存储器

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 可编程 存储类型 存储格式 技术 存储容量 存储组织 存储接口 时钟频率 写周期时间 - 字,页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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MT41K512M16VRN-107 IT:P TR

MT41K512M16VRN-107 IT:P TR

IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA

Micron Technology Inc.

0
MT41K512M16VRN-107 IT:P TR数据手册 - 96-TFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - DDR3L 8Gbit 512M x 16 Parallel 933 MHz 15ns 20 ns 1.283V ~ 1.45V -40°C ~ 95°C (TC) - - Surface Mount 96-FBGA (8x14)
MT29GZ6A6BPIET-046AIT.112 TR

MT29GZ6A6BPIET-046AIT.112 TR

IC FLASH RAM 8GBIT ONFI 149WFBGA

Micron Technology Inc.

0
MT29GZ6A6BPIET-046AIT.112 TR数据手册 - 149-VFBGA Tape & Reel (TR) Active Not Verified Non-Volatile, Volatile FLASH, RAM FLASH - NAND (SLC), DRAM - LPDDR4 8Gbit (NAND), 8Gbit (LPDDR4) 1G x 8 (NAND), 512M x 16 (LPDDR4) ONFI 2.133 GHz 30ns 25 ns 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V -40°C ~ 85°C (TA) Automotive AEC-Q100 Surface Mount 149-VFBGA (8x9.5)
MT29GZ6A6BPIET-53AIT.112 TR

MT29GZ6A6BPIET-53AIT.112 TR

IC FLASH RAM 8GBIT ONFI 149WFBGA

Micron Technology Inc.

0
MT29GZ6A6BPIET-53AIT.112 TR数据手册 - 149-VFBGA Tape & Reel (TR) Active Not Verified Non-Volatile, Volatile FLASH, RAM FLASH - NAND (SLC), DRAM - LPDDR4 8Gbit (NAND), 8Gbit (LPDDR4) 1G x 8 (NAND), 512M x 16 (LPDDR4) ONFI 1866 MHz 30ns 25 ns 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V -40°C ~ 85°C (TA) Automotive AEC-Q100 Surface Mount 149-VFBGA (8x9.5)
MR0D08BMA45

MR0D08BMA45

IC RAM 1MBIT PARALLEL 48FBGA

Everspin Technologies Inc.

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MR0D08BMA45数据手册 - 48-LFBGA Tray Active Not Verified Non-Volatile RAM MRAM (Magnetoresistive RAM) 1Mbit 128K x 8 Parallel - 45ns 45 ns 3V ~ 3.6V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 48-FBGA (8x8)
IS61LF25636A-7.5TQLI

IS61LF25636A-7.5TQLI

IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

0
IS61LF25636A-7.5TQLI数据手册 - 100-LQFP Tray Active Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, SDR 9Mbit 256K x 36 Parallel 117 MHz - 7.5 ns 3.135V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 100-LQFP (14x20)
IS61LF51218A-7.5TQLI

IS61LF51218A-7.5TQLI

IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

0
IS61LF51218A-7.5TQLI数据手册 - 100-LQFP Tray Active Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, SDR 9Mbit 512K x 18 Parallel 117 MHz - 7.5 ns 3.135V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 100-LQFP (14x20)
IS61LPS25636A-200TQ2LI

IS61LPS25636A-200TQ2LI

IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IS61LPS25636A-200TQ2LI数据手册 - 100-LQFP Tray Active Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, SDR 9Mbit 256K x 36 Parallel 200 MHz - 3.1 ns 3.135V ~ 3.465V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 100-LQFP (14x20)
IS61LPS51218A-200TQLI

IS61LPS51218A-200TQLI

IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IS61LPS51218A-200TQLI数据手册 - 100-LQFP Tray Active Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, SDR 9Mbit 512K x 18 Parallel 200 MHz - 3.1 ns 3.135V ~ 3.465V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 100-LQFP (14x20)
IS61NLF25636A-7.5TQLI

IS61NLF25636A-7.5TQLI

IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

0
IS61NLF25636A-7.5TQLI数据手册 - 100-LQFP Tray Active Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, SDR 9Mbit 256K x 36 Parallel 117 MHz - 7.5 ns 3.135V ~ 3.465V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 100-LQFP (14x20)
IS61NLF51218A-7.5TQLI

IS61NLF51218A-7.5TQLI

IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IS61NLF51218A-7.5TQLI数据手册 - 100-LQFP Tray Active Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, SDR 9Mbit 512K x 18 Parallel 117 MHz - 7.5 ns 3.135V ~ 3.465V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 100-LQFP (14x20)
IS61NLP51218A-200TQLI

IS61NLP51218A-200TQLI

IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IS61NLP51218A-200TQLI数据手册 - 100-LQFP Tray Active Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, SDR 9Mbit 512K x 18 Parallel 200 MHz - 3.1 ns 3.135V ~ 3.465V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 100-LQFP (14x20)
IS61NVP25636A-200TQLI

IS61NVP25636A-200TQLI

IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IS61NVP25636A-200TQLI数据手册 - 100-LQFP Tray Active Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, SDR 9Mbit 256K x 36 Parallel 200 MHz - 3.1 ns 2.375V ~ 2.625V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 100-LQFP (14x20)
IS61VPS25636A-200TQLI

IS61VPS25636A-200TQLI

IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

0
IS61VPS25636A-200TQLI数据手册 - 100-LQFP Tray Active Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, SDR 9Mbit 256K x 36 Parallel 200 MHz - 3.1 ns 2.375V ~ 2.625V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 100-LQFP (14x20)
IS61LPD25636A-200TQLI

IS61LPD25636A-200TQLI

IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

0
IS61LPD25636A-200TQLI数据手册 - 100-LQFP Tray Active Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, SDR 9Mbit 256K x 36 Parallel 200 MHz - 3.1 ns 3.135V ~ 3.465V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 100-LQFP (14x20)
CY14V101LA-BA45XI

CY14V101LA-BA45XI

IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48FBGA

Infineon Technologies

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CY14V101LA-BA45XI数据手册 - 48-TFBGA Tray Active Not Verified Non-Volatile NVSRAM NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 1Mbit 128K x 8 Parallel - 45ns 45 ns 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 48-FBGA (6x10)
CY7C024-55JXC

CY7C024-55JXC

IC SRAM 64KBIT PARALLEL 84PLCC

Infineon Technologies

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CY7C024-55JXC数据手册 - 84-LCC (J-Lead) Tray Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Dual Port, Asynchronous 64Kbit 4K x 16 Parallel - 55ns 55 ns 4.5V ~ 5.5V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 84-PLCC (29.31x29.31)
AT28C256EF-15JU

AT28C256EF-15JU

IC EEPROM 256KBIT PAR 32PLCC

Microchip Technology

0
AT28C256EF-15JU数据手册 - 32-LCC (J-Lead) Tube Obsolete Not Verified Non-Volatile EEPROM EEPROM 256Kbit 32K x 8 Parallel - 10ms 150 ns 4.5V ~ 5.5V -40°C ~ 85°C (TC) - - Surface Mount 32-PLCC (13.97x11.43)
SM662PXA-BDAS

SM662PXA-BDAS

IC FLASH 40GBIT EMMC 153BGA

Silicon Motion, Inc.

0
SM662PXA-BDAS数据手册 Ferri-eMMC® 153-TFBGA Bulk Active - Non-Volatile FLASH FLASH - NAND (SLC) 40Gbit 5G x 8 eMMC - - - - -25°C ~ 85°C - - Surface Mount 153-BGA (11.5x13)
SM662PXA-BDAT

SM662PXA-BDAT

IC FLASH 128GBIT EMMC 153BGA

Silicon Motion, Inc.

0
SM662PXA-BDAT数据手册 Ferri-eMMC® 153-TFBGA Bulk Active - Non-Volatile FLASH FLASH - NAND (TLC) 128Gbit 16G x 8 eMMC - - - - -25°C ~ 85°C - - Surface Mount 153-BGA (11.5x13)
IS43QR16512A-075VBL

IS43QR16512A-075VBL

IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96TWBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

0
IS43QR16512A-075VBL数据手册 - 96-TFBGA Bulk Active - Volatile DRAM SDRAM - DDR4 8Gbit 512M x 16 Parallel 1.333 GHz 15ns 18 ns 1.14V ~ 1.26V 0°C ~ 95°C (TC) - - Surface Mount 96-TWBGA (10x14)

分类概览

存储器 产品与选型指南

存储器 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 存储器。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

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