存储器

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 可编程 存储类型 存储格式 技术 存储容量 存储组织 存储接口 时钟频率 写周期时间 - 字,页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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MT49H16M18CSJ-25 IT:B

MT49H16M18CSJ-25 IT:B

IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA

Micron Technology Inc.

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MT49H16M18CSJ-25 IT:B数据手册 - 144-TFBGA Bulk Obsolete Not Verified Volatile DRAM DRAM 288Mbit 16M x 18 Parallel 400 MHz - 20 ns 1.7V ~ 1.9V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 144-FBGA (18.5x11)
71V67602S166BGG

71V67602S166BGG

IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA

Renesas Electronics Corporation

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71V67602S166BGG数据手册 - 119-BGA Tray Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, SDR 9Mbit 256K x 36 Parallel 166 MHz - 3.5 ns 3.135V ~ 3.465V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 119-PBGA (14x22)
MT61K512M32KPA-24:U

MT61K512M32KPA-24:U

IC DRAM 16GBIT POD 180FBGA

Micron Technology Inc.

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MT61K512M32KPA-24:U数据手册 - 180-TFBGA Box Obsolete Not Verified Volatile DRAM SGRAM - GDDR6 16Gbit 512M x 32 POD_135 12 GHz - - 1.3095V ~ 1.3905V 0°C ~ 95°C (TC) - - Surface Mount 180-FBGA (12x14)
MT61K512M32KPA-24:U TR

MT61K512M32KPA-24:U TR

IC DRAM 16GBIT POD 180FBGA

Micron Technology Inc.

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MT61K512M32KPA-24:U TR数据手册 - 180-TFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile DRAM SGRAM - GDDR6 16Gbit 512M x 32 POD_135 12 GHz - - 1.3095V ~ 1.3905V 0°C ~ 95°C (TC) - - Surface Mount 180-FBGA (12x14)
CY15V108QN-40LPXI

CY15V108QN-40LPXI

IC FRAM 8MBIT SPI 40MHZ 8GQFN

Infineon Technologies

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CY15V108QN-40LPXI数据手册 Excelon™-LP,F-RAM™ 8-UQFN Tray Active Not Verified Non-Volatile FRAM FRAM (Ferroelectric RAM) 8Mbit 1M x 8 SPI 40 MHz - - 1.71V ~ 1.89V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 8-GQFN (3.23x3.28)
CY7C1312KV18-300BZC

CY7C1312KV18-300BZC

IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

Infineon Technologies

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CY7C1312KV18-300BZC数据手册 - 165-LBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, QDR II 18Mbit 1M x 18 Parallel 300 MHz - - 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 165-FBGA (13x15)
MTFC64GAZAOTD-AIT

MTFC64GAZAOTD-AIT

IC FLASH 512GBIT UFS

Micron Technology Inc.

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MTFC64GAZAOTD-AIT数据手册 - - Box Last Time Buy Not Verified - FLASH - 512Gbit 64G x 8 UFS2.1 - - - - - - - - -
MTFC64GAZAOTD-AIT TR

MTFC64GAZAOTD-AIT TR

IC FLASH 512GBIT UFS

Micron Technology Inc.

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MTFC64GAZAOTD-AIT TR数据手册 - - Tape & Reel (TR) Last Time Buy Not Verified - FLASH - 512Gbit 64G x 8 UFS2.1 - - - - - - - - -
R1LV1616HBG-4SI#S0

R1LV1616HBG-4SI#S0

IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA

Renesas Electronics Corporation

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R1LV1616HBG-4SI#S0数据手册 R1LV1616HBG-I 48-TFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Asynchronous 16Mbit 1M x 16 Parallel - 45ns 45 ns 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 48-TFBGA (8x9.5)
R1LV1616HSA-4SI#S1

R1LV1616HSA-4SI#S1

IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I

Renesas Electronics Corporation

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R1LV1616HSA-4SI#S1数据手册 R1LV1616HSA-I 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Asynchronous 16Mbit 1M x 16, 2M x 8 Parallel - 45ns 45 ns 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 48-TSOP I
R1LV1616HSA-5SI#S1

R1LV1616HSA-5SI#S1

IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I

Renesas Electronics Corporation

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R1LV1616HSA-5SI#S1数据手册 R1LV1616HSA-I 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Asynchronous 16Mbit 1M x 16, 2M x 8 Parallel - 55ns 55 ns 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 48-TSOP I
CY7C1371KVE33-133AXI

CY7C1371KVE33-133AXI

IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP

Infineon Technologies

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CY7C1371KVE33-133AXI数据手册 NoBL™ 100-LQFP Tray Active Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, SDR 18Mbit 512K x 36 Parallel 133 MHz - 6.5 ns 3.135V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 100-TQFP (14x20)
MT48H16M32L2B5-10 TR

MT48H16M32L2B5-10 TR

IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA

Micron Technology Inc.

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MT48H16M32L2B5-10 TR数据手册 - 90-VFBGA Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPSDR 512Mbit 16M x 32 Parallel 100 MHz - 7.5 ns 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 90-VFBGA (8x13)
MT48H16M32L2B5-8 TR

MT48H16M32L2B5-8 TR

IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA

Micron Technology Inc.

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MT48H16M32L2B5-8 TR数据手册 - 90-VFBGA Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPSDR 512Mbit 16M x 32 Parallel 125 MHz - 7.5 ns 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 90-VFBGA (8x13)
MT48H16M32L2F5-10 TR

MT48H16M32L2F5-10 TR

IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA

Micron Technology Inc.

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MT48H16M32L2F5-10 TR数据手册 - 90-VFBGA Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPSDR 512Mbit 16M x 32 Parallel 100 MHz - 7.5 ns 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 90-VFBGA (8x13)
MT48H16M32L2F5-8 TR

MT48H16M32L2F5-8 TR

IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA

Micron Technology Inc.

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MT48H16M32L2F5-8 TR数据手册 - 90-VFBGA Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPSDR 512Mbit 16M x 32 Parallel 125 MHz - 7.5 ns 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 90-VFBGA (8x13)
CY14B104NA-BA20XIT

CY14B104NA-BA20XIT

IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA

Infineon Technologies

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CY14B104NA-BA20XIT数据手册 - 48-TFBGA Tape & Reel (TR) Active Not Verified Non-Volatile NVSRAM NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 4Mbit 256K x 16 Parallel - 20ns 20 ns 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 48-FBGA (6x10)
MT28HL08GNBB3EBK-0GCT

MT28HL08GNBB3EBK-0GCT

IC FLASH 8GBIT

Micron Technology Inc.

0
MT28HL08GNBB3EBK-0GCT数据手册 - - Bulk Active Not Verified - FLASH FLASH - NOR 8Gbit 256M x 32 - - - - - - - - - -
ADSP1801WBCPZ400

ADSP1801WBCPZ400

SHARC W/5 MBIT RAM

Analog Devices Inc.

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ADSP1801WBCPZ400数据手册 - - Tray Active - - - - - - - - - - - - - - - -
M3008316035NX0PTBR

M3008316035NX0PTBR

IC RAM 8MBIT PAR 54TSOP

Renesas Electronics Corporation

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M3008316035NX0PTBR数据手册 - 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete - Non-Volatile RAM MRAM (Magnetoresistive RAM) 8Mbit 512K x 16 Parallel - 35ns 35 ns 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 105°C - - Surface Mount 54-TSOP

分类概览

存储器 产品与选型指南

存储器 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 存储器。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 存储器?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

页面上的库存信息是否可以直接采购?

库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

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您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

是否可以提供 Datasheet 和技术资料?

可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

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