单个 IGBTs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 功率 - 最大值 开关能量 输入类型 栅极电荷 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 测试条件 反向恢复时间 (trr) 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 功率 - 最大值 开关能量 输入类型 栅极电荷 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 测试条件 反向恢复时间 (trr) 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装
APT85GR120B2

APT85GR120B2

IGBT NPT 1200V 170A TMAX

Microchip Technology

28
APT85GR120B2数据手册 - TO-247-3 Tube Active NPT 1200 V 170 A 340 A 3.2V @ 15V, 85A 962 W 6mJ (on), 3.8mJ (off) Standard 660 nC 43ns/300ns 600V, 85A, 4.3Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole T-MAX™
AFGY160T65SPD-B4

AFGY160T65SPD-B4

IGBT TRENCH FS 650V 240A TO247-3

onsemi

28
AFGY160T65SPD-B4数据手册 - TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 240 A 480 A 2.05V @ 15V, 160A 882 W 12.4mJ (on), 5.7mJ (off) Standard 245 nC 53ns/98ns 400V, 160A, 5Ohm, 15V 132 ns -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q100 Through Hole TO-247-3
APT50GN120L2DQ2G

APT50GN120L2DQ2G

IGBT NPT FIELD STOP 1200V 134A

Microchip Technology

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APT50GN120L2DQ2G数据手册 - TO-264-3, TO-264AA Tube Active NPT, Trench Field Stop 1200 V 134 A 150 A 2.1V @ 15V, 50A 543 W 4495µJ (off) Standard 315 nC 28ns/320ns 800V, 50A, 2.2Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole -
IXXR110N65B4H1

IXXR110N65B4H1

IGBT 650V 150A 455W ISOPLUS247

IXYS

28
IXXR110N65B4H1数据手册 GenX4™, XPT™ TO-247-3 Tube Active PT 650 V 150 A 460 A 2.2V @ 15V, 110A 455 W 2.2mJ (on), 1.05mJ (off) Standard 183 nC 38ns/156ns 400V, 55A, 2Ohm, 15V 100 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
APT65GP60L2DQ2G

APT65GP60L2DQ2G

IGBT PT 600V 198A

Microchip Technology

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APT65GP60L2DQ2G数据手册 POWER MOS 7® TO-264-3, TO-264AA Tube Active PT 600 V 198 A 250 A 2.7V @ 15V, 65A 833 W 605µJ (on), 895µJ (off) Standard 210 nC 30ns/90ns 400V, 65A, 5Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole -
IXBA16N170AHV

IXBA16N170AHV

REVERSE CONDUCTING IGBT

IXYS

8
IXBA16N170AHV数据手册 BIMOSFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active - 1700 V 16 A 40 A 6V @ 15V, 10A 150 W 2.5mJ (off) Standard 65 nC 15ns/250ns 1360V, 10A, 10Ohm, 15V 25 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263HV
IXXK300N60B3

IXXK300N60B3

IGBT 600V 550A 2300W TO264

IXYS

9
IXXK300N60B3数据手册 GenX3™, XPT™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active PT 600 V 550 A 1140 A 1.6V @ 15V, 100A 2300 W 3.45mJ (on), 2.86mJ (off) Standard 460 nC 50ns/190ns 400V, 100A, 1Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-264 (IXXK)
STGD4H60DF

STGD4H60DF

IGBT TRENCH FS 600V 8A DPAK

STMicroelectronics

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STGD4H60DF数据手册 H TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active Trench Field Stop 600 V 8 A 16 A 1.95V @ 15V, 3A 75 W 68µJ (on), 45µJ (off) Standard 35 nC 35ns/121ns 400V, 3A, 47Ohm, 15V 73 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK (TO-252) type C2
GT20J341,S4X(S

GT20J341,S4X(S

DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-220S

Toshiba Semiconductor and Storage

75
GT20J341,S4X(S数据手册 - TO-220-3 Full Pack Tube Active - 600 V 20 A 80 A 2V @ 15V, 20A 45 W 500µJ (on), 400µJ (off) Standard - 60ns/240ns 300V, 20A, 33Ohm, 15V 90 ns 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
STGWA30M65DF2AG

STGWA30M65DF2AG

AUTOMOTIVE-GRADE TRENCH GATE FIE

STMicroelectronics

50
STGWA30M65DF2AG数据手册 M TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 87 A 120 A 2V @ 15V, 30A 441 W 756µJ (on), 1.057mJ (off) Standard 81.6 nC 21.6ns/138ns 400V, 30A, 10Ohm, 15V 151 ns -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247 Long Leads
GT30J65MRB,S1E

GT30J65MRB,S1E

650V SILICON N-CHANNEL IGBT, TO-

Toshiba Semiconductor and Storage

64
GT30J65MRB,S1E数据手册 - TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active - 650 V 60 A - 1.8V @ 15V, 30A 200 W 1.4mJ (on), 220µJ (off) Standard 70 nC 75ns/400ns 400V, 15A, 56Ohm, 15V 200 ns 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3P(N)
STGWA25IH135DF2

STGWA25IH135DF2

IGBT TRENCH FS 1.35KV 50A TO247

STMicroelectronics

46
STGWA25IH135DF2数据手册 IH2 TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 1350 V 50 A 100 A 2.2V @ 15V, 20A 340 W 1mJ (off) Standard 166 nC - 600V, 20A, 10Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247 Long Leads
RGW40NL65HRBTL

RGW40NL65HRBTL

IGBT TRENCH FS 650V 48A TO263L

Rohm Semiconductor

1,000
RGW40NL65HRBTL数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Trench Field Stop 650 V 48 A 80 A 1.9V @ 15V, 20A 144 W 110µJ (on), 160µJ (off) Standard 59 nC 33ns/129ns 400V, 10A, 10Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263L
GT40QR21(STA1,E,D

GT40QR21(STA1,E,D

IGBT 1200V 40A TO3P

Toshiba Semiconductor and Storage

82
GT40QR21(STA1,E,D数据手册 - TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active - 1200 V 40 A 80 A 2.7V @ 15V, 40A 230 W -, 290µJ (off) Standard - - 280V, 40A, 10Ohm, 20V 600 ns 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3P(N)
RGW50NL65DHRBTL

RGW50NL65DHRBTL

IGBT TRENCH FS 650V 57A TO263L

Rohm Semiconductor

1,000
RGW50NL65DHRBTL数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Trench Field Stop 650 V 57 A 100 A 1.9V @ 15V, 25A 165 W 110µJ (on), 230µJ (off) Standard 73 nC 31ns/119ns 400V, 12.5A, 10Ohm, 15V 71 ns -40°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263L
RGS50NL65HRBTL

RGS50NL65HRBTL

IGBT TRENCH FS 650V 50A TO263L

Rohm Semiconductor

1,000
RGS50NL65HRBTL数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Trench Field Stop 650 V 50 A 75 A 2.1V @ 15V, 25A 206 W 810µJ (on), 650µJ (off) Standard 31 nC 28ns/91ns 400V, 25A, 10Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263L
RGW60NL65DHRBTL

RGW60NL65DHRBTL

IGBT TRENCH FS 650V 67A TO263L

Rohm Semiconductor

1,000
RGW60NL65DHRBTL数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Trench Field Stop 650 V 67 A 120 A 1.9V @ 15V, 30A 187 W 180µJ (on), 250µJ (off) Standard 84 nC 34ns/122ns 400V, 15A, 10Ohm, 15V 96 ns -40°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263L
GT50N322A

GT50N322A

IGBT 1000V 50A TO3P

Toshiba Semiconductor and Storage

52
GT50N322A数据手册 - TO-3P-3, SC-65-3 Tray Active - 1000 V 50 A 120 A 2.8V @ 15V, 60A 156 W - Standard - - - 800 ns 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P(N)
GT50JR21(STA1,E,S)

GT50JR21(STA1,E,S)

PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS

Toshiba Semiconductor and Storage

37
GT50JR21(STA1,E,S)数据手册 - TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active - 600 V 50 A 100 A 2V @ 15V, 50A 230 W - Standard - - - - 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3P(N)
APT25GP90BG

APT25GP90BG

IGBT PT 900V 72A TO247

Microchip Technology

51
APT25GP90BG数据手册 POWER MOS 7® TO-247-3 Tube Active PT 900 V 72 A 110 A 3.9V @ 15V, 25A 417 W 370µJ (off) Standard 110 nC 13ns/55ns 600V, 25A, 5Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
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分类概览

单个 IGBTs 产品与选型指南

单个 IGBTs 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个 IGBTs。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 单个 IGBTs?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

页面上的库存信息是否可以直接采购?

库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

找不到指定型号怎么办?

您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

是否可以提供 Datasheet 和技术资料?

可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

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