存储器

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 可编程 存储类型 存储格式 技术 存储容量 存储组织 存储接口 时钟频率 写周期时间 - 字,页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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MX66U2G45GXRI54

MX66U2G45GXRI54

IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 24CSPBGA

Macronix

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MX66U2G45GXRI54数据手册 MX25xxx35/36 - MXSMIO™ 24-LBGA, CSPBGA Tray Active - Non-Volatile FLASH FLASH - NOR (SLC) 2Gbit 512M x 4, 1G x 2, 2G x 1 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 133 MHz 60µs, 1.5ms 6.5 ns 1.65V ~ 2V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 24-CSPBGA (6x8)
MT62F768M32D2DS-026 WT:C

MT62F768M32D2DS-026 WT:C

IC DRAM 24GBIT LVSTL 315TFBGA

Micron Technology Inc.

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MT62F768M32D2DS-026 WT:C数据手册 - 315-TFBGA Tray Active - Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5X 24Gbit 768M x 32 LVSTL 3.75 GHz - - 1.01V ~ 1.12V -25°C ~ 85°C (TC) - - Surface Mount 315-TFBGA (12.4x15)
MT62F768M32D2DS-023 WT:C

MT62F768M32D2DS-023 WT:C

IC DRAM 24GBIT LVSTL 315TFBGA

Micron Technology Inc.

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MT62F768M32D2DS-023 WT:C数据手册 - 315-TFBGA Tray Active - Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5X 24Gbit 768M x 32 LVSTL 4.266 GHz - - 1.01V ~ 1.12V -25°C ~ 85°C (TC) - - Surface Mount 315-TFBGA (12.4x15)
SM662GEB-BEST

SM662GEB-BEST

IC FLASH 256GBIT EMMC 100BGA

Silicon Motion, Inc.

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SM662GEB-BEST数据手册 Ferri-eMMC® 100-LBGA Tray Active Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NAND (TLC) 256Gbit 32G x 8 eMMC - - - - -40°C ~ 85°C - - Surface Mount 100-BGA (14x18)
SM662GEB-BESS

SM662GEB-BESS

IC FLASH 80GBIT EMMC 100BGA

Silicon Motion, Inc.

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SM662GEB-BESS数据手册 Ferri-eMMC® 100-LBGA Tray Active Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NAND (SLC) 80Gbit 10G x 8 eMMC - - - - -40°C ~ 85°C - - Surface Mount 100-BGA (14x18)
MT40A1G16Z42BWC1

MT40A1G16Z42BWC1

IC DRAM 16GBIT DIE

Micron Technology Inc.

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MT40A1G16Z42BWC1数据手册 - Die Tray Active - - DRAM SDRAM - DDR4 16Gbit 1G x 16 - - - - - - - - - Die
MT40A2G8Z42BWC1

MT40A2G8Z42BWC1

IC DRAM 16GBIT DIE

Micron Technology Inc.

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MT40A2G8Z42BWC1数据手册 - Die Tray Active - - DRAM SDRAM - DDR4 16Gbit 2G x 8 - - - - - - - - - Die
MT40A4G4Z42BWC1

MT40A4G4Z42BWC1

IC DRAM 16GBIT DIE

Micron Technology Inc.

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MT40A4G4Z42BWC1数据手册 - Die Tray Active - - DRAM SDRAM - DDR4 16Gbit 4G x 4 - - - - - - - - - Die
AT28C256F-15JC

AT28C256F-15JC

IC EEPROM 256KBIT PAR 32PLCC

Microchip Technology

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AT28C256F-15JC数据手册 - 32-LCC (J-Lead) Tube Obsolete Not Verified Non-Volatile EEPROM EEPROM 256Kbit 32K x 8 Parallel - 3ms 150 ns 4.5V ~ 5.5V 0°C ~ 70°C (TC) - - Surface Mount 32-PLCC (13.97x11.43)
AT28C256E-15JC

AT28C256E-15JC

IC EEPROM 256KBIT PAR 32PLCC

Microchip Technology

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AT28C256E-15JC数据手册 - 32-LCC (J-Lead) Tube Obsolete Not Verified Non-Volatile EEPROM EEPROM 256Kbit 32K x 8 Parallel - 10ms 150 ns 4.5V ~ 5.5V 0°C ~ 70°C (TC) - - Surface Mount 32-PLCC (13.97x11.43)
IS21TF16G-JQLI-TR

IS21TF16G-JQLI-TR

IC FLASH 128GBIT EMMC 100FBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IS21TF16G-JQLI-TR数据手册 - 100-LBGA Tape & Reel (TR) Active Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NAND (TLC) 128Gbit 16G x 8 eMMC_5.1 200 MHz - - 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 100-LFBGA (14x18)
CY14B104L-BA45XCT

CY14B104L-BA45XCT

IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA

Infineon Technologies

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CY14B104L-BA45XCT数据手册 - 48-TFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Non-Volatile NVSRAM NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 4Mbit 512K x 8 Parallel - 45ns 45 ns 2.7V ~ 3.6V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 48-FBGA (6x10)
CY14B104N-BA45XCT

CY14B104N-BA45XCT

IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA

Infineon Technologies

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CY14B104N-BA45XCT数据手册 - 48-TFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Non-Volatile NVSRAM NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 4Mbit 256K x 16 Parallel - 45ns 45 ns 2.7V ~ 3.6V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 48-FBGA (6x10)
MT53D512M32D2DS-046 AAT:D TR

MT53D512M32D2DS-046 AAT:D TR

IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA

Micron Technology Inc.

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MT53D512M32D2DS-046 AAT:D TR数据手册 - 200-WFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR4 16Gbit 512M x 32 - 2.133 GHz - - 1.1V -40°C ~ 105°C (TC) Automotive AEC-Q100 Surface Mount 200-WFBGA (10x14.5)
DS1345ABP-100

DS1345ABP-100

IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

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DS1345ABP-100数据手册 - 34-PowerCap™ Module Tube Obsolete Not Verified Non-Volatile NVSRAM NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 1Mbit 128K x 8 Parallel - 100ns 100 ns 4.75V ~ 5.25V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 34-PowerCap Module
DS1345YP-100

DS1345YP-100

IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

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DS1345YP-100数据手册 - 34-PowerCap™ Module Tube Obsolete Not Verified Non-Volatile NVSRAM NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 1Mbit 128K x 8 Parallel - 100ns 100 ns 4.5V ~ 5.5V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 34-PowerCap Module
MT62F1G32D4DS-031 WT:B TR

MT62F1G32D4DS-031 WT:B TR

IC DRAM 32GBIT PAR 200WFBGA

Micron Technology Inc.

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MT62F1G32D4DS-031 WT:B TR数据手册 - 200-WFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5 32Gbit 1G x 32 Parallel 3.2 GHz - - 1.05V -25°C ~ 85°C - - Surface Mount 200-WFBGA (10x14.5)
AT49BV3218-11TI

AT49BV3218-11TI

IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP

Microchip Technology

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AT49BV3218-11TI数据手册 - 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Tray Obsolete Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH 32Mbit 4M x 8, 2M x 16 Parallel - 20µs 110 ns 2.65V ~ 3.3V -40°C ~ 85°C (TC) - - Surface Mount 48-TSOP
AT49BV3218T-11TI

AT49BV3218T-11TI

IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP

Microchip Technology

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AT49BV3218T-11TI数据手册 - 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Tray Obsolete Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH 32Mbit 4M x 8, 2M x 16 Parallel - 20µs 110 ns 2.65V ~ 3.3V -40°C ~ 85°C (TC) - - Surface Mount 48-TSOP
NSEC00K008-AT

NSEC00K008-AT

IC FLASH 64GBIT EMMC 100BGA

Insignis Technology Corporation

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NSEC00K008-AT数据手册 - 100-LBGA Tray Active Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NAND (MLC) 64Gbit 8G x 8 eMMC 200 MHz - - 3.3V -40°C ~ 105°C - - Surface Mount 100-BGA (14x18)

分类概览

存储器 产品与选型指南

存储器 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 存储器。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 存储器?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

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库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

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您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

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