IGBT 模块

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 配置 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 功率 - 最大值 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 电流 - 集电极截止(最大值) 输入电容 (Cies) @ Vce 输入 NTC 热敏电阻 工作温度 安装类型 供应商设备封装

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 配置 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 功率 - 最大值 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 电流 - 集电极截止(最大值) 输入电容 (Cies) @ Vce 输入 NTC 热敏电阻 工作温度 安装类型 供应商设备封装
FZ3600R17HP4HOSA2

FZ3600R17HP4HOSA2

IGBT MODULE 1700V 3600A

Infineon Technologies

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FZ3600R17HP4HOSA2数据手册 IHM-B Module Tray Not For New Designs Trench Single Switch 1700 V 3600 A 21000 W 2.25V @ 15V, 3600A 5 mA 295 nF @ 25 V Standard No -40°C ~ 150°C Chassis Mount Module
FZ3600R12KE3NOSA1

FZ3600R12KE3NOSA1

IGBT MODULE

Infineon Technologies

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FZ3600R12KE3NOSA1数据手册 - Module Bulk Active - Single Switch 1200 V 4700 A 15000 W 2.15V @ 15V, 3.6kA 5 mA 260 nF @ 25 V Standard No -40°C ~ 125°C (TJ) Chassis Mount AG-IHM190-2-1
FZ3600R17KE3

FZ3600R17KE3

IGBT MODULE

Infineon Technologies

2
FZ3600R17KE3数据手册 - Module Bulk Active - Single Switch 1700 V - 350 W 2.45V @ 3.6kA, 15V 5 mA 3.3 nF @ 25 V Standard No -40°C ~ 125°C (TJ) Chassis Mount AG-IHM190-2-1
FZ1500R33HL3BPSA3

FZ1500R33HL3BPSA3

FZ1500R33 - INSULATED GATE BIPOL

Infineon Technologies

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FZ1500R33HL3BPSA3数据手册 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
FD16001200R17KF6CB2NOSA1

FD16001200R17KF6CB2NOSA1

IGBT MODULE

Infineon Technologies

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FD16001200R17KF6CB2NOSA1数据手册 - Module Bulk Active - Single Switch 1700 V 2600 A - 3.1V @ 15V, 1.6kA 5 mA 105 nF @ 25 V Standard No -40°C ~ 125°C (TJ) Chassis Mount AG-ECONO2B
FD250R65KE3KNOSA1

FD250R65KE3KNOSA1

IGBT MOD 6500V 250A 4800W

Infineon Technologies

5,076
FD250R65KE3KNOSA1数据手册 - Module Bulk Active - Single 6500 V 250 A 4800 W 3.4V @ 15V, 250A 5 mA 69 nF @ 25 V Standard No -50°C ~ 125°C Chassis Mount Module
FZ1400R33HE4BPSA1

FZ1400R33HE4BPSA1

IGBT MODULE DIODE HVB130-3

Infineon Technologies

9,839
FZ1400R33HE4BPSA1数据手册 - Module Bulk Active Trench Field Stop 2 Independent 3300 V 1400 A - 2.3V @ 15V, 1400A (Typ) 5 mA 187 nF @ 25 V Single Phase Bridge Rectifier No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount Module
FD200R65KF2-K

FD200R65KF2-K

IGBT MODULE

Infineon Technologies

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FD200R65KF2-K数据手册 - Module Bulk Active - Single Chopper 3600 V 200 A 380000 W 4.9V @ 15V, 200A 200 µA 28 nF @ 25 V Standard No 125°C (TJ) Chassis Mount -
IFF2400P17AE4BPSA1

IFF2400P17AE4BPSA1

IGBT MODULE 1700V IPM MIPAQP-4

Infineon Technologies

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IFF2400P17AE4BPSA1数据手册 - Module Bulk Obsolete - Half Bridge 1700 V - - - - - - No -40°C ~ 65°C (TA) - Module
FSBF15CH60BT-F166

FSBF15CH60BT-F166

POWER DRIVER MODULE IGBT 600V 15

onsemi

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FSBF15CH60BT-F166数据手册 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
FMM7G50US60N

FMM7G50US60N

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fairchild Semiconductor

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FMM7G50US60N数据手册 - Module Bulk Obsolete - Three Phase Inverter with Brake 600 V 50 A 139 W 2.7V @ 15V, 50A 250 µA 3.565 nF @ 30 V Three Phase Bridge Rectifier Yes -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole -
FMM6G30US60

FMM6G30US60

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fairchild Semiconductor

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FMM6G30US60数据手册 - Module Bulk Obsolete - Three Phase Inverter with Brake 600 V 30 A 104 W 2.7V @ 15V, 30A 250 µA 2.1 nF @ 30 V Three Phase Bridge Rectifier Yes -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole -
FMM7G20US60I

FMM7G20US60I

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fairchild Semiconductor

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FMM7G20US60I数据手册 - Module Bulk Obsolete - Three Phase Inverter with Brake 600 V 20 A 89 W 2.7V @ 15V, 20A 250 µA 1.277 nF @ 30 V Three Phase Bridge Rectifier Yes -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole -
FMM7G30US60N

FMM7G30US60N

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fairchild Semiconductor

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FMM7G30US60N数据手册 - Module Bulk Obsolete - Three Phase Inverter with Brake 600 V 30 A 104 W 2.7V @ 15V, 30A 250 µA 2.1 nF @ 30 V Three Phase Bridge Rectifier Yes -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole -
FMM7G50US60I

FMM7G50US60I

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fairchild Semiconductor

31
FMM7G50US60I数据手册 - Module Bulk Obsolete - Three Phase Inverter with Brake 600 V 50 A 139 W 2.7V @ 15V, 50A 250 µA 3.565 nF @ 30 V Three Phase Bridge Rectifier Yes -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole -
FMM7G20US60N

FMM7G20US60N

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fairchild Semiconductor

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FMM7G20US60N数据手册 - Module Bulk Obsolete - Three Phase Inverter with Brake 600 V 20 A 89 W 2.7V @ 15V, 20A 250 µA 1.277 nF @ 30 V Three Phase Bridge Rectifier Yes -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole -
FMM7G30US60I

FMM7G30US60I

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fairchild Semiconductor

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FMM7G30US60I数据手册 - Module Bulk Obsolete - Three Phase Inverter with Brake 600 V 30 A 104 W 2.7V @ 15V, 30A 250 µA 2.1 nF @ 30 V Three Phase Bridge Rectifier Yes -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole -
FP10R12W1T7B11BOMA1

FP10R12W1T7B11BOMA1

LOW POWER EASY

Infineon Technologies

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FP10R12W1T7B11BOMA1数据手册 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
FP30R06W1E3B11BOMA1

FP30R06W1E3B11BOMA1

FP30R06 - IGBT MODULE

Infineon Technologies

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FP30R06W1E3B11BOMA1数据手册 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
FP15R12W1T4PB11BPSA1

FP15R12W1T4PB11BPSA1

1200 V, 15 A PIM IGBT MODULE

Infineon Technologies

22
FP15R12W1T4PB11BPSA1数据手册 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
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分类概览

IGBT 模块 产品与选型指南

IGBT 模块 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 IGBT 模块。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 IGBT 模块?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

页面上的库存信息是否可以直接采购?

库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

找不到指定型号怎么办?

您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

是否可以提供 Datasheet 和技术资料?

可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

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