存储器

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 可编程 存储类型 存储格式 技术 存储容量 存储组织 存储接口 时钟频率 写周期时间 - 字,页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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MT62F512M64D4WT-031 AV XT:B

MT62F512M64D4WT-031 AV XT:B

IC DRAM 32GBIT TFBGA

Micron Technology Inc.

0
MT62F512M64D4WT-031 AV XT:B数据手册 - - Tray Obsolete - - DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5 32Gbit 512M x 64 - - - - - - - - - -
SM662GBC-BFSS

SM662GBC-BFSS

IC FLASH 160GBIT EMMC 100BGA

Silicon Motion, Inc.

0
SM662GBC-BFSS数据手册 Ferri-eMMC® 100-LBGA Bulk Active - Non-Volatile FLASH FLASH - NAND (SLC) 160Gbit 20G x 8 eMMC - - - - -40°C ~ 85°C - - Surface Mount 100-BGA (14x18)
SM662GBC-BFST

SM662GBC-BFST

IC FLASH 512GBIT EMMC 100BGA

Silicon Motion, Inc.

0
SM662GBC-BFST数据手册 Ferri-eMMC® 100-LBGA Bulk Active - Non-Volatile FLASH FLASH - NAND (TLC) 512Gbit 64G x 8 eMMC - - - - -40°C ~ 85°C - - Surface Mount 100-BGA (14x18)
MT53E768M32D2ZW-046 AUT:C

MT53E768M32D2ZW-046 AUT:C

IC DRAM 24GBIT 200TFBGA

Micron Technology Inc.

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MT53E768M32D2ZW-046 AUT:C数据手册 - 200-TFBGA Tray Active - Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR4X 24Gbit 768M x 32 LVSTL 2.133 GHz 18ns 3.5 ns 1.06V ~ 1.17V -40°C ~ 125°C (TC) Automotive AEC-Q100 Surface Mount 200-TFBGA (10x14.5)
MTFC256GAYAYEA-WT

MTFC256GAYAYEA-WT

IC FLASH 2TBIT UFS

Micron Technology Inc.

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MTFC256GAYAYEA-WT数据手册 - - Tray Active - - FLASH - 2Tbit 256G x 8 UFS - - - - - - - - -
IDT71P71604S250BQG

IDT71P71604S250BQG

IC SRAM 18MBIT PAR 165CABGA

Renesas Electronics Corporation

0
IDT71P71604S250BQG数据手册 - 165-TBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, DDR II 18Mbit 512K x 36 Parallel 250 MHz - 6.3 ns 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 165-CABGA (13x15)
IDT71P71804S250BQ

IDT71P71804S250BQ

IC SRAM 18MBIT PAR 165CABGA

Renesas Electronics Corporation

0
IDT71P71804S250BQ数据手册 - 165-TBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, DDR II 18Mbit 1M x 18 Parallel 250 MHz - 6.3 ns 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 165-CABGA (13x15)
IDT71P71804S250BQG

IDT71P71804S250BQG

IC SRAM 18MBIT PAR 165CABGA

Renesas Electronics Corporation

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IDT71P71804S250BQG数据手册 - 165-TBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, DDR II 18Mbit 1M x 18 Parallel 250 MHz - 6.3 ns 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 165-CABGA (13x15)
IDT71P72804S250BQ

IDT71P72804S250BQ

IC SRAM 18MBIT PAR 165CABGA

Renesas Electronics Corporation

0
IDT71P72804S250BQ数据手册 - 165-TBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, QDR II 18Mbit 1M x 18 Parallel 250 MHz - 6.3 ns 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 165-CABGA (13x15)
IDT71P72804S250BQG

IDT71P72804S250BQG

IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165CABGA

Renesas Electronics Corporation

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IDT71P72804S250BQG数据手册 - 165-TBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, QDR II 18Mbit 1M x 18 Parallel 250 MHz - 6.3 ns 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 165-CABGA (13x15)
MT29F1T08GBLCEN48R3WC1-M

MT29F1T08GBLCEN48R3WC1-M

IC FLASH 1TBIT DIE

Micron Technology Inc.

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MT29F1T08GBLCEN48R3WC1-M数据手册 - Die Bulk Active - - FLASH FLASH - NAND 1Tbit 128G x 8 - - - - - - - - - Die
EM032LXQAB313IS2R

EM032LXQAB313IS2R

IC RAM 32MBIT XSPI 24TBGA

Everspin Technologies Inc.

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EM032LXQAB313IS2R数据手册 EMxxLX 24-TBGA Tape & Reel (TR) Active - Non-Volatile RAM MRAM (Magnetoresistive RAM) 32Mbit 4M x 8 SPI - Quad I/O 133 MHz - 7 ns 1.65V ~ 2V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 24-TBGA (6x8)
EM032LXQADG13IS2R

EM032LXQADG13IS2R

IC RAM 32MBIT XSPI 8DFN

Everspin Technologies Inc.

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EM032LXQADG13IS2R数据手册 EMxxLX 8-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active - Non-Volatile RAM MRAM (Magnetoresistive RAM) 32Mbit 4M x 8 SPI - Quad I/O 133 MHz - 7 ns 1.65V ~ 2V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 8-DFN (6x8)
MT29F256G08CJABBWP-12IT:B TR

MT29F256G08CJABBWP-12IT:B TR

IC FLASH 256GBIT PAR 48TSOP I

Micron Technology Inc.

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MT29F256G08CJABBWP-12IT:B TR数据手册 - 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NAND (MLC) 256Gbit 32G x 8 Parallel 83 MHz - - 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 48-TSOP I
MT62F512M64D2EK-023 AIT:E TR

MT62F512M64D2EK-023 AIT:E TR

IC DRAM 32GBIT PAR 441TFBGA

Micron Technology Inc.

0
MT62F512M64D2EK-023 AIT:E TR数据手册 - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - -
M30162040054X0IWAR

M30162040054X0IWAR

IC RAM 16MBIT 54MHZ 8DFN

Renesas Electronics Corporation

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M30162040054X0IWAR数据手册 - 8-WDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Non-Volatile RAM MRAM (Magnetoresistive RAM) 16Mbit 4M x 4 - 54 MHz - - 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C - - Surface Mount 8-DFN (5x6)
M10162040054X0ISAR

M10162040054X0ISAR

IC RAM 16MBIT 54MHZ 8SOIC

Renesas Electronics Corporation

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M10162040054X0ISAR数据手册 - 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Non-Volatile RAM MRAM (Magnetoresistive RAM) 16Mbit 4M x 4 - 54 MHz - - 1.71V ~ 2V -40°C ~ 85°C - - Surface Mount 8-SOIC
M10162040054X0IWAR

M10162040054X0IWAR

IC RAM 16MBIT 54MHZ 8DFN

Renesas Electronics Corporation

0
M10162040054X0IWAR数据手册 - 8-WDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Non-Volatile RAM MRAM (Magnetoresistive RAM) 16Mbit 4M x 4 - 54 MHz - - 1.71V ~ 2V -40°C ~ 85°C - - Surface Mount 8-DFN (5x6)
M30162040054X0ISAR

M30162040054X0ISAR

IC RAM 16MBIT SPI 54MHZ 8SOIC

Renesas Electronics Corporation

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M30162040054X0ISAR数据手册 - 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Non-Volatile RAM MRAM (Magnetoresistive RAM) 16Mbit 4M x 4 SPI 54 MHz - - 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C - - Surface Mount 8-SOIC
MT41K1G8SN-107 IT:A TR

MT41K1G8SN-107 IT:A TR

IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA

Micron Technology Inc.

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MT41K1G8SN-107 IT:A TR数据手册 - 78-TFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - DDR3L 8Gbit 1G x 8 Parallel 933 MHz - 20 ns 1.283V ~ 1.45V -40°C ~ 95°C (TC) - - Surface Mount 78-FBGA (9x13.2)

分类概览

存储器 产品与选型指南

存储器 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 存储器。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

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如何选择合适的 存储器?

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您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

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