存储器

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 可编程 存储类型 存储格式 技术 存储容量 存储组织 存储接口 时钟频率 写周期时间 - 字,页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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M30082040054X0IWAR

M30082040054X0IWAR

IC RAM 8MBIT SPI 54MHZ 8DFN

Renesas Electronics Corporation

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M30082040054X0IWAR数据手册 - 8-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Non-Volatile RAM MRAM (Magnetoresistive RAM) 8Mbit 2M x 4 SPI 54 MHz - - 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C - - Surface Mount 8-DFN (5x6)
CY62167G18-55ZXI

CY62167G18-55ZXI

IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I

Infineon Technologies

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CY62167G18-55ZXI数据手册 MOBL™ 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Tray Active Not Verified Volatile SRAM SRAM - Asynchronous 16Mbit 2M x 8, 1M x 16 Parallel - 55ns 55 ns 1.65V ~ 2.2V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 48-TSOP I
CY62167GE-45ZXI

CY62167GE-45ZXI

IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I

Infineon Technologies

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CY62167GE-45ZXI数据手册 MOBL™ 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Tray Active Not Verified Volatile SRAM SRAM - Asynchronous 16Mbit 2M x 8, 1M x 16 Parallel - 45ns 45 ns 4.5V ~ 5.5V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 48-TSOP I
MT29F512G08EBLKEB47T3WC1-F

MT29F512G08EBLKEB47T3WC1-F

IC FLASH 512GBIT DIE

Micron Technology Inc.

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MT29F512G08EBLKEB47T3WC1-F数据手册 - Die Box Active Not Verified - FLASH - 512Gbit 64G x 8 - - - - - - - - - Die
GD55T01GEYAGR

GD55T01GEYAGR

IC FLASH

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

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GD55T01GEYAGR数据手册 - - Tape & Reel (TR) Active - - FLASH FLASH - NOR - - - - - - - - - - - -
MT53E512M32D1NP-046 WT:B TR

MT53E512M32D1NP-046 WT:B TR

IC DRAM 16GBIT 200WFBGA

Micron Technology Inc.

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MT53E512M32D1NP-046 WT:B TR数据手册 - 200-WFBGA Tape & Reel (TR) Active Not Verified - DRAM - 16Gbit 512M x 32 - - - - - - - - Surface Mount 200-WFBGA (10x14.5)
MT62F512M32D2DR-031 WT:B TR

MT62F512M32D2DR-031 WT:B TR

IC DRAM 16GBIT PAR FBGA

Micron Technology Inc.

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MT62F512M32D2DR-031 WT:B TR数据手册 - - Tape & Reel (TR) Last Time Buy Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5 16Gbit 512M x 32 Parallel 3.2 GHz - - - -25°C ~ 85°C - - - -
MT29GZ6A6BPIET-53AIT.112

MT29GZ6A6BPIET-53AIT.112

IC FLASH RAM 8GBIT ONFI 149WFBGA

Micron Technology Inc.

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MT29GZ6A6BPIET-53AIT.112数据手册 - 149-VFBGA Box Active Not Verified Non-Volatile, Volatile FLASH, RAM FLASH - NAND (SLC), DRAM - LPDDR4 8Gbit (NAND), 8Gbit (LPDDR4) 1G x 8 (NAND), 512M x 16 (LPDDR4) ONFI 1866 MHz 30ns 25 ns 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V -40°C ~ 85°C (TA) Automotive AEC-Q100 Surface Mount 149-VFBGA (8x9.5)
MT29GZ6A6BPIET-046AIT.112

MT29GZ6A6BPIET-046AIT.112

IC FLASH RAM 8GBIT ONFI 149WFBGA

Micron Technology Inc.

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MT29GZ6A6BPIET-046AIT.112数据手册 - 149-VFBGA Box Active Not Verified Non-Volatile, Volatile FLASH, RAM FLASH - NAND (SLC), DRAM - LPDDR4 8Gbit (NAND), 8Gbit (LPDDR4) 1G x 8 (NAND), 512M x 16 (LPDDR4) ONFI 2.133 GHz 20ns, 30ns 25 ns 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V -40°C ~ 85°C (TA) Automotive AEC-Q100 Surface Mount 149-VFBGA (8x9.5)
M3004316035NX0PTBY

M3004316035NX0PTBY

IC RAM 4MBIT PAR 54TSOP

Renesas Electronics Corporation

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M3004316035NX0PTBY数据手册 - 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Tray Obsolete - Non-Volatile RAM MRAM (Magnetoresistive RAM) 4Mbit 256K x 16 Parallel - 35ns 35 ns 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 105°C - - Surface Mount 54-TSOP
M3004316035NX0PTAY

M3004316035NX0PTAY

IC RAM 4MBIT PAR 44TSOPII

Renesas Electronics Corporation

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M3004316035NX0PTAY数据手册 - 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Tray Obsolete - Non-Volatile RAM MRAM (Magnetoresistive RAM) 4Mbit 256K x 16 Parallel - 35ns 35 ns 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 105°C - - Surface Mount 44-TSOP II
M3004316035NX0PBCY

M3004316035NX0PBCY

IC RAM 4MBIT PAR 484CABGA

Renesas Electronics Corporation

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M3004316035NX0PBCY数据手册 - 484-BGA Tray Obsolete - Non-Volatile RAM MRAM (Magnetoresistive RAM) 4Mbit 256K x 16 Parallel - 35ns 35 ns 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 105°C - - Surface Mount 484-CABGA (23x23)
IS64WV51216BLL-10MLA3-TR

IS64WV51216BLL-10MLA3-TR

IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IS64WV51216BLL-10MLA3-TR数据手册 - 48-TFBGA Tape & Reel (TR) Active Not Verified Volatile SRAM SRAM - Asynchronous 8Mbit 512K x 16 Parallel - 10ns 10 ns 2.4V ~ 3.6V -40°C ~ 125°C (TA) - - Surface Mount 48-miniBGA (9x11)
MT35XL02GCBA3G12-0SIT TR

MT35XL02GCBA3G12-0SIT TR

IC FLSH 2GBIT XCCELA BUS 24TPBGA

Micron Technology Inc.

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MT35XL02GCBA3G12-0SIT TR数据手册 Xccela™ - MT35X 24-TBGA Tape & Reel (TR) Active Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NOR 2Gbit 256M x 8 Xccela Bus 133 MHz - - 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C - - Surface Mount 24-T-PBGA (6x8)
FEMDNN064G-A3A55

FEMDNN064G-A3A55

64GB EMMC TLC 5.1 -25C+85C IND

Lexar Enterprise

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FEMDNN064G-A3A55数据手册 - 153-BGA Active Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NAND (TLC) 64GByte (NAND) - eMMC_5.1 200 MHz 5ns - 1.8V ~ 3.3V -25°C ~ 85°C - - Surface Mount -
MT29WZ8A7BQGAD-046 WT.86L

MT29WZ8A7BQGAD-046 WT.86L

IC FLASH RAM 268GBIT MCP

Micron Technology Inc.

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MT29WZ8A7BQGAD-046 WT.86L数据手册 - - Tray Active - - FLASH, RAM FLASH - NAND 268Gbit - - - - - - - - - - -
MB85RQ8MLXPF-G-BCE1

MB85RQ8MLXPF-G-BCE1

IC FRAM 8MBIT SPI/QUAD 16SOP

Fujitsu Semiconductor Memory Solution

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MB85RQ8MLXPF-G-BCE1数据手册 - 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Tube Active Not Verified Non-Volatile FRAM FRAM (Ferroelectric RAM) 8Mbit 1M x 8 SPI - Quad I/O, QPI 108 MHz - 7 ns 1.7V ~ 1.95V -40°C ~ 105°C (TA) - - Surface Mount 16-SOP
CAT28C512LI12

CAT28C512LI12

IC EEPROM 512KBIT PARALLEL 32DIP

onsemi

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CAT28C512LI12数据手册 - 32-DIP (0.600", 15.24mm) Tube Obsolete Not Verified Non-Volatile EEPROM EEPROM 512Kbit 64K x 8 Parallel - 5ms 120 ns 4.5V ~ 5.5V -40°C ~ 85°C (TA) - - Through Hole 32-PDIP
CAT28C512L12

CAT28C512L12

IC EEPROM 512KBIT PARALLEL 32DIP

onsemi

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CAT28C512L12数据手册 - 32-DIP (0.600", 15.24mm) Tube Obsolete Not Verified Non-Volatile EEPROM EEPROM 512Kbit 64K x 8 Parallel - 5ms 120 ns 4.5V ~ 5.5V 0°C ~ 70°C (TA) - - Through Hole 32-PDIP
CAT28C512LI15

CAT28C512LI15

IC EEPROM 512KBIT PARALLEL 32DIP

onsemi

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CAT28C512LI15数据手册 - 32-DIP (0.600", 15.24mm) Tube Obsolete Not Verified Non-Volatile EEPROM EEPROM 512Kbit 64K x 8 Parallel - 5ms 150 ns 4.5V ~ 5.5V -40°C ~ 85°C (TA) - - Through Hole 32-PDIP

分类概览

存储器 产品与选型指南

存储器 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 存储器。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 存储器?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

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库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

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您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

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可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

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