEL 100TQFP

Infineon Technologies

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CY7C1461KV33-133AXCT数据手册 NoBL™ 100-LQFP Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, SDR 36Mbit 1M x 36 Parallel 133 MHz - 6.5 ns 3.135V ~ 3.6V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 100-TQFP (14x20)
IS49NLC18320A-25WBL

IS49NLC18320A-25WBL

IC DRAM 576MBIT PAR 144TWBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

0
IS49NLC18320A-25WBL数据手册 - 144-TFBGA Tray Active Not Verified Volatile DRAM RLDRAM 2 576Mbit 32M x 18 Parallel 400 MHz - 20 ns 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 95°C (TC) - - Surface Mount 144-TWBGA (11x18.5)
IS49NLC96400A-25WBL

IS49NLC96400A-25WBL

IC DRAM 576MBIT PAR 144TWBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

0
IS49NLC96400A-25WBL数据手册 - 144-TFBGA Tray Active Not Verified Volatile DRAM RLDRAM 2 576Mbit 64M x 9 Parallel 400 MHz - 20 ns 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 95°C (TC) - - Surface Mount 144-TWBGA (11x18.5)
IS49NLS96400A-25WBL

IS49NLS96400A-25WBL

IC DRAM 576MBIT PAR 144TWBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

0
IS49NLS96400A-25WBL数据手册 - 144-TFBGA Tray Active Not Verified Volatile DRAM RLDRAM 2 576Mbit 64M x 9 Parallel 400 MHz - 20 ns 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 144-TWBGA (11x18.5)
CY7C1412KV18-333BZC

CY7C1412KV18-333BZC

IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

Infineon Technologies

0
CY7C1412KV18-333BZC数据手册 - 165-LBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, QDR II 36Mbit 2M x 18 Parallel 333 MHz - - 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 165-FBGA (13x15)
CY7C1413KV18-333BZI

CY7C1413KV18-333BZI

IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

Infineon Technologies

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CY7C1413KV18-333BZI数据手册 - 165-LBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, QDR II 36Mbit 2M x 18 Parallel 333 MHz - - 1.7V ~ 1.9V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 165-FBGA (13x15)
CY7C1441KV33-133AXIT

CY7C1441KV33-133AXIT

IC SRAM 36MBIT PARALLEL 100TQFP

Infineon Technologies

0
CY7C1441KV33-133AXIT数据手册 - 100-LQFP Tape & Reel (TR) Active Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, SDR 36Mbit 1M x 36 Parallel 133 MHz - 6.5 ns 3.135V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 100-TQFP (14x20)
MT47H256M4BT-37E:A

MT47H256M4BT-37E:A

IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA

Micron Technology Inc.

0
MT47H256M4BT-37E:A数据手册 - 92-TFBGA Box Discontinued at Digi-Key Not Verified Volatile DRAM SDRAM - DDR2 1Gbit 256M x 4 Parallel 267 MHz 15ns 400 ps 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 85°C (TC) - - Surface Mount 92-FBGA (11x19)
MT29F2T08EMHAFJ4-3T:A TR

MT29F2T08EMHAFJ4-3T:A TR

IC FLASH 2TBIT PARALLEL 132VBGA

Micron Technology Inc.

0
MT29F2T08EMHAFJ4-3T:A TR数据手册 - 132-VBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NAND 2Tbit 256G x 8 Parallel 333 MHz - - 2.5V ~ 3.6V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 132-VBGA (12x18)
MT29F2T08EMHAFJ4-3R:A TR

MT29F2T08EMHAFJ4-3R:A TR

IC FLASH 2TBIT PARALLEL 132VBGA

Micron Technology Inc.

0
MT29F2T08EMHAFJ4-3R:A TR数据手册 - 132-VBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NAND (TLC) 2Tbit 256G x 8 Parallel 333 MHz - - 2.5V ~ 3.6V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 132-VBGA (12x18)
MT44K32M18RB-093E:B TR

MT44K32M18RB-093E:B TR

IC DRAM 576MBIT PAR 168BGA

Micron Technology Inc.

0
MT44K32M18RB-093E:B TR数据手册 - 168-TBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile DRAM DRAM 576Mbit 32M x 18 Parallel 1.066 GHz - 8 ns 1.28V ~ 1.42V 0°C ~ 95°C (TC) - - Surface Mount 168-BGA (13.5x13.5)
MT53E1536M32D4DT-046 WT:A TR

MT53E1536M32D4DT-046 WT:A TR

IC DRAM 48GBIT 2.133GHZ WFBGA

Micron Technology Inc.

0
MT53E1536M32D4DT-046 WT:A TR数据手册 - - Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR4 48Gbit 1.5G x 32 - 2.133 GHz - - 1.1V -30°C ~ 85°C (TC) - - - -

分类概览

存储器 产品与选型指南

存储器 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 存储器。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

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